公开(公告)号：CN109904311B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201711298149.2

申请日：2017-12-08

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 吴卫华 ,  朱小芹 ,  眭永兴 ,  郑龙 ,  胡益丰 ,  邹华

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(SbxSe1‑x)1‑yTiy，其中，0.25

公开(公告)号：CN109037439B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810684530.0

申请日：2018-06-28

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  郭璇 ,  张锐 ,  尤海鹏 ,  朱小芹 ,  邹华

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料，其为多层复合膜结构，由Sn20Sb80层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn20Sb80层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn20Sb80层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn20Sb80层是以Sn20Sb80靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；所述Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn20Sb80(a)/Si(b)]x表示，其中a为单层Sn20Sb80层的厚度，a＝1nm～50nm；b为单层Si层的厚度，b＝1nm～50nm，x为Sn20Sb80层和Si层的交替周期数，x为正整数。本发明提供的Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料能够改善现有存储器的热稳定性和操作功耗。

公开(公告)号：CN110846033A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911138110.3

申请日：2019-11-20

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  黄玉凤 ,  王锋 ,  陈冰 ,  胡益丰 ,  朱小芹

IPC: C09K11/78

Abstract: 本发明属于上转换发光材料技术领域，具体涉及一种防潮性能优良的稀土掺杂上转换发光材料及其制备方法，该材料的化学通式为Sc2-2xLn2xM3O12，其中Ln为Er、Ho、Tm、Yb、Gd、Dy中的一种或几种，M为Mo或者W，0

公开(公告)号：CN110713833A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201911138069.X

申请日：2019-11-20

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  黄玉凤 ,  王锋 ,  陈冰 ,  胡益丰 ,  朱小芹

IPC: C09K11/78

Abstract: 本发明属于转换发光材料技术领域，具体涉及一种稀土掺杂上转换发光材料及其制备方法，该材料的化学通式为Yb2-2xLn2xMo3O12，其中Ln为Er、Ho、Tm、Nd、Pr、Eu中的一种或几种，0

公开(公告)号：CN110010761A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910194319.5

申请日：2019-03-14

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  孙松 ,  邹华 ,  朱小芹

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法。所述Mg-Sn-Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1

公开(公告)号：CN108615811A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810394315.7

申请日：2018-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  张建豪 ,  胡益丰 ,  朱小芹 ,  孙月梅 ,  郑龙 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其组分表达式为Lnx(ZniSbj)y，其中x，y，i,j为原子百分比，0

公开(公告)号：CN108321295A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810384688.6

申请日：2015-12-07

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  胡益丰 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  郑龙 ,  张建豪 ,  吴世臣 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低47%以上，说明本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。

公开(公告)号：CN108258114A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810155240.7

申请日：2015-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  朱小芹 ,  吴世臣 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，上述相变薄膜材料为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

公开(公告)号：CN108179389A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711345836.5

申请日：2017-12-15

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  尤海鹏 ,  张锐 ,  郭璇 ,  朱小芹 ,  邹华

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于导电薄膜技术领域，尤其涉及一种用于汽车玻璃的光谱选择性ITO薄膜的制备方法。ITO薄膜的制备方法包括以下步骤：清洗PET基片；制备光谱选择性ITO薄膜前准备；采用室温磁控溅射方法制备光谱选择性ITO薄膜。本发明的光谱选择性ITO薄膜，在可见光波长段，能使反射率降低，透射率增加，可见度较好；在红外光波段，反射率增加，阻碍热量的传递。

公开(公告)号：CN105514266B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510876374.4

申请日：2015-12-03

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  胡益丰 ,  朱小芹 ,  薛建忠 ,  张建豪 ,  孙月梅 ,  郑龙 ,  吴世臣 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0