-
公开(公告)号：CN102077348A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001974.1
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置。该非易失性存储装置即使在某个非易失性存储元件产生不良的情况下，也能够有效防止对于与不良的非易失性存储元件同一行或同一列的其他非易失性存储元件无法进行写入、读出。该非易失性存储元件，包括：具有非线性的电流-电压特性的电流控制元件(112)；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和电阻值比低电阻状态高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件(105)；和熔断器(103)。电流控制元件(112)、电阻变化元件(105)和熔断器(103)串联连接。熔断器(103)在电流控制元件(112)实质上成为短路状态时断开。
-
公开(公告)号：CN102017145A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
-
公开(公告)号：CN101542730B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供具有高速且可逆的稳定的改写特性、良好的电阻值的保持特性并用于信息家电等电子设备的非易失性存储元件及其制造方法，以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
-
公开(公告)号：CN101978496A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980100360.6
申请日：2009-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(108)；和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间，电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107)，该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以HfOx(其中，0.9≤x≤1.6)表示的组成，该第二含铪层具有以HfOy(其中，1.8＜y＜2.0)表示的组成。
-
公开(公告)号：CN101946285A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105354.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种非易失性存储装置(100)，可以实现稳定的动作，具备电阻变化元件。非易失性存储装置(100)具备：存储单元(M111、M112、…)，对应于多条字线(WL0、WL1、…)与多条位线(BL0、BL1、…)之间的立体交叉点来设置，根据电信号使电阻值可逆地变化；行选择电路·驱动器(103)，具备对字线(WL0、WL1、…)施加指定电压的晶体管(103a)；列选择电路·驱动器(104)，具备对位线(BL0、BL1、…)施加指定的电压的晶体管(104a)；基板偏压电路(110)，对这些晶体管(103a、104a)的基板按正向施加偏压电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101501850B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200780029607.0
申请日：2007-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(20)包括：在衬底(10)之上形成的、可变电阻膜(11)被下部电极(12)和上部电极(13)所夹的电阻变化元件(14)；和与该电阻变化元件(14)在层叠方向上串联连接、绝缘层(15)或者半导体层(15)被下部的第一电极(16)和上部的第二电极(17)所夹的二极管(18)而构成。并且，可变电阻膜(11)被埋入在下部电极(12)上形成的第一接触孔(21)。并且，呈二极管(18)的绝缘层(15)或者半导体层(15)与第一电极(16)接触的第一面积(22)比可变电阻膜(11)与上部电极(13)接触的第二面积(23)和可变电阻膜(11)与下部电极(12)接触的第三面积(24)的至少一方大的结构。
-
公开(公告)号：CN101496173B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780028452.9
申请日：2007-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性存储装置(25)包括：半导体基板(11)；在半导体基板(11)上形成的下层配线(12)；在下层配线(12)的上方以与该下层配线(12)交叉的方式形成的上层配线(20)；在下层配线(12)和上层配线(20)之间设置的层间绝缘膜(13)；和被埋入形成于层间绝缘膜(13)的接触孔(14)中，与下层配线(12)和上层配线(20)电连接的电阻变化层(15)；上层配线(20)具备至少两层：由具有氢阻挡性的导电性材料构成的最下层(21)、和比该最下层比电阻小的导电体层(22)。
-
公开(公告)号：CN101836296A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将成为漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)，使得在使电阻变化层(309b)成为高电阻的极性的电压信号被施加到晶体管(317)和电阻变化元件(309)的时候，在晶体管(317)不发生基板偏置效果。
-
公开(公告)号：CN101689548A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
-
公开(公告)号：CN101636840A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaO x 的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.045 seconds)
