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公开(公告)号：CN101058505A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710099954.2
申请日：2007-06-01
IPC: C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/632 , C04B35/64 , H01L41/187
Abstract: 一种提高钛酸铋钠基无铅压电陶瓷性能的方法，即在该陶瓷体系的原料粉末合成过程中加入过量的含Bi元素的氧化物原料粉末，加入过量Bi元素的压电陶瓷材料的化学式为(1－y)(Bi0.5+xNa0.5)TiO3+y(Bi0.5+xK0.5)TiO3，其中x是用于补偿的Bi元素占未补偿前(1－y)(Bi0.5Na0.5)TiO3+y(Bi0.5K0.5)TiO3的摩尔百分比，0＜x≤2.0％，y为(Bi0.5+xK0.5)TiO3的摩尔含量，0≤y＜30％。这样可以明显提高所制备的钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5)TiO3基陶瓷的压电性能，其压电常数最高可达到196pC/N，且该方法既适用于BNT单质陶瓷，也适用于BNT与BKT复合的BNT－BKT二元体系。
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公开(公告)号：CN1995437A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610144006.1
申请日：2006-11-24
Abstract: 纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Co1－xMxSb3+ySiC进行配料，然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250～600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb3基热电材料。该方法的特点在于：利用放电等离子烧结直接合成CoSb3相，并利用弥散分散的SiC抑制CoSb3的晶粒生长，最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb3基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率，从而获得更好热电性能。同时，由于纳米颗粒弥散增强，而使其具有更好的机械和加工性能。
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公开(公告)号：CN1953226A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610114599.7
申请日：2006-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/083 , H01L41/24 , C04B35/472 , C04B35/622 , C04B35/632
Abstract: 一种多孔压电陶瓷及其制备方法，该方法以有机物作为造孔剂在压电陶瓷中引入孔隙，通过逐层改变造孔剂含量形成多层复合的、孔隙率梯度变化的多孔压电陶瓷。造孔剂含量为0－50vol％，所得孔隙率在3－40％之间。所述的多孔压电陶瓷层数为3－5层，每层的厚度为0.2－0.5毫米，总厚度为1－2毫米。本发明的优点在于，沿厚度方向依次增加孔隙率使得多孔压电陶瓷具有依次递减的声阻抗，声阻抗的梯度变化避免了电学信号在压电陶瓷与人体组织或水界面处的大量损失，从而提高了换能器的成像分辨率。与1－3结构压电复合材料相比，多孔压电陶瓷的制备工艺相对简单，生产成本较低，因而具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1644562A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410068962.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 清华大学 , 北京科技大学 , 日本丰田汽车株式会社
IPC: C04B35/495 , H01L41/187 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷材料领域的一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明提供的铌酸钾钠系压电陶瓷的组成成分以式(1－n)KxNa1－xNbO3·nMH表示，是采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备的，将原料研磨混和后，先经过焙烧合成铌酸盐，再得到的粉料通过放电等离子烧结(SPS)，然后在含氧气氛中进行退火处理制备出压电/铁电陶瓷材料。该压电陶瓷组合物不含铅，并具有良好的压电性能。烧结温度低，烧结时间短，可获得细小、均匀的组织，高致密度并能保持原始材料的自然状态；本发明工艺在于放电等离子、放电冲击压力及电场等的共同作用下，使试样活化表面、加速扩散、提高塑性变形。
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公开(公告)号：CN118841258A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410887269.X
申请日：2024-07-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜及其制备方法和用途。该钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜包括：xMn‑(1‑y)Bi(Mg0.5Ti0.5)O3‑ySr1‑1.5aBiaTiO3‑bTiO2，且0≤x≤0.05，0＜y≤0.5，0≤a≤0.5，0≤b≤0.5。该钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜不仅组成简单，而且将其用于电介质电容器中还能实现击穿场强和极化强度差值的同时提升，从而带来储能密度和效率的显著提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114276138B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202111631976.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将包含无机酸盐和金属氧化物的混合物依次进行一次预烧和二次预烧，得到陶瓷粉体；其中，所述一次预烧的温度低于二次预烧的温度，所述无机酸盐包括Na、K、Li中的至少一种的无机酸盐，所述金属氧化物包括Nb、Ta、Sb中的至少一种的金属氧化物；使所述陶瓷粉体在惰性气氛下进行热压烧结处理后，再在含氧气体下进行退火处理，得到压电陶瓷，该制备方法能够提高压电陶瓷的机械品质因数及其温度稳定性。
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公开(公告)号：CN114988871A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210528785.4
申请日：2022-05-16
Applicant: 清华大学
Inventor： 李敬锋
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , B06B1/06
Abstract: 本发明提出了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用；本发明通过微调Li、Sb、BaZrO3和(Na0.5Bi0.5)HfO3，形成具有不同的“正交‑四方”相变温度的单元组分，再将其按照一定比例，均匀混合构建成掺杂元素梯度分布的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。在25～150℃较宽温度范围内，该陶瓷具有大于500 pC/N的高压电性能和压电系数变化率小于15％的良好温度稳定性。本发明采用传统固相法工艺，与目前工业化生产陶瓷工艺相同，不需要任何工艺改造成本。本发明为设计温度稳定型的高性能压电材料提供了一种新技术。
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公开(公告)号：CN113529059B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110801017.7
申请日：2021-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了铌酸银基无铅反铁电膜及其制备方法和应用。该制备方法包括：将乙二醇独甲醚和乙二醇混合得到混合溶剂，将乙醇铌和乙二醇独甲醚混合得到乙醇铌溶液；将硝酸银、柠檬酸和一部分的混合溶剂混合，并调节混合液的pH值得到含银溶液；将乙醇铌溶液和另一部分的混合溶剂混合得到含铌溶液；将含银溶液和含铌溶液混合、陈化得到银铌溶胶；将银铌溶胶形成在衬底上并进行甩胶成膜处理形成凝胶膜；连带衬底对凝胶膜进行烘干、热解和退火处理得到铌酸银基反铁电膜。该方法不仅安全可靠、设备简单、用料省、成本低、易于实现工业化生产，而且采用的溶剂无毒无害，且溶胶合成过程中无需加热，可在衬底上沉积出纯相薄膜。
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公开(公告)号：CN114276138A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111631976.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将包含无机酸盐和金属氧化物的混合物依次进行一次预烧和二次预烧，得到陶瓷粉体；其中，所述一次预烧的温度低于二次预烧的温度，所述无机酸盐包括Na、K、Li中的至少一种的无机酸盐，所述金属氧化物包括Nb、Ta、Sb中的至少一种的金属氧化物；使所述陶瓷粉体在惰性气氛下进行热压烧结处理后，再在含氧气体下进行退火处理，得到压电陶瓷，该制备方法能够提高压电陶瓷的机械品质因数及其温度稳定性。
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公开(公告)号：CN114171666A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111353556.5
申请日：2021-11-16
Abstract: 本发明公开了一种双段热电单臂及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明以(Bi,Sb)2Te3基和GeTe基热电材料粉体、对应的金属化层粉体以及两端电极粉体为原料，按特定顺序装入模具，然后通过放电等离子烧结技术，一步制成高稳定性、在较宽范围内保持高转换效率的双段热电单臂，当冷端温度为300K，热端温度为723K时，该类双段热电单臂的热电转换效率可达5.8％以上。
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