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公开(公告)号：CN1811603B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200610006126.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。
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公开(公告)号：CN100582941C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610072041.7
申请日：2003-01-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。
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公开(公告)号：CN100524032C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510066018.2
申请日：2005-04-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70341 , G03F7/70433 , G03F7/70441
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成于光掩模上的掩模图形的描绘图形的形成方法，以便针对形成抗蚀剂膜的局部的区域液膜，进行曝光的液浸曝光，提高所形成的抗蚀剂图形的精度。求出上述单位曝光区域的抗蚀剂膜和液膜的接触履历值的代表性的分布(步骤ST12)。将与第1图形数据相对应的图形划分为与上述接触履历值的代表性的分布相对应的多个区域(步骤ST19)。根据与上述接触履历值相对应的规则，对已划分的各区域中包括的图形进行处理(步骤ST20)。
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公开(公告)号：CN100385610C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200310100255.7
申请日：2003-10-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1963995A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610162953.3
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/321 , G03F7/00 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其特征在于具有：向基板上供给含有溶剂的涂敷膜形成用药液以在上述基板主面上形成液膜的工序；采用除去含于液膜中的溶剂的一部分的办法形成被加工膜的工序；向上述被加工膜的加工区域选择照射加工光以选择除去上述被加工膜的工序；在照射上述加工光后，进行几乎完全除去含于被加工膜中的溶剂的真正意义的加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN1892422A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094228.7
申请日：2006-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/00 , G02F1/1333
CPC classification number: G01N15/14 , G01N2015/1493
Abstract: 本发明提供一种药液认定方法。该药液的认定方法包括以下步骤：(a)按照颗粒的每种尺寸，求出药液中的颗粒数量；(b)按照上述颗粒的每种尺寸，预测上述药液对使用该药液制造的被制造器件产生的影响；和(c)使用上述(a)的结果和上述(b)的结果，求出上述药液对上述被制造器件产生的影响度，根据该求出的结果评价上述药液的品质，根据该评价结果判断上述药液是否合格，根据该判断结果，把上述药液认定为在上述被制造器件的制造工序中使用的药液。
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公开(公告)号：CN1286146C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02119009.7
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70633 , B23K26/04 , B23K26/042 , B23K2101/40 , G03F9/7076 , Y10S430/146 , Y10T29/413
Abstract: 一种激光加工装置，其特征在于包括：发出选择地去除在被加工衬底上形成的膜的一部分的激光的激光振荡器；将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的激光扫描照射系统；以及使从上述激光振荡器发出的激光仅对上述被加工衬底的必须去除的区域的膜垂直入射的入射装置。
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公开(公告)号：CN1825207A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610072041.7
申请日：2003-01-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m· sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。
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公开(公告)号：CN1220245C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN02103561.X
申请日：2002-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种图形形成方法，包含前处理工序、显影工序、及清洗工序；在该前处理工序中，将具有氧化作用的氧化性液体涂覆到曝光后的感光性抗蚀剂膜(301a、b)的表面，由该氧化性液体氧化该抗蚀剂膜的表面，形成氧化层(310)；在该显影工序中，向氧化了表面的上述感光性抗蚀剂膜供给显影液(302)，进行该抗蚀剂膜的显影；在该清洗工序中，向上述被处理基板的表面供给清洗液，对该基板进行清洗。这样，可抑制形成于抗蚀剂的图形的基板整个区域和微小区域的尺寸差，减少在显影工序中产生的缺陷。
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