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公开(公告)号：CN109955567B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201811346623.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种具有优异的防水性和透明性且不会因膜剥落造成防水性降低的防水性透明薄膜，能够简易且有效率地生产该防水性透明薄膜的防水性透明薄膜的制造方法，以及可隔绝水滴等加以保护，并且可视性优异的显示器和光学调整薄膜。本发明的一方式的防水性透明薄膜，是对表面之中的至少一部分的区域实施过防水处理的防水性透明薄膜，其特征在于，上述防水处理区域的表层部含有碳、氟和氧，在以X射线光电子能谱法测定的上述表层部的深度方向的氟原子含量的分布曲线上，上述氟原子含量在上述表面显示最大值，随着上述深度的增加而递减。本发明的另一方式是具备上述防水性透明薄膜的显示器。本发明的再一方式是外层使用有上述防水性透明薄膜的光学调整薄膜。
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公开(公告)号：CN106463433B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580031246.8
申请日：2015-06-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于起因于氧化物半导体薄膜和保护膜的界面态的缺陷，不用实际测量其特性而简便评价的方法。本发明的评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量氧化物半导体薄膜的电子态，从而评价起因于上述界面态的缺陷。起因于上述界面态的缺陷，为下述(1)～(3)的某一个。(1)向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压Vth；(2)对薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压时，第一次测量时的阈值。
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公开(公告)号：CN106431011B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201610390354.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C03C17/36
Abstract: 本发明目的在于得到银不凝集而能够发挥良好的光学特性的层叠膜、和使用其的热线反射材。本发明的层叠膜是在隔着第一金属氧化物层而层叠有第一银合金层和第二银合金层的第一层叠体的两侧分别具有1个以上的第二层叠体的层叠膜，其中，在第二层叠体中层叠有第二金属氧化物层和折射率比第二金属氧化物层大的高折射率层，所述第一和第二银合金层是含有(a)Cu和Pd、(b)Cu和Nd、(c)Bi和Zn、(d)Bi和Nd、(e)Bi中的任意一组作为合金元素的银合金，所述第一和第二金属氧化物层的波长200～1000nm的平均折射率低于2.0，所述高折射率层的波长200～1000nm的平均折射率为2.0以上。
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公开(公告)号：CN109955567A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811346623.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种具有优异的防水性和透明性且不会因膜剥落造成防水性降低的防水性透明薄膜，能够简易且有效率地生产该防水性透明薄膜的防水性透明薄膜的制造方法，以及可隔绝水滴等加以保护，并且可视性优异的显示器和光学调整薄膜。本发明的一方式的防水性透明薄膜，是对表面之中的至少一部分的区域实施过防水处理的防水性透明薄膜，其特征在于，上述防水处理区域的表层部含有碳、氟和氧，在以X射线光电子能谱法测定的上述表层部的深度方向的氟原子含量的分布曲线上，上述氟原子含量在上述表面显示最大值，随着上述深度的增加而递减。本发明的另一方式是具备上述防水性透明薄膜的显示器。本发明的再一方式是外层使用有上述防水性透明薄膜的光学调整薄膜。
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公开(公告)号：CN106637131A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610712432.4
申请日：2016-08-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/401
Abstract: 本发明提供一种用硅原料的成膜装置，其在成为试样的基材上形成薄膜层，所述成膜装置具有具备试样保持机构及排气机构的反应室，所述反应室包括：原料供给部件，将硅原料与氧化性气体混合；能量供给部件，施加能量使所述硅原料氧化而形成薄膜层；以及未反应的原料回收部件，使未反应的原料在所述排气机构中分解或者吸附于分解物上；并且所述硅原料为含有硅、氧及碳的至少一种有机化合物，以在将所述硅原料1分子化学计量性地完全氧化的情况下所生成的全氧化物的合计分子数A与所述硅原料中所含的硅的原子数B满足(A‑B)/B≤6.75的关系的方式来调整供给量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106431011A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610390354.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C03C17/36
Abstract: 本发明目的在于得到银不凝集而能够发挥良好的光学特性的层叠膜、和使用其的热线反射材。本发明的层叠膜是在隔着第一金属氧化物层而层叠有第一银合金层和第二银合金层的第一层叠体的两侧分别具有1个以上的第二层叠体的层叠膜，其中，在第二层叠体中层叠有第二金属氧化物层和折射率比第二金属氧化物层大的高折射率层，所述第一和第二银合金层是含有(a)Cu和Pd、(b)Cu和Nd、(c)Bi和Zn、(d)Bi和Nd、(e)Bi中的任意一组作为合金元素的银合金，所述第一和第二金属氧化物层的波长200～1000nm的平均折射率低于2.0，所述高折射率层的波长200～1000nm的平均折射率为2.0以上。
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公开(公告)号：CN101919060B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980101632.4
申请日：2009-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C22C21/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/458
Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。
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公开(公告)号：CN101083269B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710103204.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/78609
Abstract: 提供一种可以省略在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属(无需在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属)的薄膜晶体管基板及显示器件。(1)一种薄膜晶体管基板，具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、漏电极；以及透明导电膜，其中，具有所述源电极及漏电极与所述薄膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金薄膜构成，(2)一种设有所述薄膜晶体管基板的显示器件等。
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公开(公告)号：CN101542696B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN101353779B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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