公开(公告)号：CN103247537B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310047484.0

申请日：2013-02-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡明 ,  郭德超 ,  C-C·叶

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及制造鳍片器件的方法和鳍片器件。一种制造鳍片FET器件的方法，包括以下步骤。在晶片中构图多个鳍片。形成虚拟栅极以覆盖鳍片作为沟道区的部分。在虚拟栅极的相对侧上形成间隔物。去除虚拟栅极，因此形成位于间隔物之间的暴露器件的沟道区中的鳍片的沟槽。将氮化物材料沉积在沟槽中，以便覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁。对晶片进行退火，在氮化物材料中诱导应变，由此形成应力氮化物膜，该膜覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁并诱导应变。去除应力氮化物膜。形成替代栅极覆盖器件的沟道区中的鳍片。

公开(公告)号：CN102893375B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180023957.2

申请日：2011-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  P·欧尔迪吉斯 ,  T-C·陈 ,  王岩峰

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种用于场效应晶体管（FET）器件的栅极叠层结构，包括：富氮的第一电介质层，其形成在半导体衬底表面之上；贫氮且富氧的第二电介质层，其形成在所述富氮的第一电介质层上，所述第一电介质层和所述第二电介质层共同形成双层界面层；高k电介质层，其形成在所述双层界面层之上；金属栅极导体层，其形成在所述高k电介质层之上；以及功函数调整掺杂剂物质，其扩散在所述高k电介质层和所述贫氮且富氧的第二电介质层内，且其中所述富氮的第一电介质层用来使所述功函数调整掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分隔。

公开(公告)号：CN104350597A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280061803.7

申请日：2012-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  E·W·基维拉 ,  徐崑庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

Abstract: 本发明提供了在相同的CMOS电路中使用不同沟道材料的技术。在一个方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。提供具有在绝缘体上的第一半导体层的晶片。STI被用于将第一半导体层划分为第一有源区和第二有源区域。凹陷在所述第一有源区中的第一半导体层。在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中所述第二半导体层包括具有至少一种Ⅲ族元素和至少一种Ⅴ族元素的材料。使用所述第二半导体层作为用于n-FET的沟道材料在所述第一有源区中形成所述n-FET。使用所述第一半导体层作为p-FET的沟道材料在所述第二有源区中形成所述p-FET。

公开(公告)号：CN103930998A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280052232.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·J·布洛茨基 ,  蔡明 ,  郭德超 ,  W·K·汉森 ,  S·纳拉辛哈 ,  梁玥 ,  宋丽阳 ,  王延锋 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66803

Abstract: 一种结构包括：衬底；在衬底上设置的晶体管，该晶体管包括由用碳注入的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，覆盖鳍片的限定晶体管的沟道的部分。在该结构中，选择在鳍片中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。还公开了制备鳍片FET晶体管的方法。同样公开了具有碳注入的阱的平面晶体管，其中选择在阱中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。

公开(公告)号：CN103890905A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051237.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂尔 ,  B·J·格里尼 ,  郭德超 ,  王淦 ,  王延锋 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/28017 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。

公开(公告)号：CN103348481A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280006806.0

申请日：2012-01-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  卜惠明 ,  郭德超 ,  W·E·亨施 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。

公开(公告)号：CN102822976A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016073.4

申请日：2011-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  W·E·亨施 ,  X·王 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种形成场效应晶体管的方法，所述方法包含：形成栅极叠层、邻近所述栅极叠层的相对侧面的间隔物、在所述间隔物的相对侧面上的硅化物源极区域和硅化物漏极区域，在所述源极区域和所述漏极区域上外延生长硅；在所述栅极叠层和所述间隔物上形成衬里层，去除所述衬里层的一部分以暴露所述硬掩模层的一部分，去除所述硬掩模层的暴露部分以暴露所述栅极叠层的硅层，去除暴露的硅以暴露所述栅极叠层的金属层的一部分、所述源极区域以及所述漏极区域；以及在所述栅极叠层的所述金属层上、所述硅化物源极区域和所述硅化物漏极区域上沉积导电材料。