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公开(公告)号：CN108015373B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711397764.9
申请日：2017-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种扩展服役工作温度范围的组合合金软钎焊焊接结构的制备方法，属于微连接技术领域。所述方法如下：步骤一：在导体金属上涂覆焊膏或放置焊片，根据不同的焊接结构，选择两种钎料合金同时焊接或者分步焊接；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成润湿和界面反应。本发明通过将在高温、低温下力学性能不同的钎料合金组合焊接，形成了可以同时承受低温、高温载荷的焊点结构，在成本低、与传统焊接工艺兼容性好的前提下实现了在极低和极高温度范围工作的电子互连焊点可靠性的提高。
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公开(公告)号：CN109545696A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811436197.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法，涉及微连接技术领域。包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、单相纳米合金颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明采用了单相纳米银铜合金颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成抗氧化能力、抗电迁移及抗电化学迁移能力强的优良接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温连接高温服役。
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公开(公告)号：CN107219123A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710420121.5
申请日：2017-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N3/08
CPC classification number: G01N3/08 , G01N2203/0017 , G01N2203/0067
Abstract: 一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置，属于键合强度测量领域。拉伸夹持棒一端与晶片存储槽外侧底面中部固接，晶片存储槽的槽侧壁的顶端设有一个直角横梁，直角横梁水平梁与晶片存储槽的槽侧壁的顶端连接为一体，直角横梁的竖直梁设置在晶片存储槽的槽口内。本发明通过对长方形晶片进行交叉十字键合，利用施加力的大小、施加力的位置、晶片的厚度、晶片的宽度以及晶片的抗拉强度之间存在确定的理论关系，寻找特定的施力位置和施力大小，根据施力大小和断裂位置计算键合强度的大小，若施加的拉力F≥σb·b2，且断裂位置为晶片或键合区域的边缘，则键合强度σ≥σb；若施加的拉力F＜σb·b2，且断裂位置为键合界面处，则键合强度σ＝F/b2。本发明用于测量晶片键合强度。
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公开(公告)号：CN106596581A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611016108.5
申请日：2016-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95
CPC classification number: G01N21/8422 , G01N21/95 , G01N2021/8438
Abstract: 本发明公开了一种测量表面形貌检测双层及多层薄膜层间内部缺陷的方法，属于微电子及微电子机械制造技术领域。为了解决现有薄膜器件、微电子、微电子机械等器件制备、检测过程中需要破坏性加工、费时长、成本高等的问题，本发明提供了一种测量表面形貌检测双层及多层薄膜层间内部缺陷的方法，利用老化、热循环或者机械循环前后薄膜表面由于内部缺陷出现造成的形貌变化的现象识别出缺陷的部位和尺寸。该方法具有快速、无损、实时、检测成本低的特点，将其应用于微电子、微电子机械等信息电子制造领域，可以使制造成本、测试成本大幅降低，质量得以提高，在这些领域以及类似结构的制造领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105977172A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610337329.6
申请日：2016-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/741
Abstract: 一种辅助手动晶圆键合装置，包括长直角弯头接头、晶圆槽A、晶圆槽B、定角度合页、缓冲块A、缓冲块B、直线轴承A、直线轴承B、直线轴承C、直线光轴A、直线光轴B、直线光轴C、弹簧A、弹簧B、弹簧C、直线轴承连接件和底座，长直角弯头接头较短一端与晶圆槽A中心通孔过盈配合，晶圆槽A通过定角度合页与直线轴承C固定连接，晶圆槽B通过三根直线光轴与底座固定连接，三根弹簧分别与三根直线光轴间隙配合且位于靠近底座一端；三根直线轴承分别与三根直线光轴过盈配合且分别与三根弹簧上端固定连接，缓冲块A、缓冲块B分别与直线轴承A、直线轴承B固定连接。本发明避免了双手与晶圆片的直接接触，改善了手动晶圆键合质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104741821A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510181770.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/14
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。
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公开(公告)号：CN104588905A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410696055.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/24 , B23K35/363 , B23K35/40
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/025 , B23K35/3613 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种Ag-Cu-Ti/Sn纳米颗粒焊膏及其制备方法，所述焊膏按照质量百分比由纳米颗粒固体成分80~90%、修饰剂10~20%制成，其中：修饰剂按照质量比由分散剂2~8、粘结剂2~8、稀释剂2~10、助焊剂2~10组成；纳米颗粒固体成分由A：Ag、B：Cu、C：Ti或Sn混合而成，Cu占纳米颗粒固体成分总质量的20~50%，Ti或Sn占纳米颗粒固体成分的0~20%。其制备步骤如下：步骤一、称取纳米颗粒固体成分；步骤二、依次加入修饰剂；步骤三、将上述体系在有机溶剂中均匀一致地混合，再将多于溶剂挥发出去，制成Ag-Cu-Ti/Sn纳米焊膏；步骤四、将制备得到的Ag-Cu-Ti/Sn纳米焊膏放入针管中密封保存。本发明具有任意成分配比可控、工艺简单、成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN102922071B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210411136.2
申请日：2012-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/24 , B23K35/363
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , H01L2924/203 , H01L2924/0002
Abstract: 一种采用纳米金属间化合物颗粒制备低温互连高温服役接头的方法，涉及一种电子器件的封装和组装互连方法。具体包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、纳米金属间化合物颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明应用了纳米级金属间化合物颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成性能优良的接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温键合高温服役。
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公开(公告)号：CN103839845A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410113951.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00
CPC classification number: H01L24/27 , B81C3/001 , H01L2224/27
Abstract: 本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜；二、在含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加一定压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头。本发明可以选择性快速加热待连接部位，对半导体器件的热影响小；可以在极短时间内形成接头，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102962466A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210499205.X
申请日：2012-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用激光制备纳米金属颗粒的方法，它涉及制备纳米金属颗粒的方法，本发明要解决现有制备纳米金属颗粒的方法中存在超细粉体污染、颗粒尺寸不易控制和纳米粒子重新团聚的问题。本发明中一种利用激光制备纳米金属颗粒的方法按以下步骤进行：一、采用溅射、蒸镀或化学气相沉积方法在透明基板表面制备一层金属薄膜；二、将附着金属薄膜的透明基板放置于惰性气体舱中，并充入惰性气体；三、启动激光器发出激光束透过惰性气体舱的上表面和透明基板照射到金属薄膜表面上进行扫描；四、金属薄膜受热蒸发变成气态纳米金属颗粒遇惰性液体后凝固成为固态纳米金属颗粒，完成制备过程。本发明可应用于纳米材料工程领域。
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