-
公开(公告)号：CN115169207A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762692.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F119/14 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取单个入射粒子辐照半导体器件产生的PKA的数量；对所述半导体器件进行网格划分，获取每个网格中所述初PKA的数量，建立与所述网格等大小的仿真体系模型；基于所述仿真体系模型，利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟，并获取所述入射粒子标定注量率下所述网格中的缺陷信息；对所有所述网格中的缺陷信息进行汇总，得到所述半导体器件的综合缺陷信息。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量率下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
-
公开(公告)号：CN115169105A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769647.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
-
公开(公告)号：CN115168996A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769671.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/23 , G16C60/00 , G06F113/28 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种模拟空间环境下的原子氧通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括将航天器表面剖分为多个多边形网格单元，并读取所述多边形网格单元中的瞬时通量数据；遍历每个所述多边形网格单元中瞬时通量数据；根据每个所述所述多边形网格单元中瞬时通量数据计算当前时刻每个所述多边形网格单元的累积通量，以得到每一时刻中所有所述多边形网格单元的累积通量。与现有技术比较，本发明方法操作简单，能够准确、快速地计算不同材料在不同环境条件下表面的原子氧累积通量和瞬时通量，为优化材料抗空间环境效应能力提供必要的依据，对材料的空间环境协同效应研究具有重大的意义，有着明显的优势和广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115168993A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762569.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/25 , G06F17/10 , G06F111/10 , G06F113/28 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供了一种基于射线追踪的原子氧或紫外通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述计算方法包括：根据航天器的轨道参数计算航天器在轨道各点的原子氧通量影响参数或紫外通量影响参数；将航天器表面剖分为多个多边形网格单元,并设定各个所述多边形网格单元的原子氧通量初始值或紫外通量初始值；计算所述航天器运动轨道每个点上的每个所述多边形网格单元的原子氧通量增加值或紫外通量增加值，最后得到原子氧通量累计值或紫外通量累计值。与现有技术比较，本发明能够大幅度提高计算时间效率，降低成本，为蒙特卡罗模拟方法的计算结果提供校验数据，为航天器表面涂层材料快速筛选提供高效技术手段，有着明显的优势和广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109557442B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201811404082.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院 , 锦州七七七微电子有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951915A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
-
公开(公告)号：CN111863941A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735219.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
-
公开(公告)号：CN111856152A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735220.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明提供了一种脉冲信号采样方法及装置，涉及信号处理技术领域。所述脉冲信号采样方法包括获取采样信号；将所述采样信号滤波，分离为高频分量和低频分量；将所述高频分量和所述低频分量分别进行增益调节；对经过增益调节的所述高频分量和所述低频分量进行数据采集，分别获得静态分量和瞬态分量；将获得的所述静态分量和所述瞬态分量输出。这样，通过采用信号分离的方式独立控制各个分量，然后进行同步采集的方式同时获取多个信号分量的值，从而能够最大限度保留各个信号的有用成分，有利于后期数据处理和分析。
-
公开(公告)号：CN111856095A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735735.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲高压负载电阻模块、组装方法及装置，涉及高频电子功率调节器技术领域，所述脉冲高压负载电阻模块包括电阻模块，包括多个负载电阻相互连接构成的电阻网络；安装板，与所述电阻模块相连接，以及散热组件，与所述安装板相连接，所述散热组件包括第一散热件和第二散热件，所述第二散热件与所述第一散热件的外壁固定相连，且所述第二散热件的内部设置腔体，且所述腔体内填充导热材料。与现有技术比较，本发明散热组件在电阻模块的最外层直接导热，减小了热传导路径，散热效率高，降低散热器重量，减小设备体积，且采用导热材料填充散热组件，进一步缩小产品尺寸，杜绝了电阻拉弧打火现象，安全性高。
-
公开(公告)号：CN111855706A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735719.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
320
records
(took 0.038 seconds)
