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公开(公告)号：CN119581328A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411253740.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 方法包括：在第一复合层上形成延伸穿过第一复合层的第一导电元件；在第一复合层上形成第一聚合物层；形成延伸穿过第一聚合物层的第一金属化图案；在第一聚合物层上方形成第二聚合物层，其中，第二聚合物层薄于第一聚合物层；在第二聚合物层上形成延伸穿过第二聚合物层的第二金属化图案，其中，第二金属化图案薄于第一金属化图案；在第一复合层上形成第二复合层；以及形成延伸穿过第二复合层的第二导电元件。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115020357A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210110709.1
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在散热块正上方；以及将器件管芯和金属杆密封在密封剂中。然后将封装件从载体剥离。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113013153A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011516793.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成电路封装件及其形成方法。该方法包括：将第一封装件组件和第二封装件组件接合到中介层。所述第一封装件组件包括核心器件管芯，所述第二封装件组件包括存储器管芯。独立无源器件(IPD)管芯直接接合到中介层。IPD管芯通过中介层中的第一导电路径电连接到第一封装件组件。封装件衬底接合到中介层管芯。封装件衬底位于中介层的与第一封装件组件和第二封装件组件相反的一侧上。
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公开(公告)号：CN112466863A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010939843.3
申请日：2020-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的一些实施例提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一封装基板、在封装基板的上方的一半导体芯片、与半导体芯片整合在一起的至少一集成装置。集成装置被整合在半导体芯片的正下方，以利于信号传输。因此，改善了封装结构的信号整合以及电源整合。除此之外，集成装置并不需要占据在封装基板上方的装设空间，故可降低封装基板的尺寸以及封装结构的整体的尺寸。
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公开(公告)号：CN112466836A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010784025.0
申请日：2020-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 本公开的一些实施例提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一封装基板、一中介基板、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一保护层。中介基板设置在封装基板上方。第一半导体装置以及第二半导体装置设置在中介基板上方，其中第一半导体装置以及第二半导体装置是不同类型的电子装置。保护层形成在中介基板上方，以包围第一半导体装置以及第二半导体装置。第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108336073B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201711240557.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/544 , H01L21/50
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。
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公开(公告)号：CN110739229A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910603971.8
申请日：2019-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488
Abstract: 一种芯片封装体结构的制造方法，包括形成一第一重分布结构于一第一承载基底上。通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至第一表面。形成一第一模塑层于第一重分布结构上。去除第一承载基底。形成一第二导电凸块于第二表面上。形成一第二重分布结构于一第二承载基底上。将第一重分布结构接合至第三表面。形成一第二模塑层于第二重分布结构上。去除第二承载基底。从第四表面去除第二重分布结构的一部分。形成一第三导电凸块于第四表面上。
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公开(公告)号：CN107068669B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710073870.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法。其中，该半导体装置封装包含第一裸片、第二裸片以及沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸的模塑料。所述封装进一步包含横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘的重布层RDL。所述RDL包含电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，且所述I/O接点暴露于大体上垂直于与所述RDL相对的所述模塑料的表面的所述装置封装的侧壁处。
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公开(公告)号：CN109755203A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810044369.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种封装结构，所述封装结构包括半导体管芯、重布线层及多个导电元件。重布线层中的接头或半导体管芯上的接头中的至少一个接头与导电元件连接以对所述重布线层、所述半导体管芯及所述导电元件进行电连接。
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公开(公告)号：CN105355594B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510622440.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8224 , H01L27/02 , H01L27/082 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。
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