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公开(公告)号：CN119683984A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311235962.0
申请日：2023-09-22
IPC: C04B35/26 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种反铁电改性的高储能BiFeO3‑BaTiO3陶瓷及其制备方法。本发明所制备的陶瓷材料绿色无铅，且成本低廉可控，其在室温下为钙钛矿结构伪四方相，在添加ANT后，陶瓷具有高致密度、晶粒细化和高击穿电场的特点。本发明所使用的烧结方法降低了烧结温度，并且得到了致密、晶粒细化的陶瓷。
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公开(公告)号：CN109309155A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710628318.8
申请日：2017-07-28
Abstract: 本发明涉及一种高锰硅基碲化物热电复合材料，其特征在于，具有下列通式(1)所示的化学组成：(MnSi1.740±0.015)1-x(MnTe)x (1)，其中，x表示高锰硅基碲化物热电复合材料中碲化锰所占的摩尔比，并且0＜x≤0.10，所述高锰硅基碲化物热电复合材料的最大ZT值为0.40以上。
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公开(公告)号：CN109309155B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201710628318.8
申请日：2017-07-28
Abstract: 本发明涉及一种高锰硅基碲化物热电复合材料，其特征在于，具有下列通式(1)所示的化学组成：(MnSi1.740±0.015)1‑x(MnTe)x(1)其中，x表示高锰硅基碲化物热电复合材料中碲化锰所占的摩尔比，并且0＜x≤0.10，所述高锰硅基碲化物热电复合材料的最大ZT值为0.40以上。
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公开(公告)号：CN101058505A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710099954.2
申请日：2007-06-01
IPC: C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/632 , C04B35/64 , H01L41/187
Abstract: 一种提高钛酸铋钠基无铅压电陶瓷性能的方法，即在该陶瓷体系的原料粉末合成过程中加入过量的含Bi元素的氧化物原料粉末，加入过量Bi元素的压电陶瓷材料的化学式为(1－y)(Bi0.5+xNa0.5)TiO3+y(Bi0.5+xK0.5)TiO3，其中x是用于补偿的Bi元素占未补偿前(1－y)(Bi0.5Na0.5)TiO3+y(Bi0.5K0.5)TiO3的摩尔百分比，0＜x≤2.0％，y为(Bi0.5+xK0.5)TiO3的摩尔含量，0≤y＜30％。这样可以明显提高所制备的钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5)TiO3基陶瓷的压电性能，其压电常数最高可达到196pC/N，且该方法既适用于BNT单质陶瓷，也适用于BNT与BKT复合的BNT－BKT二元体系。
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公开(公告)号：CN114068799A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010750236.2
申请日：2020-07-30
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/317
Abstract: 本发明公开了一种铌酸盐基无铅铁电压电薄膜及其制备方法，属于电子信息材料技术领域。本发明以溶胶‑凝胶法在直径2英寸的基片上制备出高质量的铌酸钾钠(KNN)基压电薄膜。薄膜呈(100)择优取向的钙钛矿相，结构致密且均匀，表面粗糙度小，漏电流低，击穿场强高。溶胶‑凝胶法制备薄膜可达到原子或分子水平的均匀性，易于实现精确的成分控制和定量掺杂，并且可制备大面积薄膜，设备简单，用料省，成本低，易于实现工业化生产。制备得到的KNN基薄膜可用于制作压电微传感器、致动器、换能器等，在微机电系统(MEMS)领域具有非常广泛的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114890791B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210488295.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种锑化镁基热电材料及其制备方法和应用，该锑化镁基热电材料原料组成为Mg3.19‑3xY0.01Sb1.5Bi0.5‑2x，其中，0.01≤x≤0.02。该锑化镁基热电材料结晶性良好，结构致密，可重复性强，且电学性能好，功率因子保持在较高水平，晶格热导率低，进而获得了较高的无量纲热电优值ZT值。
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公开(公告)号：CN114409400A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210036677.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 清华大学
Inventor： 李敬锋
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/297 , H01L41/337 , H01L41/43
Abstract: 本发明涉及功能陶瓷材料技术领域，具体而言涉及一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明制备方法采用固相法，直接将陶瓷粉制备成多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，从而实现良好的温度稳定性。本发明制备方法制备的多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷中每层的成分可调控，每层陶瓷均具有多相共存结构，转变温度从一层依次上升到另一层。每层组分采用相似的化学成分，以确保良好的共烧和易于控制在高温下的扩散。最终使得到的多层铌酸钾钠基压电陶瓷样品在保留较高的压电性能的同时兼具较好的温度稳定性。本发明制备方法操作简便、周期短、成本低、能耗少。
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公开(公告)号：CN106478097B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610844668.3
申请日：2016-09-22
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法。其中，铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷由下列通式所示的化学组成(AgNbO3)(MaOb)x，其中，MaOb表示Mn、Cu或者Fe的氧化物，Mn的氧化物为MnO、MnO2或Mn2O3、Cu的氧化物为CuO及Fe的氧化物为Fe3O4，x表示MaOb占铌酸银无铅反铁电储能陶瓷的质量百分比，并且0≤x≤0.01。该铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷具有较高的储能性能，其中，AgNbO3陶瓷的可释放能量密度可以达到1.50～1.70J/cm3，MaOb掺杂AgNbO3陶瓷的可释放能量密度可以达到2.00～2.50J/cm3，且其在室温至180℃的温度范围内的波动不超过12％。
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公开(公告)号：CN109817804A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910043957.7
申请日：2019-01-17
Abstract: 本发明涉及了一种n型SnS基热电材料及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明利用卤族元素对SnS进行掺杂改性得到n型SnS。将Sn、S和卤化物按照化学计量比SnS1-xβx(β＝Cl,Br,I等卤族元素)进行配料，其中x取值范围为0≤x≤0.2；然后将原料放入行星式球磨机，充入保护气，在一定转速下合成n型SnS1-xβx粉体，最后通过放电等离子烧结得到n型SnS1-xβx块体材料。对SnS热电性能的报道主要集中在p型半导体，n型SnS基半导体的热电性能未见报道。卤族元素的掺杂提高了电子浓度，得到n型SnS基热电半导体的热电优值ZT为0.15～0.5。该制备方法过程简便、易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN103274689A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310237035.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中，铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，其压电常数d33可以达到280～360pC/N，且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。
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