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公开(公告)号:CN106164775B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201480077541.2
申请日:2014-12-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: H·J·H·斯米尔蒂 , B·O·夫艾格金格奥尔 , D·哈诺坦耶 , P·沃纳尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70625 , G01B9/04 , G01B2210/56 , G01N2021/8822 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F9/7092
Abstract: 在使用小目标的暗场量测方法中,使用单一衍射级获得的目标的图像的特性通过将组合拟合函数拟合至所测量的图像而被确定。组合拟合函数包括被选择用于表示物理传感器和目标的各个方面的项。基于测量过程和/或目标的参数确定组合拟合函数的一些系数。在一实施例中,组合拟合函数包括表示成像系统中的光瞳光阑的点扩展函数的jinc函数。
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公开(公告)号:CN109683449A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811199388.7
申请日:2018-10-16
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 村山元气
CPC classification number: G06T7/0004 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F9/7092 , G06T5/002 , G06T5/20 , G06T7/73 , G06T2207/30148 , G06T2207/30204 , G03F9/7088 , G03F7/7085
Abstract: 本发明公开了评价方法、确定方法、光刻装置和非暂时性计算机可读存储介质。本发明提供评价形成在基板上的标记的位置的测量条件的评价方法,所述方法包括:通过在测量条件下检测来自所述标记的反射光来获得表示所述反射光的强度分布的标记信号;通过改变所述获得中获得的所述标记信号中包括的第一频率的第一信号成分来从所述标记信号产生多个信号;以及从所述产生中获得的所述多个信号中的每一个估计所述标记的位置,并且获得所述标记的估计位置的变化作为所述测量条件的评价指标。
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公开(公告)号:CN109062000A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201811014505.8
申请日:2018-08-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G03F1/42 , G03F7/70433 , G03F7/70633 , G03F9/7003
Abstract: 一种掩模工艺和掩模板组。该掩模工艺包括:将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位;利用第一掩模板在待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案;利用图像传感器和第一套刻补正图案进行补正;将第二掩模板与机台对位;利用第二掩模板在待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案;以及利用图像传感器和第二套刻补正图案进行补正。该掩模工艺不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位,从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产,并可降低成本。
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公开(公告)号:CN108369916A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201680071010.1
申请日:2016-11-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 德莫特·坎特维尔 , 赛斯恩德拉·甘塔萨拉
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 一种用于晶片逐点分析的方法,包括以下步骤:接收第一工艺配方的第一配方参数、第二工艺配方的第二配方参数,使用第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量和使用第二工艺配方来处理的第二晶片上的多个位置的第二多个测量。使用用于多个配方参数第一值与第二值和第一多个测量与第二多个测量来运算多个灵敏度值,多个灵敏度值中的每一个对应于多个位置中的一个并且表示多个配方参数中的一个的灵敏度。接着提供晶片的图形表示,图形表示显示多个位置的第一多个灵敏度值的至少子组。
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公开(公告)号:CN108027320A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680051708.7
申请日:2016-08-18
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G01B11/272 , G01B9/0201 , G01N21/4788 , G03F7/70633
Abstract: 本发明提供计量测量方法及工具,其由固定的照明源照明固定的衍射目标;测量由零阶衍射信号及一阶衍射信号的总和组成的信号;维持所述衍射目标及所述照明源固定的同时,针对所述零与所述第一衍射信号之间的多个关系重复所述测量;及从所述测量总和导出所述一阶衍射信号。照明可为相干的且可在光瞳平面中测量,或照明可为不相干的且可在场平面中测量,在任一情况下,测量所述零与所述一衍射阶的部分重叠。照明可为环形且所述衍射目标可为带有具有不同节距以分离所述重叠区域的周期性结构的单个单元SCOL目标。
