公开(公告)号：CN1836341A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023312.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 四桥聪史 ,  菅野勉 ,  足立秀明 ,  小田川明弘 ,  杉田康成

IPC: H01L37/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供一种具有高热电转换性能的热电转换装置。在该装置中，电极的配置与根据以往的技术常识的配置不同，配置成使电流沿层状物质的层间方向流动。在基于本发明的热电转换装置中，热电转换膜是通过外延生长获得的膜，并且电气传导层与电气绝缘层交替配置，电气传导层具有过渡金属原子(M)位于中心、同时氧原子位于顶点的八面体晶体结构，电气绝缘层由金属元素或结晶性金属氧化物构成。而且，由电气传导层和电气绝缘层构成的层状物质的c轴与基体的面内方向平行，一对电极配置成使电流沿c轴流动。

公开(公告)号：CN1780933A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011313.1

申请日：2004-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 四桥聪史 ,  足立秀明 ,  杉田康成 ,  菅野勉

IPC: C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  Y10S117/915

Abstract: 在热电转换元件等功能元件中，有适合外延生长的基体与使用时期望的基体并不一致的情况。本发明中，通过水蒸气的作用，使得基体上形成的规定的层状结构与基体分离。本发明的结晶膜的制造方法包含：在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长，使得所述层状结构与所述基体相接的工序；在腔室内，使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序；和通过分离所述层状结构和所述基体，得到所述结晶膜的工序。其中所述层状结构包含含有碱金属的层、和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。