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公开(公告)号：CN118450710A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410084188.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够一次读出多位数据的存储装置及电子设备。该存储装置包括第一层及位于第一层的上方或下方的第二层。第一层包括第一晶体管及第一电容元件，第二层包括第二晶体管及第二电容元件。此外，第一、第二电容元件都为沟槽型电容元件，第二电容元件的沟槽的长度比第一电容元件的沟槽的长度长。此外，第一晶体管的第一端子与第一电容元件电连接，第二晶体管的第一端子与第二电容元件电连接。此外，第一晶体管的第二端子与布线电连接，第二晶体管的第二端子与布线电连接。另外，保持在第一电容元件中的电压对应于数据的低位的信号，保持在第二电容元件中的电压对应于数据的高位的信号。
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公开(公告)号：CN118235194A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074661.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G5/00 , G09G5/10 , G09G5/37 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H05B33/02 , H05B33/14 , H10K59/12
Abstract: 提供一种新颖结构的电子设备。该电子设备包括显示装置、运算部及视线检测部。显示装置包括被分割成多个副显示部的显示部、多个栅极驱动电路及多个源极驱动电路。栅极驱动电路中的一个及源极驱动电路中的一个与副显示部中的一个电连接。多个副显示部的每一个包括多个像素电路及多个发光元件。视线检测部具有检测用户的视线的功能。运算部具有使用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配为第一区域或第二区域的功能。包括在第二区域中的栅极驱动电路输出将1帧期间中的发光元件的点亮期间设为第一期间的选择信号，包括在第一区域中的栅极驱动电路输出将1帧期间中的发光元件的点亮期间设为第二期间的选择信号，第一期间比第二期间短。
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公开(公告)号：CN117355943A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280037153.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一衬底、以与第二衬底接触的方式设置的第一元件层以及设置在第二衬底及第一元件层中的第一穿孔电极。第一元件层包括第一存储单元、第一电极、第二电极及第三电极。第一存储单元包括第一晶体管。第一晶体管包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。第一电极通过第二电极与第三电极电连接。第三电极以在第一元件层的表面露出的方式设置。第一穿孔电极以在第二衬底的表面露出的方式设置且与第一电极电连接。第二衬底及第一元件层层叠设置在相对于第一衬底的表面的垂直方向或大致垂直方向上。第一晶体管设置在与第一穿孔电极重叠的区域中。
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公开(公告)号：CN117321761A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034038.3
申请日：2022-04-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/065 , H10B80/00
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：设置有具有驱动第一存储单元的功能的第一外围电路的第一衬底；以及包括第二衬底及具有第一存储单元的第一元件层的第一存储单元层。第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器。第一晶体管包括沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。第一存储单元层在垂直或大致垂直于第一衬底的表面的方向上层叠设置于第一衬底上。第二衬底包括用来进行第一存储单元中的数据写入或读出的电路。第一外围电路与第一存储单元通过设置在第二衬底及第一元件层中的第一贯通电极电连接。
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公开(公告)号：CN116997950A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021797.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种使驱动电路具有冗余性的显示装置。本发明是包括第一层以及位于第一层上方的第二层的显示装置，第一层包括第一驱动电路以及第二驱动电路，第二层具有第一像素区域以及第二像素区域。第一像素区域包括第一像素电路，第二像素区域包括第二像素电路。第一像素区域具有与第一电路重叠的区域，第二像素区域具有与第二电路重叠的区域。第一像素电路通过第一布线与第一驱动电路电连接，第二像素电路通过第二布线与第二驱动电路电连接，第一布线通过开关与第二布线电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115735208A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046426.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。第一存储电路部包括保持多个第一权重数据的第一存储电路。第二存储电路部包括保持多个第二权重数据的第二存储电路。第一运算电路部包括第一运算电路、第一切换电路及第三切换电路。第二运算电路部包括第二运算电路、第二切换电路及第四切换电路。第一切换电路具有将多个第一权重数据中的任一个供应到第一布线的功能。第二切换电路具有将多个第二权重数据中的任一个供应到第二布线的功能。第三切换电路具有将供应到第一布线的第一权重数据和供应到第二布线的第二权重数据中的任一个供应到第一运算电路的功能。第四切换电路具有将供应到第一布线的第一权重数据和供应到第二布线的第二权重数据中的任一个供应到第二运算电路的功能。
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公开(公告)号：CN108475493B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201680076441.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G09G3/20 , G09G3/30 , G09G3/36 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786 , H04N19/61
Abstract: 本发明提供一种功耗小的半导体装置。该半导体装置包括译码器、信号生成电路及显示装置。上述译码器包括解析电路及运算电路。上述解析电路具有利用所接收的数据判定是否进行所接收的第一图像数据的译码的功能。上述信号生成电路具有根据上述解析电路的判定而生成包括有关是否进行上述第一图像数据的译码的指令的信号的功能。上述运算电路具有根据上述信号进行上述第一图像数据的译码的功能。上述显示装置具有在上述运算电路中不进行上述第一图像数据的译码的情况下保持显示在上述显示装置上的第二图像的功能。
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公开(公告)号：CN113302778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080009103.8
申请日：2020-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/42 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H02J7/02 , H02J7/10 , G01R31/36
Abstract: 提供一种新颖结构的电池控制电路、新颖结构的电池保护电路以及包括该电池电路的蓄电装置。本发明提供一种半导体装置，在分别对应于一个二次电池的n组的单元平衡电路中，包括晶体管、比较电路、电容器，在n组的单元平衡电路的每一个中，电连接晶体管的源极和漏极中的一个与比较电路的反相输入端子及电容器的一个电极，对电容器的另一个电极供应接地电位，晶体管成为开启状态，对电容器的一个电极供应第一电位，晶体管成为关闭状态，电连接电容器的另一个电极与对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的负极，对电容器的一个电极供应第一电位与对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的负极的电位之和，以控制对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的充电。
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公开(公告)号：CN111727501A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980014002.7
申请日：2019-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , G11C11/4097 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。具有多个存储单元的第一单元阵列和具有多个存储单元的第二单元阵列设置为彼此重叠。包括在第一位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。包括在第二位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。在第一单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之一具有与部分第一位线对重叠的区域，在第二单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之另一具有与部分第一位线对重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119451084A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410952407.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B10/00
Abstract: 提供一种新颖结构的存储装置。第一晶体管包括第一氧化物半导体层、第一至第四导电层及第一、第二绝缘层。第二晶体管包括第二氧化物半导体层、第一、第五、第六、第七导电层及第三、第四绝缘层。第一氧化物半导体层在从平面看时具有隔着第一绝缘层与第一导电层相对的区域及隔着第二绝缘层与第二导电层相对的区域。第二氧化物半导体层在从平面看时具有隔着第三绝缘层与第五导电层相对的区域及隔着第四绝缘层与第六导电层相对的区域。第一氧化物半导体层以与第三、第四导电层接触的方式设置。第二氧化物半导体层以与第一、第七导电层接触的方式设置。第三导电层在从截面看时具有与第一、第二、第四、第五、第六及第七导电层重叠的区域。
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