一种铝碳化硅材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111848171A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201910336899.7

    申请日:2019-04-25

    Abstract: 本发明涉及一种铝碳化硅材料,包括铝和碳化硅预制件,其特征在于,所述碳化硅预制件由以下原料制备得到:100重量份的碳化硅颗粒、1-10重量份的金属硝酸盐、1-10重量份的粘结剂。铝基碳化硅材料的原料中含有金属硝酸盐,金属硝酸盐能热分解产生相应的金属氧化物,加强碳化硅颗粒间的连接,提高碳化硅预制件的强度,有利于进行规模化量产;而且热解产生的金属氧化物附着在碳化硅颗粒表面,可以有效地抑制部分碳化硅颗粒的氧化,减少二氧化硅的生成,提高铝碳化硅材料的热导率。

    一种覆铜陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108147832B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201611095518.3

    申请日:2016-12-02

    Abstract: 为克服现有氮化铝陶瓷覆铜技术中存在陶瓷层和铜层结合不致密,界面处存在小气泡,容易鼓包,结合强度比较低的问题,本发明提供了一种覆铜陶瓷及其制备方法覆铜陶瓷制备方法,包括以下操作步骤:在氮化铝陶瓷表面形成氧化铝膜;在所述氧化铝膜表面形成改性层;其中,所述改性层中包括改性颗粒,所述改性颗粒包括玻璃粉;在所述改性层表面形成铜层,通过热处理使铜层、改性层与氮化铝陶瓷结合一体。本发明还提供了由上述方法制备得到的覆铜陶瓷。本发明在氮化铝陶瓷表面形成一层含有玻璃粉的表面改性层,使其在DBC工艺过程中抑制小气泡及鼓包等现象产生,增加铜层和氮化铝陶瓷之间的界面结合力。

    一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN110937913A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201811119989.2

    申请日:2018-09-25

    Inventor: 宋山青 徐强 吴波

    Abstract: 本公开涉及一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法,该氮化铝陶瓷覆铜基板包括氮化铝陶瓷基板和覆接于所述氮化铝陶瓷基板至少一个表面上的铜箔,所述氮化铝陶瓷基板和所述铜箔之间形成有界面结合层;所述界面结合层中含有CuAlO2,所述界面结合层中还含有选自Al2Zr3O9、Al2Si3O9、AlCrO3、Cu2ZrO3、Cu2SiO3和CuCrO2中的一种或多种。本公开的氮化铝陶瓷覆铜基板减少了陶瓷基板与铜箔间的气体和鼓泡,陶瓷基板和铜箔之间的结合强度进一步得到显著提升。

    一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组

    公开(公告)号:CN109309066A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710624661.5

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 本公开涉及一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组;所述陶瓷覆铝铜板包括陶瓷绝缘板、第一铝层、第二铝层、第一铜层和第二铜层;所述第一铝层和所述第二铝层通过渗铝一体成型地结合在所述陶瓷绝缘板相对的两个表面上,所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离,并且所述第一铜层通过渗铝一体成型的所述第一铝层连接在所述陶瓷绝缘板上;所述第二铜层通过渗铝一体成型的所述第二铝层连接在所述陶瓷绝缘板上;本公开所述的陶瓷覆铝铜板与焊接得到的陶瓷覆铜板相比具有更少的空洞,该陶瓷覆铝铜板具有更薄的铝层,提高了散热元件的导热效率,并且对称的结构可以使陶瓷片两面应力均匀,不易弯曲毁坏。

    一种具有铝柱的铝碳化硅板的制备方法和装置及其制得的产品

    公开(公告)号:CN106552929B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201510638985.5

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种具有铝柱的铝碳化硅板的制备方法,还涉及该方法制备的具有铝柱的铝碳化硅板,以及一种用于制备具有铝柱的铝碳化硅板的装置。本发明的方法和设备制备的具有铝柱的铝碳化硅板产品能够在保证较高的力学、密度、导热系数、热膨胀系数以及铝层厚度等性能参数的情况下提高铝柱与铝碳化硅板的结合力。并且本发明的方法和装置不需要用到高压容器设备,所用设备简单易操作,型砂使用寿命较石墨模具寿命大幅提高,且可以重复回收利用,生产效率较现有技术方案也大幅提高。

    一种陶瓷表面选择性金属化的方法和一种陶瓷

    公开(公告)号:CN103880478B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201210559428.0

