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公开(公告)号：CN111081550A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911352160.1
申请日：2010-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法及半导体器件。本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。
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公开(公告)号：CN106409684B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201610981924.3
申请日：2010-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。
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公开(公告)号：CN105914236B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610232781.6
申请日：2010-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/67
Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。
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公开(公告)号：CN102593366B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201210022165.X
申请日：2004-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明提供一种发光装置和电子装置，其中，具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。
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公开(公告)号：CN104795323B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510189236.9
申请日：2010-11-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L21/28176 , H01L21/324 , H01L29/4966 , H01L29/66969 , H01L29/78642 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124280B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410347324.2
申请日：2010-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。
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公开(公告)号：CN106409684A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610981924.3
申请日：2010-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。
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公开(公告)号：CN105914236A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610232781.6
申请日：2010-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/67
Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。
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公开(公告)号：CN101894759B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010146957.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/471 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。
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公开(公告)号：CN103339715A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066610.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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