一种表面洁净的超薄Ag纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN108188386B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201711429619.4

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种表面洁净的超薄Ag纳米片及其制备方法,所述超薄Ag纳米片表面无表面活性剂。本发明的超薄Ag纳米片的制备方法是利用了Cu比Ag具有更高的金属活性,在空心Cu壳结构中,不添加任何表面活性剂,让Ag+离子在常温常压下置换出厚度在10‑20nm左右的超薄Ag片。所述超薄Ag纳米片不仅具有10‑20nm的超薄厚度,而且具有微米级的巨大表面,应用在电化学检测过氧化氢含量时,具有较高的检测极限、较高的检测灵敏度、较好的循环性能和稳定性能。

    一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法

    公开(公告)号:CN110010724A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910264296.0

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法,涉及太阳能电池薄膜材料制备领域,包括:称取BaZrO3粉末并硫化处理得到靶材A;将蓝宝石放入磁控溅射系统中镀钨得到衬底B;对靶材A和衬底B进行镀膜得到样品C;将样品C进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。本发明首先制备靶材和金属衬底,然后将制备的靶材和金属衬底放置在脉冲激光沉积设备中溅射镀膜得到样品,然后对样品进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料,填补了利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料的空白,对于利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料具有一定的指导意义。

    一种具有光磁效应的锰掺杂氧化钼纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109879319A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910060720.X

    申请日:2019-01-23

    Abstract: 本发明公开了具有光磁效应的锰掺杂氧化钼纳米材料的制备方法,涉及纳米材料制备领域,包括称取(NH4)6Mo7O24·4H2O倒入血清瓶,向其中加入去离子水充分搅拌均匀,再向溶液中加入C6H8O7·H2O并搅拌均匀得到溶液A;向溶液A中加入Mn(CH3COO)2并充分搅拌得到溶液B;转移溶液B至水热反应釜中加热一定时间后反应得到物质C;清洗物质C并进行热处理得到最终产物。本发明实施例制备的锰掺杂氧化钼复合材料的磁化强度较纯氧化钼颗粒显著提高,且在光辐射下该物质的磁化强度具有显著响应作用。在较低温下,光照作用会使纳米复合材料的磁化强度迅速降落并维持在特定大小,撤去光源后磁化强度又可立刻恢复至初始值。

    一种铂掺杂铁镓合金磁致伸缩材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109065702A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810641689.4

    申请日:2018-06-20

    CPC classification number: H01L41/20 C22C33/04 C22C38/002 C22C38/005 H01L41/47

    Abstract: 本发明公开了一种铂掺杂铁镓合金磁致伸缩材料及其制备方法,涉及磁致伸缩材料领域,该材料化学式为(Fe0.83Ga0.17)100‑xPtx,其中x的百分比为0~1.0;该材料的制备方法为:1、称取铁颗粒、块状镓、铂颗粒;2、将铁颗粒、块状镓、铂颗粒混合均匀放入非自耗真空电弧熔炼炉内的铜坩埚内,抽真空至5.0×10‑3Pa,充入高纯氩气至3.5×104Pa,在舱内温度升至1600~1800℃下反复熔炼原料4次,制成(Fe0.83Ga0.17)100‑xPtx合金磁致伸缩样品;3、将步骤2制得的样品进行均匀化处理或者定向凝固处理。本发明的磁致伸缩材料饱和磁化场具有明显优势,且塑性更好,脆性小。

    一种高长径比二氧化钼纳米管及其制备方法

    公开(公告)号:CN108585046A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810369837.1

    申请日:2018-04-23

    Abstract: 本发明涉及一种高长径比二氧化钼纳米管及其制备方法,所述方法包括如下步骤:步骤(1)以四水合七钼酸铵、一水合柠檬酸为原料制备混合溶液,以及步骤(2)水热反应得到高长径比二氧化钼纳米管。本发明的高长径比二氧化钼纳米管中的纳米管含量大于95%,单根纳米管直径为1-8nm,长度为2-7μm。本发明方法无毒无污染,环境友好且重复性强。

    一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN103789597A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201410022995.1

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 本发明公布了一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法,该形状记忆合金的化学式为Ni55-xCuxMn25Ga20(0≤x≤6);按照Ni55-xCuxMn25Ga20的化学计量比,将Ni、Cu、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中,并抽真空再充入氩气在110A下熔炼得到铸锭,并将铸锭反复熔炼后经高温固溶处理后淬火至室温,得到高阻尼形状记忆合金。对Ni55-xCuxMn25Ga20形状记忆合金体系的阻尼测试表明,这些样品具有高阻尼峰,阻尼峰值Q-1均大于0.03,最大峰值达到0.0771。阻尼峰的温度范围很宽,可达到200K-430K,完全覆盖环境温区,且阻尼峰不随频率变化、稳定性高,具有实际应用价值。

    一种单晶BaTiO3的制备方法
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113186593B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202110288424.2

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种单晶BaTiO3的制备方法,涉及铁电陶瓷制备技术领域,包括以下步骤:S100、将BaTiO3和TiO2粉末一次研磨后预烧,二次研磨、造粒得到粒料;S200、将所述粒料压片成型、烧结成料棒;S300、将所述料棒进行单晶生长得到样品;S400、将所述样品二次烧结。本发明为制备单晶BaTiO3的制备方法提供了一种参考。

    一种用于构建RFe2型磁致伸缩材料机器学习数据库的方法

    公开(公告)号:CN118899048A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202411007435.9

    申请日:2024-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种构建磁致伸缩材料的机器学习数据库的方法,包括:获取磁致伸缩材料的化合物成分的含量及化合物成分对应的磁致伸缩值;获取磁致伸缩材料中包含的化合物成分中各元素的物理参量性能数据;基于化合物成分的含量以及物理参量性能数据构建所述化合物成分与对应物理参量性能数据的关联关系,并据此计算所述磁致伸缩材料的物理参量性能;将化合物成分和物理参量性能作为特征算符,磁致伸缩值作为目标算符,构建机器学习数据库。

    一种具有高首圈库仑效率的自支撑储钠负极材料制备方法

    公开(公告)号:CN118431417A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410532081.3

    申请日:2024-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种具有高首圈库仑效率的自支撑储钠负极材料制备方法。首先通过氧化过程在铜箔表面原位制备具有花状形貌的氧化铜,然后对生成的氧化铜进行硒化处理,通过控制硒化时间实现铜箔表面原位生长氧掺杂花状硒化亚铜的自支撑钠离子电池负极材料。自支撑负极材料具有与集流体之间的强粘结力,可抑制负极材料在循环过程中从集流体上粉化脱落。由于没有粘结剂和导电添加剂的添加,在首次充放电过程中,减少副反应对钠离子的消耗极大地提高了电池的首次库伦效率。氧掺杂还为材料提供了大量的缺陷和活性位点,在缩短钠离子传输距离的同时为钠离子存储提供了更多空间,增强材料的扩散动力学和储钠容量。本发明操作简单、绿色环保、可大批量生产。

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