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法,该方法包括以下步骤:S1、在陶瓷基体表面形成一金属薄膜层;S2、用激光在金属薄膜层表面选定区域进行辐射;S3、除去未选定区域的金属薄膜层;S4、对辐射的区域进行化学镀;其中,所述金属薄膜层的金属为Cu、Ni、Zn和Ti中的至少一种。本发明还提供了用该方法制备的陶瓷。本发明由于激光的局部高温作用,使得金属向陶瓷扩散,和陶瓷进行反应和熔焊,提高了结合力。同时,本发明处理过的激光辐射区域中金属单质多,表面均匀,容易诱导化学镀液中的金属沉积到其上,故沉积速度快。

    一种柔性发热片及其制备方法

    公开(公告)号:CN104735830A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201310703450.2

    申请日:2013-12-19

    Abstract: 为克服现有技术中无法对部件的曲面加热的问题,本发明提供柔性发热片,包括依次层叠的保温层、发热功能层和热辐射层;发热功能层包括正极纹路、负极纹路和电热油墨;正极纹路和负极纹路分离;电热油墨填充于正极纹路和负极纹路之间,同时与正极纹路和负极纹路电连接;正极纹路包括主正极条和多个平行设置的次正极条,次正极条电连接至主正极条;负极纹路包括主负极条和与次正极条平行设置的次负极条,次负极条电连接至主负极条;次正极条与次负极条交错设置;保温层和热辐射层为绝缘材质。本发明还公开柔性发热片的制备方法。上述柔性发热片可用于弯曲表面,即使其中部分区域出现损伤,仍可正常使用;同时,该柔性发热片发热均匀。

    一种陶瓷覆铜板的制备方法

    公开(公告)号:CN104072186A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201310101343.2

    申请日:2013-03-27

    Inventor: 徐强 林信平

    Abstract: 本发明提供了一种陶瓷覆铜板的制备方法,包括以下步骤:S10、对厚度为0.2-0.6mm的铜箔的一个表面在微氧氮气环境中进行氧化;S20、然后将铜箔具有氧化层的一个表面与氧化铝陶瓷基板贴合,并在1060-1080℃下共烧结,冷却后得到陶瓷覆铜基材;S30、对陶瓷覆铜基材的铜箔表面进行刷磨,然后进行一次蚀刻对铜层减薄;S40、然后进行贴膜、曝光、显影处理,并通过二次蚀刻形成线路图形,得到所述陶瓷覆铜板。采用本发明提供的制备方法制备得到的陶瓷覆铜板,其表面线路具有较高的精度,同时表面线路层与陶瓷基板具有良好的附着力。

    一种陶瓷表面选择性金属化方法

    公开(公告)号:CN103253988A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201210035014.8

    申请日:2012-02-16

    Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法,包括以下步骤:A.将陶瓷组合物成型、烧制得到陶瓷基材;所述陶瓷组合物包括陶瓷粉体和分散于陶瓷粉体中的功能粉体;所述功能粉体选自M的氧化物或M单质中的一种或多种;陶瓷粉体选自E的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物中的一种或多种;B. 将陶瓷基材在还原氛围中进行还原,在陶瓷基材表面形成金属单质活性中心;所述还原氛围为H2气氛、CO气氛或单质碳氛围;C. 将经过步骤B的陶瓷基材放入化学镀液中进行化学镀,在陶瓷基材表面形成金属层;D. 对经过步骤C的陶瓷基材表面的金属层的选定区域进行蚀刻。本发明提供的陶瓷表面选择性金属化方法,金属层与陶瓷基材的附着力较高,成本较低。

    一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN103183500A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201110443640.6

    申请日:2011-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种氧化铝陶瓷基板的制备方法及由该方法制备的陶瓷基板,在陶瓷基板粉料中添加第一烧结助剂和第二烧结助剂,所述第一烧结助剂为XCaO·YMgO·ZSiO2的玻璃态粉末,0.1≦X≦0.4,0.1≦Y≦0.4,0.5≦Z≦0.7,X+Y+Z=1,其中X:Y:Z为质量比;第二烧结助剂为BaO;并采用陶瓷基板生坯与表面涂敷有纳米氧化铝粉末的隔烧板隔层叠放后一起放入烧结炉中烧结的方式,所制得的氧化铝陶瓷基片体积密度大,表面平滑度好,抗击穿强度高。

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