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公开(公告)号：CN110337693B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201880012085.1
申请日：2018-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2578 , G11B7/243 , G11B7/26 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明的目的在于提供在直接层叠的氧化物系记录层中可进行良好的信息记录且无需预防健康问题的措施、耐久性高的电介质层、光记录媒体、溅镀靶材及氧化物。本发明的电介质层由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一种元素的氧化物形成，在相对于氧化物的氧以外的所有元素而将Sn元素的含有率设为a摩尔％、Zn元素的含有率设为b摩尔％、Zr元素的含有率设为c摩尔％、Si元素的含有率设为d摩尔％、及Ga元素的含有率设为e摩尔％的情况下，满足下述式(1)～式(7)。0≦b/(a+b)≦0.6···(1)0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5···(2)0≦b≦50···(3)0≦c≦40···(4)0≦d≦45···(5)0≦e≦40···(6)20≦b+c+d+e≦80···(7)。
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公开(公告)号：CN110603590B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201880030084.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/258 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24056 , G11B7/24085 , G11B7/26
Abstract: 本发明涉及在基板上依次层叠有反射膜和透光层至少各一层，由蓝色激光进行信息的再生的只读的光信息记录介质，反射膜由含有Sn和Zn的金属氧化物或含有In的金属氧化物形成，并且，反射膜的膜厚为20nm以上、70nm以下。根据本发明，能够提供因高反射率和低抖动(再生信号在时间轴上的摆动少)而再生稳定性优异，并且耐久性也良好的只读光信息记录介质。
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公开(公告)号：CN112018260A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453857.4
申请日：2020-05-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
Abstract: 本发明涉及一种即便使作为反射膜的Al合金膜与氧化物导电膜直接接触，也可确保低接触电阻与高反射率，且耐热性也优异的反射阳极电极，其用于有机EL显示器，且所述反射阳极电极具有层叠结构，所述层叠结构包含Al合金膜及氧化物导电膜，在所述Al合金膜及所述氧化物导电膜的接触界面介隔存在以氧化铝为主成分的层，所述Al合金膜包含Si及稀土类元素，当将所述Si的含量设为a(原子％)，将所述稀土类元素的合计含量设为b(原子％)时，满足0.62＜{a/(a+b)}、0.2＜a＜3及0.1＜b的关系，且所述以氧化铝为主成分的层包含Si。另外，还涉及一种薄膜晶体管基板、有机EL显示器、以及溅镀靶材。
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公开(公告)号：CN110120459A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910085196.1
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al-Ge系合金膜、以及与Al-Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al-Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al-Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al-Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al-Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。
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公开(公告)号：CN105931654B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610230364.8
申请日：2010-09-16
IPC: G11B7/2433 , G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC classification number: G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109644536A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052201.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。本发明涉及由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成的反射电极，其特征在于，所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。
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公开(公告)号：CN102568503B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110413857.2
申请日：2011-12-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24035 , G11B7/242
Abstract: 提供一种记录特性优异的光信息记录媒体用记录层和具有该记录层的光信息记录媒体。是通过激光的照射而进行记录的记录层，具有如下要旨，含有Mn氧化物，构成包含在所述记录层中的氧化物的全部金属元素中所占的Mn的原子比为80原子％以下，并且不含金属Mn。
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公开(公告)号：CN102859596A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180018935.7
申请日：2011-04-06
IPC: G11B7/2433 , B41M5/26 , G11B7/24 , G11B7/254 , G11B7/257
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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