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公开(公告)号:CN107861340A
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201711394225.X
申请日:2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/70616 , G03F9/7088
Abstract: 本发明公开一种用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法。用于多层套刻精度测量的标记系统包括至少两个以上的套刻标记,各套刻标记均表征不同的光刻层,且所述各套刻标记之间的相对位置已知。用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,包括,步骤S1:在光刻版图中设置标记系统,并通过光刻工艺将套刻标记转移至晶圆上;步骤S2:量测机台在套刻标记所在的焦平面对套刻标记拍照获得图像信息,并对图像信息处理,测得图像中两两图形之间的相对偏移值,即为套刻精度值。本发明标记系统不仅具有良好的可扩展性,而且可实现同步量测多层套刻精度,提高生产效率,节约成本。
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公开(公告)号:CN103930749B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201280056445.0
申请日:2012-10-11
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01B11/04
CPC classification number: G01N21/211 , G01B11/0616 , G01N21/4738 , G01N21/55 , G01N2021/213 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 本发明可包含:可调制照射源,其经配置以照射安置于样本载台上的样本的表面;检测器,其经配置以检测从所述样本的表面发出的照射;照射光学器件,其经配置以将来自所述可调制照射源的照射引导到所述样本的所述表面;收集光学器件,其经配置以将来自所述样本的所述表面的照射引导到所述检测器;及调制控制系统,其通信地耦合到所述可调制照射源,其中所述调制控制系统经配置而以适于产生具有选定相干特征长度的照射的选定调制频率调制所述可调制照射源的驱动电流。另外,本发明包含多个光源的输出的时间循序交错以产生供在多波长时间循序光学计量中使用的周期性脉冲串。
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公开(公告)号:CN105814491B
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:CN201480067198.3
申请日:2014-10-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: S·G·J·玛斯吉森 , 斯蒂芬·亨斯克 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/213 , G03F7/22 , G03F7/70466 , G03F7/70616 , G03F7/70633
Abstract: 一种用于光刻中的检查设备被披露。其包括用于衬底的支撑件,所述支撑件承载多个量测目标;光学系统,用于在预定照射条件下照射目标并且用于检测在所述照射条件下由目标衍射的辐射的预定部分;处理器,所述处理器布置成用来从衍射辐射的所述检测部分计算出对于特定目标的不对称度的测量;以及控制器,用于使所述光学系统和处理器测量出所述目标中至少两个目标的不对称度,所述至少两个目标具有在衬底上的一层内的结构与更小子结构之间的位置偏置的不同的已知分量;并且使所述光学系统和处理器从所述不对称度测量的结果计算出对于所述更小尺寸的结构的光刻过程的性能参数的测量。还披露了具备由光刻过程所形成的多个新型量测目标的衬底。
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公开(公告)号:CN107329373A
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201610284257.3
申请日:2016-04-29
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/7005
Abstract: 本发明涉及一种套刻误差测量装置及方法,该装置包括光源,用于产生2种或2种以上波长的多色光;照明单元,用于提供照明光照射标记,并将光源发出的光在镜头的瞳面形成特定的照明分布形式;镜头,将照明单元出射的光汇聚至硅片的套刻测量标记上,并接收所述套刻测量标记的衍射光;分光单元,将所述照明单元的光引入镜头,并将镜头收集的硅片衍射光引向探测单元;基底单元,具有套刻测量标记;探测单元,用于探测镜头瞳面的角谱信号;以及处理单元,用于接收探测单元获取的测量信号并进行处理,计算套刻误差。本发明可同时使用多波长测量,增加有效信号,提高测量重复性;且无需扩大探测器面积或减小单个角谱成像区域以获得多个波长的角谱图像。
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公开(公告)号:CN107111870A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580057887.0
申请日:2015-10-27
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G06T7/00
CPC classification number: G01B11/00 , G03F7/70633 , G06T7/0002 , G06T2207/20056 , G06T2207/30168
Abstract: 本发明提供方法,所述方法通过以下操作估计计量目标的质量:计算从关于所述目标的周期性结构的周期性对经测量的核心应用傅里叶滤波器导出的其ROI核心的噪声度量;及使用所述计算得到的噪声度量指示所述目标质量。可关于所述周期性结构的垂直片段的周期性对所述经测量的核心垂直地应用额外傅里叶滤波器,且所述(2D)噪声度量可通过应用两个傅里叶滤波而导出。可在统计上分析所述经估计的噪声以提供关于所述目标的各种类型的信息。
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