公开(公告)号：CN105336791B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN107403808A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710588496.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  本田达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/01 ,  G02F2203/64 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。

公开(公告)号：CN102694006B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201210078793.X

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/477 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。

公开(公告)号：CN106847929A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710111162.6

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN103843145B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280047612.5

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134309 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN103339715B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN103456686A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310052224.2

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN101552210B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910134221.7

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887857B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010206970.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101271661B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810086862.5

申请日：2008-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高的显示装置及显示装置的驱动方法，可以抑制在用作开关元件的晶体管的漏极附近产生高电场。着眼于电荷积蓄在像素的显示元件和与该显示元件并联连接的其它电容器中的缓和时间，通过将施加到信号线的视频信号分阶段地推移且最终推移到所希望的高度，来抑制当写入时施加到晶体管的源极和漏极之间的电压变大。