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公开(公告)号：CN101322291B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200780000490.3
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/18311 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。
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公开(公告)号：CN102439806A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022491.X
申请日：2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 公开了一种制造表面发射激光器的方法，包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上；形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上，第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案；通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层；以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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公开(公告)号：CN101765951A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN101640377A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910166937.5
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18394 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光元件，其被配置成以在垂直于基底的方向发射光，其包括基底，该基底的主平面的法向相对于[100]结晶取向的一个方向向[111]结晶取向的一个方向倾斜；和台面结构，其形成于基底上、具有带氧化物的窄化结构、且氧化物至少由氧化可被选择性氧化的层的一部分形成的氧化物组成，其中所述氧化物包含铝且包围电流通道区域，其中，平行于基底的台面结构的截面平行于基底表面且同时正交于[100]结晶取向的一个方向和[111]结晶取向的一个方向，并且，穿过电流通道区域中心的第一方向的长度大于平行于所述基底表面并正交于所述第一方向的第二方向的长度。
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公开(公告)号：CN101604819A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910145943.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。在表面发射激光器元件中，在倾斜的衬底上，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于穿过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并且关于穿过电流通过区域中心并平行于Y轴的轴对称，并且围绕电流通过区域的氧化层的厚度在+Y轴方向比在+X和－X方向大。光输出部分在X轴方向的开口宽度小于光输出部分在Y轴方向的另一开口宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542854A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000717.9
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , G02B26/123 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G15/326 , G03G2215/0404 , G03G2215/0421 , H01S5/423 , H04N1/0311 , H04N1/113 , H04N1/1135 , H04N1/121 , H04N1/195 , H04N1/19515 , H04N2201/03104
Abstract: 本发明提供了一种表面发射激光器阵列、光学扫描设备和成像设备，其中所述表面发射激光器阵列包括以具有两个正交方向的二维形式布置的多个发光部分。在多个发光部分正交投射在与两个正交方向的一个方向平行的虚拟线上时，在多个发光部分中的两个之间沿着所述虚拟线的间距等于预定值的整数倍。多个发光部分包括第一发光部分、与第一发光部分相邻的第二发光部分以及与第二发光部分相邻的第三发光部分，并且在第一和第二发光部分之间的间距与在第二和第三发光部分之间的间距不同。
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公开(公告)号：CN101356702A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001407.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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公开(公告)号：CN101346858A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000885.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN103460528B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280013197.1
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/42 , B82Y20/00 , G04F5/145 , H01S5/0042 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/34313 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H03B17/00
Abstract: 所公开的表面发射激光器元件包括形成在基板上的下DBR、形成在下DBR上的有源层、形成在有源层上的上DBR、形成在有源层之上的波长调整层以及多个表面发射激光器，多个表面发射激光器构造为通过改变波长调整层的厚度而发射具有不同波长的各激光束。在该表面发射激光器元件中，波长调整层包括交替层叠GaInP和GaAsP的第一膜和交替层叠GaInP和GaAs的第二膜之一，通过局部去除该第一和第二膜中对应的一个的交替层的每一个而改变波长调整层的厚度。
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公开(公告)号：CN104518245A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410654056.9
申请日：2014-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/145 , H05B3/26 , H05B2203/002 , H05B2203/007 , H05B2203/013
Abstract: 一种加热器基板、碱金属电池单元和原子振荡器。一种用于加热包括碱金属的碱金属电池的加热器基板，包括：形成在围绕碱金属被封装了的碱金属封装部分的区域中的第一加热器布线；形成在围绕碱金属封装部分的区域中并且在第一加热器布线内部的第二加热器布线；以及形成在第一加热器布线外部的第三加热器布线。在第一加热器布线中流动的第一电流被分成在第二加热器布线中流动的第二电流和在第三加热器布线中流动的第三电流。第一电流的方向与第二电流的方向和第三电流的方向相反。
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