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公开(公告)号：CN113167821B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201980077052.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R19/165 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , G01R31/36 , H02J7/00 , G01R31/50
Abstract: 提供一种能够检测出二次电池的微短路的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器、晶体管、电容器及比较器。半导体装置被供应二次电池的负极电位及正极电位，第一源极跟随器被输入第一电位，第二源极跟随器被输入第二电位。晶体管的栅极被输入控制晶体管的导通状态的信号，进行与二次电池的正极‑负极间的电位关联的第一源极跟随器的输出电位的采样。比较器通过对比被采样电位和第二源极跟随器的输出电位，也可以应对充放电引起正极和负极间的电位的变动的二次电池。
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公开(公告)号：CN117529770A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280043744.4
申请日：2022-06-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括第一及第二晶体管、第一至第五开关、第一至第三电容器以及显示元件，其中，第一晶体管(M2)包括背栅极，第一晶体管的栅极与第一开关(M1)电连接，在第一晶体管的栅极与第一晶体管的源极之间包括第二开关(M3)及第一电容器(C1)，第一晶体管的背栅极与第三开关(M4)电连接，在第一晶体管的背栅极与第一晶体管的源极之间包括第二电容器(C2)，第一晶体管的源极与第四开关(M6)及第二晶体管(M5)的漏极电连接，第二晶体管的栅极与第五开关(M7)电连接，在第二晶体管的栅极与第二晶体管的源极之间包括第三电容器(C3)，并且，第二晶体管的源极与显示元件(61)电连接。
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公开(公告)号：CN117203696A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280028422.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。一种显示装置，该显示装置包括具有驱动电路的第一层、具有多个像素电路的第二层及具有多个发光元件的第三层，在第一层上设置第二层，在第二层上设置第三层，在驱动电路与多个像素电路之间设置导电层。驱动电路具有控制多个像素电路的工作的功能。多个像素电路之一与多个发光元件之一电连接。像素电路具有控制发光元件的发光亮度的功能。
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公开(公告)号：CN116601707A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180068830.6
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/22
Abstract: 提供一种能够以高精度读出数据的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二存储单元以及开关，第一存储单元包括第一及第二晶体管以及第一电容器，第二存储单元包括第三及第四晶体管以及第二电容器。第一及第二电容器在一对电极间包括铁电体层。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第一电容器的一个电极电连接。第三晶体管的源极及漏极中的一个与第四晶体管的栅极电连接，第四晶体管的栅极与第二电容器的一个电极电连接。第一晶体管的源极及漏极中的另一个与第三晶体管的源极及漏极中的另一个通过开关电连接。
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公开(公告)号：CN113330552A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089579.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。半导体装置包括：包括第一存储单元的第一元件层；包括第二存储单元的第二元件层；以及包括驱动电路的硅衬底。第一元件层设置在硅衬底和第二元件层之间。第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器。第二存储单元包括第二晶体管及第二电容器。第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的源极和漏极中的一个分别与用来电连接到驱动电路的布线电连接。布线接触于第一晶体管所包括的第一半导体层及第二晶体管所包括的第二半导体层，并且设置在相对于硅衬底的表面的垂直方向或大致垂直方向上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113167821A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077052.X
申请日：2019-11-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R19/165 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , G01R31/36 , H02J7/00 , G01R31/50
Abstract: 提供一种能够检测出二次电池的微短路的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器、晶体管、电容器及比较器。半导体装置被供应二次电池的负极电位及正极电位，第一源极跟随器被输入第一电位，第二源极跟随器被输入第二电位。晶体管的栅极被输入控制晶体管的导通状态的信号，进行与二次电池的正极‑负极间的电位关联的第一源极跟随器的输出电位的采样。比较器通过对比被采样电位和第二源极跟随器的输出电位，也可以应对充放电引起正极和负极间的电位的变动的二次电池。
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公开(公告)号：CN119585794A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054783.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括运算装置、总线及存储装置。存储装置包括具有多个读出电路的第一元件层及具有多个单元阵列的第二元件层。各读出电路包括读出放大器。各单元阵列包括存储单元。第二元件层以在第一元件层上重叠的方式设置。存储单元与读出放大器通过位线电连接。存储装置通过总线与运算装置电连接。保持在多个单元阵列中的一个的数据通过多个读出电路中的一个输出到总线。输出到总线的数据以8位的倍数的位宽被输出。
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公开(公告)号：CN119452415A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380045719.4
申请日：2023-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一元件层以及在各层中设置温度检测电路、电压生成电路及存储单元的多个第二元件层。多个第二元件层层叠设置在第一元件层上。存储单元包括具有沟道形成区域的半导体层包含氧化物半导体的晶体管。晶体管包括背栅极。设置在各层中的电压生成电路具有生成供应给设置在同一层中的存储单元所包括的晶体管的背栅极的背栅极电压的功能。温度检测电路具有根据检测温度控制背栅极电压的功能。在第二元件层中，供应给设置在上层中的第二元件层所包括的晶体管的背栅极电压比供应给设置在下层中的第二元件层所包括的晶体管的背栅极电压大。
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公开(公告)号：CN113169382B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980077100.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/42 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H02J7/00
Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。
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公开(公告)号：CN116997952A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022305.5
申请日：2022-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括第一层及位于第一层上方的第二层。第一层包括驱动电路区域。第二层包括像素阵列。像素阵列包括多个像素区域。驱动电路区域包括控制电路部及多个局部驱动器电路。多个局部驱动器电路中的一个对应于多个像素区域中的任一个。局部驱动器电路具有输出驱动所对应的像素区域中的多个像素的驱动信号的功能。控制电路部具有比较被输入的图像信号的分辨率数据与像素阵列的纵横比数据来决定进行显示的第一区域及不进行显示的第二区域，以将用来停止输出驱动信号的控制信号输出到对应于第二区域的局部驱动器电路的功能。
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