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公开(公告)号：CN110867397A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910724505.5
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 斋藤良信
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 提供台，该台对工件进行加热或冷却，能够从外观判别是否在台上产生温度变化。该台具有：包含供工件载置的载置面(300)的板体(30)；以及对板体(30)进行加热或冷却的调温单元(32)，在载置面(300)上涂布有涂料(36)，在未通过调温单元(32)对板体(30)进行加热或冷却的第1温度时，该涂料(36)在载置面(300)上呈第1颜色，并且在通过调温单元(32)使板体(30)的温度变化而使载置面(300)为与第1温度不同的第2温度时，该涂料(36)变色成与第1颜色不同的第2颜色。
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公开(公告)号：CN118431107A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410101034.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 斋藤良信
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法和去除装置，即使以框架单元的状态将环状加强部去除，也不会在带上残留松弛。晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，形成借助带(40)而使框架(38)与晶片(2)成为一体的框架单元(42)；分离起点形成工序，形成将晶片(2)的环状加强部从器件区域(8)分离的分离起点；加强部去除工序，使楔状的工具侵入到带(40)与环状加强部的间隙中而将环状加强部从器件区域(8)分离从而去除；以及收缩工序，在加强部去除工序之前或之后，对带(40)进行加热而使带收缩，以便确保因从器件区域(8)分离环状加强部而引起的松弛不残留于带(40)。
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公开(公告)号：CN110867397B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910724505.5
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 斋藤良信
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 提供台，该台对工件进行加热或冷却，能够从外观判别是否在台上产生温度变化。该台具有：包含供工件载置的载置面(300)的板体(30)；以及对板体(30)进行加热或冷却的调温单元(32)，在载置面(300)上涂布有涂料(36)，在未通过调温单元(32)对板体(30)进行加热或冷却的第1温度时，该涂料(36)在载置面(300)上呈第1颜色，并且在通过调温单元(32)使板体(30)的温度变化而使载置面(300)为与第1温度不同的第2温度时，该涂料(36)变色成与第1颜色不同的第2颜色。
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公开(公告)号：CN116960023A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310424001.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 斋藤良信
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供框架单元的处理方法，无论片的种类如何，都能够将支承于框架支承部的框架单元的框架压下以便使晶片向上方突出。本发明的框架单元的处理方法中，框架单元是将晶片定位于在中央具有对晶片进行收纳的开口部的框架的该开口部中而借助片使晶片与框架成为一体而得的，该框架单元的处理方法包含如下的槽形成工序：在位于晶片与框架之间的片上形成槽。
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公开(公告)号：CN116913771A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310392903.8
申请日：2023-04-13
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/683 , B24B1/00 , B23K26/38
Abstract: 本发明提供晶片的处理方法，能够消除保护片从晶片的外周剥离或晶片的外周被切削单元损伤等问题。晶片在正面上形成有由分割预定线划分多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片的处理方法包含如下的工序：片配设工序，配设覆盖晶片的整个正面的大小的保护片；片切断工序，将从晶片的外周探出的保护片切断；以及晶片处理工序，对晶片的背面进行处理，在该片切断工序中，向与晶片的外周对应的区域的保护片照射激光光线而将从晶片的外周探出的保护片切断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116900497A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310395469.9
申请日：2023-04-13
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 斋藤良信
Abstract: 本发明提供晶片的制造方法，能够高效地制造晶片而解决晶片的制造不经济的问题。晶片的制造方法包含如下的工序：第一剥离层形成工序，将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点从锭的端面定位于形成应制造的大直径晶片的第一深度而进行照射，形成第一剥离层；第二剥离层形成工序，将激光光线的聚光点从锭的端面定位于比该第一深度浅的第二深度且在比该锭的直径小的区域中进行照射，形成制造小直径晶片的第二剥离层；以及分离壁形成工序，将激光光线的聚光点从锭的端面定位于到达该第二剥离层的环状的区域而进行照射，形成与该小直径晶片的外周对应的环状的第一分离壁。
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公开(公告)号：CN115479760A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210652121.9
申请日：2022-06-10
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供测量治具、动作精度测量系统和动作精度测量方法。短时间高精度地测量直线移动机构的动作精度。动作精度测量方法测量具有支承工作台、作业单元以及直线移动机构的装置中的直线移动机构的动作精度，将具有平面状的底面、与底面对置且平行的平行面和经由直线状的边界线而与平行面连接且相对于平行面倾斜的倾斜面的测量治具载置于支承工作台，调整测量治具的朝向以使边界线与进给方向平行，并调整测量治具和白光干涉仪的位置以便利用白光干涉仪同时观测平行面和倾斜面，使支承工作台和作业单元在进给方向上相对地直线移动并利用白光干涉仪观测平行面和倾斜面从而观测干涉条纹的变化，并根据观测到的干涉条纹的变化推算直线移动机构的动作精度。
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公开(公告)号：CN114406488A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111175896.3
申请日：2021-10-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 斋藤良信
IPC: B23K26/38 , H01L21/268 , B23K101/36
Abstract: 本发明提供激光加工装置，其能够容易地调整向晶片照射的激光光线的功率。激光加工装置的激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出激光；聚光器，其使从激光振荡器射出的激光光线会聚；以及等离子光检测器，其对从通过激光光线的照射而实施了加工的区域发出的等离子光进行检测。
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公开(公告)号：CN114284200A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111121460.6
申请日：2021-09-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供保持机构，其即使未充分精密地进行环状框架的定位也能够可靠地对环状框架进行保持。保持机构包含：晶片保持部，其对晶片进行吸引保持；以及框架支承部，其配设于晶片保持部的外周，对框架进行支承。框架支承部包含永久磁铁。
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公开(公告)号：CN114284171A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111151902.1
申请日：2021-09-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供加工装置，其将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的增强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业容易，并且将增强部切断而从晶片去除容易。加工装置包含：晶片搬出单元、晶片台、框架搬出单元、框架台、带粘贴单元、含带框架搬送单元、带压接单元、从晶片台搬出将含带框架的带与晶片的背面压接而得的框架单元的框架单元搬出单元、增强部去除单元、无环单元搬出单元以及框架盒台。
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