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公开(公告)号：CN117825291A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410197638.2
申请日：2024-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了一种基于压电陶瓷音叉的光声光谱痕量气体检测装置及方法，利用压电陶瓷音叉探测气体分子吸收激光后所产生的光声信号，待测气体充满压电陶瓷音叉叉指间隙，经频率调制的激光器发出的激光经准直聚焦后传输至压电陶瓷音叉叉指间隙，聚焦点附近的气体分子吸收光能后跃迁至激发态，其中部分气体分子通过热弛豫过程回到基态，并向外发射声波，声波强度与气体浓度成正比。声波在音叉表面施加压力，进而产生压电效应。音叉两端接至信号解调单元，信号解调单元解调出二次谐波信号，基于此，最终可获得气体浓度与解调出二次谐波信号峰值电压之间的关系曲线，实现气体检测的功能。
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公开(公告)号：CN114188812B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111512299.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种温度调谐9μm～11μm长波红外固体激光器，它涉及一种固体激光器。解决基于现有短波泵浦源，通过光学非线性频率转换方法实现9μm～11μm激光输出时，从泵浦光到闲频光转换效率较低以及调谐波长过程中出现光束偏移的问题。温度调谐9μm～11μm长波红外固体激光器包括第一泵浦源、第一耦合系统、第二泵浦源、第二耦合系统、功率控制系统、泵浦光偏振态控制系统、光学参量振荡器及构成滤波系统。本发明用于温度调谐9μm～11μm长波红外固体激光器。
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公开(公告)号：CN112573936B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011474068.5
申请日：2020-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/584 , C04B35/638 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、将α‑Si3N4粉末、β‑Si3N4晶须、h‑BN粉末、烧结助剂和粘结剂通过辊压成型，制备得到β‑Si3N4晶须定向排列的片状坯体；步骤S2、将所述片状坯体经过脱脂处理后，得到脱脂坯体；步骤S3、将所述脱脂坯体进行气压烧结，使α‑Si3N4在所述β‑Si3N4晶须的诱导下发生相变并促进β‑Si3N4晶粒的取向生长，制备得到β‑Si3N4棒状晶粒定向排列的氮化硅陶瓷基片。本发明解决了现有的氮化硅陶瓷基片中氮化硅棒状晶粒杂乱排布，导致氮化硅陶瓷基片材料的散热性能不佳的问题。
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公开(公告)号：CN113173790A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110613692.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/583 , C04B35/622 , B28B3/00 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种B4C‑TiB2/BN层状陶瓷材料及其制备方法，属于层状陶瓷材料制备技术领域。所述层状陶瓷材料由B4C‑TiB2层与BN层依次交替叠加而成，所述BN层位于两层所述B4C‑TiB2层之间。本发明以B4C‑TiB2层为基体层、BN层为弱界面层，通过弱界面层的裂纹偏转增韧、基体层的残余压应力增韧和微裂纹增韧等多种增韧方式，使得材料整体在保留较高强度的同时断裂韧性大大提高，具有较好的抗冲击性能。
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公开(公告)号：CN109437813B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811510762.0
申请日：2018-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B28/26 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/18 , C04B35/19 , C04B35/447
Abstract: 低温冷烧制备无机聚合物复合材料的方法及其陶瓷化应用，本发明涉及一种无机聚合物复合材料的制备方法及其应用，它为了解决现有无机聚合物的力学性能低和烧结温度高的问题。制备方法：一、将硅酸盐粉体、铝硅酸盐粉体以及第二相材料采用高能球磨工艺混合；二、无机聚合物复合材料干粉加入水和减水剂，机械搅拌均匀，获得塑性无机聚合物坯体；三、坯体加压保温成型，控制加压成型的压力为250～600Mpa；四、成型后的试样置于烘箱中固化，得到无机聚合物复合材料。无机聚合物复合材料在400～800℃温度下进行高温陶瓷化处理，得到陶瓷化产物。本发明制备的无机聚合物复合材料力学性能优良，且高温陶瓷化温度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146672A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911400526.8
