公开(公告)号：CN117863238A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311243306.5

申请日：2023-09-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 右山芳国 ,  波冈伸一 ,  柿沼良典 ,  森俊

IPC: B26D1/06 ,  B26D1/00 ,  B26D7/01 ,  B26D7/20

Abstract: 本发明提供带状片的切断方法，能够抑制将带状片切断的刃的切刃的锋利度变差。片的切断方法将从片卷(1711)的外周侧拉出的片(30)按照规定的长度进行批量切割，该方法包含如下的工序：保持工序，利用工作台的吸引面(82)对片进行吸引保持；切入工序，使下端刃尖(811)锐利的刃(801)从吸引保持于吸引面的片的上方贯通于片并使刃尖(811)进入至形成于吸引面的刀具用退避槽(803)中；以及切断工序，在切入工序之后，按照横穿片的方式使刃的切刃(812)朝前而使刃行进，将带状片切断。

公开(公告)号：CN110534471B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910434221.2

申请日：2019-05-23

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  波冈伸一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/304

Abstract: 提供卡盘工作台。在销卡盘工作台中，在不容易发生热变形的材质上形成不会在车削加工中剥离的镀层。在对板状工件(W)的下表面(Wb)进行吸引保持而利用刀具工具(64)对上表面(Wa)进行车削加工的加工装置(1)中使用的卡盘工作台(30)具有：外周环状壁(300)，其利用环状的上表面(300a)对板状工件下表面的外周部分进行支承；吸引凹部(301)，其形成于外周环状壁底面(301b)；吸引口(301c)，其形成于吸引凹部(301)的底面，与吸引源(36)连通；以及支承销(304)，其在底面(301b)上避开吸引口而等间隔地竖立设置有多个，支承销的上表面(304a)与外周环状壁(300)的上表面(300a)为同一高度，在外周环状壁的侧面(300c、300d)和上表面(300a)上以及支承销(304)的侧面(304c)和上表面(304a)上形成有镀层(M)。(300)的内侧，具有比外周环状壁的上表面低的

公开(公告)号：CN116631932A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310113582.3

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 椙浦一辉 ,  森俊 ,  柿沼良典 ,  细野哲也 ,  天野薰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供晶片转移方法和晶片转移装置，在不切断粘接带的情况下进行换贴而安全地转移晶片。该晶片转移方法将包含第1环状框架、第1粘接带和晶片的第1工件单元的该晶片转移至第2粘接带而形成第2工件单元，其中，该晶片转移方法具有如下的步骤：环状框架配设步骤，利用该第1环状框架和第2环状框架夹持爪体，由此使该第2环状框架按照不接触该第1环状框架的方式与该第1环状框架重叠；粘贴步骤，在该晶片的未粘贴于该第1粘接带的面上粘贴该第2粘接带，利用该第2环状框架借助该第2粘接带而保持该晶片；以及剥离步骤，从该晶片剥离该第1粘接带，并且从该第1环状框架剥离该第1粘接带。

公开(公告)号：CN114284200A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111121460.6

申请日：2021-09-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 斋藤良信 ,  柿沼良典 ,  森俊

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供保持机构，其即使未充分精密地进行环状框架的定位也能够可靠地对环状框架进行保持。保持机构包含：晶片保持部，其对晶片进行吸引保持；以及框架支承部，其配设于晶片保持部的外周，对框架进行支承。框架支承部包含永久磁铁。

公开(公告)号：CN112530866A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010959310.1

申请日：2020-09-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  小林真 ,  梅原冲人 ,  田村一成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供晶片的处理方法和芯片测量装置。该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件，该晶片的处理方法包含如下的步骤：晶片单元形成步骤，将带粘贴在晶片的背面上并将带的外周安装于环状框架，形成具有晶片、带和环状框架的晶片单元；分割步骤，将晶片沿着分割预定线分割而形成多个芯片(器件芯片)；拾取步骤，从晶片单元拾取芯片；和测量步骤，对通过拾取步骤而拾取的芯片进行测量。在实施拾取步骤之前，实施如下的判别步骤：分别对器件的特性进行检查而判别出良好器件和不良器件并存储判别结果。在测量步骤中，根据判别结果，在通过拾取步骤而拾取的器件芯片包含不良器件的情况下，将芯片破坏而测量抗弯强度。

公开(公告)号：CN102693920A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210077886.0

