公开(公告)号：CN104885229A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN104620365A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104603919A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104584200A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380044372.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN102741449B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180008362.X

申请日：2011-02-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/14 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/165 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。

公开(公告)号：CN103534789A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280022035.4

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  横田嘉宏 ,  前田刚彰

IPC: H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。

公开(公告)号：CN103503117A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020062.8

申请日：2012-03-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/7869

Abstract: 在采用了氧化物半导体层的显示装置中，提供一种可有效地防止保护膜形成时的等离子处理中的Cu布线的氧化的技术。本发明的布线构造在基板之上从基板侧起依次具备薄膜晶体管的半导体层（氧化物半导体）、Cu合金膜（第一层（X）和第二层（Z）的层叠构造）和保护膜。第一层（X）由纯Cu等电阻率低的元素构成，第二层包含抗等离子氧化性提高元素。第二层（Z）的至少一部分与所述保护膜直接连接。

公开(公告)号：CN102792451A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012956.8

申请日：2011-04-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  前田刚彰 ,  安野聪 ,  寺尾泰昭 ,  三木绫

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN100523279C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610009203.2

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 钉宫敏洋 ,  高木胜寿 ,  松崎均 ,  喜多下幸太郎 ,  米田阳一郎

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C22C1/0416 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C21/00 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  B22F2201/02

Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形)，并能够高精度、高效率地制造靶，而且可以进行稳定的成膜作业的Al-Ni-稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶，其特征在于，在以倍率：2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候，纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。

公开(公告)号：CN100511687C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610009047.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at%的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at%的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at%的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。