掩模工艺和掩模板组
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109062000A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201811014505.8

    申请日:2018-08-31

    Inventor: 刘志恒 董皓

    CPC classification number: G03F1/42 G03F7/70433 G03F7/70633 G03F9/7003

    Abstract: 一种掩模工艺和掩模板组。该掩模工艺包括:将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位;利用第一掩模板在待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案;利用图像传感器和第一套刻补正图案进行补正;将第二掩模板与机台对位;利用第二掩模板在待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案;以及利用图像传感器和第二套刻补正图案进行补正。该掩模工艺不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位,从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产,并可降低成本。

    晶片逐点分析和数据呈现
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108369916A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680071010.1

    申请日:2016-11-09

    CPC classification number: G06F17/5081 G03F7/705 G03F7/70625 G03F7/70633

    Abstract: 一种用于晶片逐点分析的方法,包括以下步骤:接收第一工艺配方的第一配方参数、第二工艺配方的第二配方参数,使用第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量和使用第二工艺配方来处理的第二晶片上的多个位置的第二多个测量。使用用于多个配方参数第一值与第二值和第一多个测量与第二多个测量来运算多个灵敏度值,多个灵敏度值中的每一个对应于多个位置中的一个并且表示多个配方参数中的一个的灵敏度。接着提供晶片的图形表示,图形表示显示多个位置的第一多个灵敏度值的至少子组。

    用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法

    公开(公告)号:CN107861340A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711394225.X

    申请日:2017-12-21

    Inventor: 赵彬 王剑 戴韫青

    CPC classification number: G03F7/70633 G03F7/70616 G03F9/7088

    Abstract: 本发明公开一种用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法。用于多层套刻精度测量的标记系统包括至少两个以上的套刻标记,各套刻标记均表征不同的光刻层,且所述各套刻标记之间的相对位置已知。用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,包括,步骤S1:在光刻版图中设置标记系统,并通过光刻工艺将套刻标记转移至晶圆上;步骤S2:量测机台在套刻标记所在的焦平面对套刻标记拍照获得图像信息,并对图像信息处理,测得图像中两两图形之间的相对偏移值,即为套刻精度值。本发明标记系统不仅具有良好的可扩展性,而且可实现同步量测多层套刻精度,提高生产效率,节约成本。

    检查设备和方法、具有量测目标的衬底、光刻系统和器件制造方法

    公开(公告)号:CN105814491B

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201480067198.3

    申请日:2014-10-13

    Abstract: 一种用于光刻中的检查设备被披露。其包括用于衬底的支撑件,所述支撑件承载多个量测目标;光学系统,用于在预定照射条件下照射目标并且用于检测在所述照射条件下由目标衍射的辐射的预定部分;处理器,所述处理器布置成用来从衍射辐射的所述检测部分计算出对于特定目标的不对称度的测量;以及控制器,用于使所述光学系统和处理器测量出所述目标中至少两个目标的不对称度,所述至少两个目标具有在衬底上的一层内的结构与更小子结构之间的位置偏置的不同的已知分量;并且使所述光学系统和处理器从所述不对称度测量的结果计算出对于所述更小尺寸的结构的光刻过程的性能参数的测量。还披露了具备由光刻过程所形成的多个新型量测目标的衬底。

    一种套刻误差测量装置及方法

    公开(公告)号:CN107329373A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201610284257.3

    申请日:2016-04-29

    CPC classification number: G03F7/70633 G03F7/7005

    Abstract: 本发明涉及一种套刻误差测量装置及方法,该装置包括光源,用于产生2种或2种以上波长的多色光;照明单元,用于提供照明光照射标记,并将光源发出的光在镜头的瞳面形成特定的照明分布形式;镜头,将照明单元出射的光汇聚至硅片的套刻测量标记上,并接收所述套刻测量标记的衍射光;分光单元,将所述照明单元的光引入镜头,并将镜头收集的硅片衍射光引向探测单元;基底单元,具有套刻测量标记;探测单元,用于探测镜头瞳面的角谱信号;以及处理单元,用于接收探测单元获取的测量信号并进行处理,计算套刻误差。本发明可同时使用多波长测量,增加有效信号,提高测量重复性;且无需扩大探测器面积或减小单个角谱成像区域以获得多个波长的角谱图像。

    对计量目标成像的质量估计及改进

    公开(公告)号:CN107111870A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580057887.0

    申请日:2015-10-27

    Abstract: 本发明提供方法,所述方法通过以下操作估计计量目标的质量:计算从关于所述目标的周期性结构的周期性对经测量的核心应用傅里叶滤波器导出的其ROI核心的噪声度量;及使用所述计算得到的噪声度量指示所述目标质量。可关于所述周期性结构的垂直片段的周期性对所述经测量的核心垂直地应用额外傅里叶滤波器,且所述(2D)噪声度量可通过应用两个傅里叶滤波而导出。可在统计上分析所述经估计的噪声以提供关于所述目标的各种类型的信息。

Patent Agency Ranking