申请日：2012-03-22

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件芯片的安装方法，不会在凸起电极之间形成导电路径且使用了各向异性导电材料。具有以下步骤：准备半导体器件晶片的步骤，该半导体器件晶片在由形成为格子状的多个分割预定线划分出的各区域中分别形成有具有多个凸起电极的半导体器件；绝缘体覆盖步骤，用绝缘体覆盖半导体器件晶片的凸起电极侧，将绝缘体填充到相邻的凸起电极之间；凸起电极端面露出步骤，使覆盖有绝缘体的半导体器件晶片的凸起电极侧平坦，使凸起电极的端面露出；分割步骤，分割为各个半导体器件芯片；安装步骤，使各向异性导电体介入到具有与凸起电极对应的电极的布线基板或晶片的电极与半导体器件芯片的凸起电极之间，将半导体器件芯片搭载到布线基板或晶片上，并将电极与凸起电极连接。

公开(公告)号：CN109037027B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201810507100.1

申请日：2018-05-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 饭塚健太吕 ,  大宫直树 ,  森俊 ,  山中聪 ,  平田和也

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动地生成SiC晶片。晶片生成装置进行保持；平坦化单元(6)，其对保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元(8)，其将具有对于单晶SiC晶锭(150)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭(150)照射激光光线LB，形成剥离层(170)；晶片剥离单元(10)，其对单晶SiC晶锭(150)的上表面进行保持，将SiC晶片(172)从剥离层(170)剥离；以及晶片收纳单元(12)，其收纳剥离得到的SiC晶片(172)。(2)包含：保持单元(4)，其对单晶SiC晶锭(150)

公开(公告)号：CN115995407A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211237400.5

申请日：2022-10-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  柿沼良典 ,  柳琮铉 ,  生岛充 ,  齐藤诚 ,  增田洋平 ,  内保贵 ,  斋藤良信

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供加工装置，其能够自动地进行使晶片与环状框架借助带而成为一体的作业。加工装置包含：对晶片进行支承的晶片台；对环状框架进行支承的框架台；具有将带压接于环状框架的第一压接辊的第一带压接单元；以及具有将有带环状框架的带压接于晶片的正面或背面的第二压接辊的第二带压接单元。在框架台和第一压接辊中的任意一方或双方中配设有第一加热单元，并且在晶片台和第二压接辊中的任意一方或双方中配设有第二加热单元。

公开(公告)号：CN113948419A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110784478.8

申请日：2021-07-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 增田幸容 ,  吉川敏行 ,  土屋利夫 ,  竹中将信 ,  本乡智之 ,  森俊 ,  柿沼良典 ,  斋藤良信 ,  柳琮铉 ,  右山芳国 ,  内保贵 ,  黑泽亮辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供加工装置，其容易进行在背面形成有加强部的晶片的背面上粘贴带而使晶片与框架成为一体的作业，将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含：晶片搬出机构，其将晶片搬出；晶片台，其支承晶片；框架搬出机构，其将框架搬出；框架台，其支承框架；带粘贴机构，其将带粘贴于框架上；有带框架搬送机构，其将有带框架搬送至晶片台；带压接机构，其将有带框架的带压接于晶片的背面上；框架单元搬出机构，其将压接了有带框架的带和晶片的背面的框架单元从晶片台搬出；加强部去除机构，其从框架单元的晶片切断并去除环状的加强部；无环单元搬出机构，其将去除了加强部的无环单元从加强部去除机构搬出；和框架盒台，其载置收纳无环单元的框架盒。

公开(公告)号：CN110364471A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910260341.5

申请日：2019-04-02

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  右山芳国 ,  谷山优太 ,  生岛充 ,  波冈伸一 ,  齐藤诚 ,  河村慧美子 ,  柿沼良典 ,  椙浦一辉

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供保护片配设方法。该方法包含：第一保护片准备工序，准备第一保护片；保护片粘贴工序，将晶片定位于框架的开口部，在外周剩余区域和框架上粘贴第一保护片；盒收纳工序，将配设于框架的晶片收纳在盒中；第一台载置工序，将晶片从盒中搬出而载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，将晶片从第一台搬出并使第一保护片与第二保护片面对，对第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着第一保护片将晶片向液态树脂按压，利用第二、第一保护片将液态树脂推开至与晶片对应的整个面而将第一保护片粘贴于第二保护片并一体化；和切断工序，沿着晶片的外周将第一、第二保护片切断。