掺杂剂源及其制造方法
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101636819B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200880008599.6

    申请日:2008-10-28

    CPC classification number: H01L21/2225

    Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源,并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20~50摩尔%、Al2O3为30~60摩尔%(其中不包括30摩尔%)、B2O3为10~40摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,或者,该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成,该硼成分挥发层含有SiO2为30~60摩尔%、Al2O3为10~30摩尔%、B2O3为15~50摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,该耐热层含有SiO2为8~30摩尔%、Al2O3为50~85摩尔%、B2O3为5~20摩尔%、RO(R是碱土金属)为0.5~7摩尔%的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括:使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序;使得到的浆料成型,得到生片的工序;和对生片进行烧结的工序。

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