申请日：2019-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 窄线宽的3μm～5μm中波红外固体激光器，它属于光学领域，解决现有3μm～5μm中波红外固体激光器输出光谱线宽较宽的问题。窄线宽的3μm～5μm中波红外固体激光器包括2.1μm半波片、中波半波片、偏振片、平凸透镜、反射镜、45°中波反射镜、BaGa4Se7晶体、45°中波滤光镜及ZnGeP2晶体；或窄线宽的3μm～5μm中波红外固体激光器包括2.1μm半波片、中波半波片、偏振片、平凸透镜、反射镜、BaGa4Se7晶体、45°中波滤光镜、ZnGeP2晶体、0°输入镜及0°输出镜。本发明用于窄线宽的3μm～5μm中波红外固体激光器。
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公开(公告)号：CN108503384B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810430212.1
申请日：2018-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/515 , C04B35/52 , C04B35/583 , C04B35/628 , C04B35/83
Abstract: 本发明提供一种碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，其方法在于，将硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉按摩尔比2:3:1加入高能球磨机中，在氩气保护下进行球磨，得到非晶硅硼碳氮粉末；将多壁碳纳米管用聚氮硅烷进行涂覆，烘干后在氩气保护下进行高温处理；将非晶硅硼碳氮粉末与碳化硅涂层改性多壁碳纳米管进行行星球磨得到分散均匀的混合粉体；将混合粉体进行放电等离子体烧结，得到碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料，且此材料由体积分数95‑99份硅硼碳氮非晶粉末和1‑5份碳化硅涂层改性多壁碳纳米管组成，与现有技术比较，本发明制备的材料具有很好的抗氧化能力以及很高的强度和断裂韧性。
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公开(公告)号：CN110483070A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910872252.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/628 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 本发明提供了一种短切SiC纤维的复合涂层、SiBCN陶瓷复合材料及制备方法，涉及陶瓷复合材料领域，短切SiC纤维的复合涂层的制备方法，包括以下步骤：SiC纤维预处理步骤：将SiC纤维进行热处理、分散酸洗和过滤干燥，从而得到预处理后的纤维；非晶C涂层的制备步骤：称取银粉，将所述银粉压制成银片，将所述银片放置具有双层结构的石墨坩埚内，并裁剪所需孔大小的石墨纸，用所述石墨纸将石墨坩埚的上下两层隔开，然后将SiC纤维放置在所述石墨纸中间；将装有所述银片、石墨纸和SiC纤维的石墨坩埚放置在热压炉中进行热处理，得到非晶C涂层改性的SiC纤维。本发明所述的短切SiC纤维的复合涂层的制备方法，周期短、产率高、安全环保，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110041078A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910351005.1
申请日：2019-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种耐烧蚀Si-B-C-N-Hf陶瓷材料的制备方法，本发明涉及陶瓷材料的制备方法。解决现有Si-B-C-N陶瓷材料存在耐热冲击性能及耐烧蚀性能差的问题。制备方法：一、制备高反应活性的HfB2粉体；二、制备Si2BC3N非晶粉体；三、制备SiBCNHf混合粉体，四、烧结，即完成一种耐烧蚀Si-B-C-N-Hf陶瓷材料的制备方法。本发明用于耐烧蚀Si-B-C-N-Hf陶瓷材料的制备。
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公开(公告)号：CN109896861A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910290717.7
申请日：2019-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 一种高纯度、小粒度硼化铪耐烧蚀粉体的制备方法，本发明涉及硼化铪耐烧蚀粉体的制备方法。解决传统HfB2粉末的制备方法存在产物中含有大量杂质，颗粒粗大，活性低的问题。制备方法：一、粉体的混合；二、机械合金化；三、取出，即完成一种高纯度、小粒度硼化铪耐烧蚀粉体的制备方法。本发明用于高纯度、小粒度硼化铪耐烧蚀粉体的制备。
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