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公开(公告)号:CN118103553A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202280057388.1
申请日:2022-12-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 在基板上以均匀的高度形成多个凸块。提供一种用于在基板上形成凸块的镀覆装置。镀覆装置具备:基板支架,其构成为保持上述基板;镀覆槽,其构成为将镀覆液与上述基板支架一起进行收容;阳极,其以与保持于上述基板支架的上述基板对置的方式配置于上述镀覆槽内;电源,其构成为在上述基板与上述阳极之间供给电流;以及控制部,上述控制部构成为使具有如下期间的电流从上述电源输出:供给用于使金属从上述镀覆液析出在上述基板上的正向电流的第一期间、供给向与上述正向电流相反的方向流动的至少一个逆电流脉冲的第二期间以及在从上述逆电流脉冲向上述正向电流转变的中途停止电流供给的第三期间。
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公开(公告)号:CN114867892B
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202080069303.2
申请日:2020-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D17/00
Abstract: 本发明提供能够抑制气泡滞留于电场遮挡板的下表面的技术。镀敷装置具备:镀槽,其存积有镀敷液并且配置有阳极;基板支架,其配置于比所述阳极靠上方处,并将作为阴极的基板保持成所述基板的被镀敷面与所述阳极对置;隔膜,其将所述镀槽的内部分隔成配置有所述阳极的阳极区域和配置有所述基板的阴极区域;以及支承部件,其与所述隔膜的下表面接触并支承该隔膜,并且具有沿所述隔膜的下表面在所述阳极与所述基板之间的区域延伸的多个横梁部分,该横梁部分具有用于将气泡从所述阳极与所述基板之间的区域引导至外部的气泡引导路。
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公开(公告)号:CN117500960A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202280042242.X
申请日:2022-12-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提出能够在镀覆处理中检测形成于基板的镀覆膜的膜厚的镀覆装置。镀覆装置具备:镀覆槽;基板支架,其用于保持基板;阳极,其以与被上述基板支架保持的基板对置的方式配置于上述镀覆槽内;电阻体,其配置于上述基板与上述阳极之间,用于调整电场;第1检测电极,其配置于上述基板的被镀覆面与上述阳极之间的区域,该第1检测电极的前端配置于上述电阻体内部的第1位置;第2检测电极,其配置于上述镀覆槽内的与上述第1位置相比没有电位变化的第2位置;以及控制模块,其测定上述第1检测电极与上述第2检测电极的电位差,基于上述电位差推断上述基板的镀覆膜厚。
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公开(公告)号:CN114787428B
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202180006560.6
申请日:2021-03-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及一种方法,其是调整镀覆模块的方法,所述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与所述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于所述基板支架与所述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,所述方法包括:准备在调整了所述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块的步骤;和与利用所述镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整所述基板支架与所述板之间的距离,由此调整所述基板支架与所述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦的步骤。
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公开(公告)号:CN114867892A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202080069303.2
申请日:2020-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D17/00
Abstract: 本发明提供能够抑制气泡滞留于电场遮挡板的下表面的技术。镀敷装置具备:镀槽,其存积有镀敷液并且配置有阳极;基板支架,其配置于比所述阳极靠上方处,并将作为阴极的基板保持成所述基板的被镀敷面与所述阳极对置;隔膜,其将所述镀槽的内部分隔成配置有所述阳极的阳极区域和配置有所述基板的阴极区域;以及支承部件,其与所述隔膜的下表面接触并支承该隔膜,并且具有沿所述隔膜的下表面在所述阳极与所述基板之间的区域延伸的多个横梁部分,该横梁部分具有用于将气泡从所述阳极与所述基板之间的区域引导至外部的气泡引导路。
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公开(公告)号:CN114729467A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202180006272.0
申请日:2021-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供能够使形成于基板的镀覆膜的均匀性提高的电阻体等。该电阻体在镀覆槽中配置在基板与阳极之间。在该电阻体形成有:第一多个孔,分别形成在同心且直径不同的3个以上的基准圆上;和第二多个孔,形成在包围上述3个以上的基准圆且至少一部为次摆线曲线的外周基准线上。
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