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公开(公告)号：CN105932416A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610404505.3
申请日：2016-06-07
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技集团公司第二十九研究所
CPC classification number: H01Q1/38 , H01Q11/10 , H01Q13/085
Abstract: 本发明公开了一种基于对数周期缝的超宽带共形端射天线，自上至下依次包括介质覆层、设有异面共面波导‑微带线转换装置的共面波导‑微带线转换装置层、设有辐射缝隙的辐射缝隙层和金属背腔；所述介质覆层与共面波导‑微带线转换装置层紧密接触，辐射缝隙层和金属背腔紧密接触；介质覆层、共面波导‑微带线转换装置层、辐射缝隙层和金属背腔通过金属销钉固定在一起。本发明提供了一种基于对数周期缝的超宽带共形端射天线，采用对数周期非频变结构，通过新型金属背腔加载，并利用PCB倒置和介质覆层加载等技术手段，使得所设计的天线同时具备结构简单、抗金属环境干扰能力强、超宽频带内稳定端射辐射、正端射方向增益高的特点。
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公开(公告)号：CN118938394B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410972021.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，应用于MOEMS传感器领域，针对现有释放加工技术中存在的HF气体通过硅波导两侧凹槽把下方的SiO2层也腐蚀掉，硅波导由于没有支撑而发生塌断，从而导致加工失败的问题；本发明利用氟化镁强抗氟化氢气体腐蚀的特性，采用一系列微纳加工工艺实现对集成长距离硅波导区域的保护，极大提高了硅波导加工成功率，避免了在长距离硅波导释放加工中非常容易出现的硅波导塌断、偏移、弯曲等加工缺陷。
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公开(公告)号：CN119574914A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411879716.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , G01P15/08
Abstract: 本发明公开了一种基于脊波导的集成微光机电系统加速度计，包括脊波导结构、光子晶体波导结构、光子晶体谐振腔、质量块；光子晶体谐振腔包括两个光子晶体板和之间的空气槽；脊波导结构包括第一宽脊波导1a、第一渐变脊波导2a、第二渐变脊波导2b和第二宽脊波导1b，第一/二渐变脊波导2a/2b连接第一/二宽脊波导1a/1b和第一/二光子晶体波导3a/3b，第一光子晶体波导3a和第二光子晶体波导3b通过光子晶体波导‑微腔耦合结构4a进行耦合；第一光子晶体波导3a、第二光子晶体波导3b和光子晶体波导‑微腔耦合结构4a位于光子晶体板A上；光子晶体板B刻蚀在质量块上。本发明利用脊波导技术实现了高灵敏度和高集成度，同时保持了结构简洁和低成本制造的优势。
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公开(公告)号：CN119321838A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411341191.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种交叉式双轴扭矩传感器，包括：连接纳米光学腔的方形连接件，以及支撑方形连接件的支撑悬梁臂；其中，纳米光学腔又包括固定式纳米光学腔壁和可动式纳米光学腔壁；固定式纳米光学腔壁用于引导输入和输出光，当可动式纳米光学腔壁感受到外部面外扭矩时，会相对于平面发生面外位移，其位移导致可动式纳米光学腔壁和固定式纳米光学腔壁之间的间隙发生改变，从而导致共振波长受到影响，最后通过波长与力和扭矩的线性关系，测出对应的力和扭矩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118938394A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410972021.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，应用于MOEMS传感器领域，针对现有释放加工技术中存在的HF气体通过硅波导两侧凹槽把下方的SiO2层也腐蚀掉，硅波导由于没有支撑而发生塌断，从而导致加工失败的问题；本发明利用氟化镁强抗氟化氢气体腐蚀的特性，采用一系列微纳加工工艺实现对集成长距离硅波导区域的保护，极大提高了硅波导加工成功率，避免了在长距离硅波导释放加工中非常容易出现的硅波导塌断、偏移、弯曲等加工缺陷。
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公开(公告)号：CN118771303A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410818472.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: B81C1/00 , G01C25/00 , G01C19/5691 , C09K13/00
Abstract: 本发明公开一种二氧化硅腔光机械系统微半球谐振子加工方法，应用于微纳米加工技术领域，针对现有技术在生产半球谐振陀螺仪时，存在的刻蚀速率不可控、裸硅片刻蚀均匀性不高的问题；本发明选择了二氟化氙(XeF2)作为硅材料的干法各向同性刻蚀剂。XeF2在对硅的选择性刻蚀方面优于其他标准半导体材料，且避免了湿法刻蚀中常见的表面张力、气泡和粘连等问题，特别适合于加工微半球谐振子所需的硅模具。利用XeF2干法刻蚀系统的脉冲式刻蚀方式，结合4寸样品尺寸的兼容性及对Si/SiO2(热氧化)超高的刻蚀选择比，实现了在硅材料上的高深宽比各向同性刻蚀。
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公开(公告)号：CN118670578A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410683232.5
申请日：2024-05-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种腔光力式高精度力和扭矩传感器，当探针感受到外部力或扭矩时，会发生偏转位移，带动可移动质量快进行位移，可移动质量块边缘处有光学晶体微腔的活动部分，其位移导致光学晶体微腔的活动部分和固定部分的空气槽间隙发生改变，从而影响腔内激光的波长，通过波长与力和扭矩的线性关系，从而测出对应的力和扭矩。
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公开(公告)号：CN118227544A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410334951.6
申请日：2024-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F13/42
Abstract: 本发明公开了一种异构总线并行协同的电路系统及通信方法，所述系统，包括：1个处理器，N个芯片、N个电阻R、N个二极管D；处理器仅通过配置GPIO的工作模式就能实现SPI和I2C并行协同工作，可在SPI和I2C总线同时存在和具有共用引脚的情况下，实现异构总线并行协同工作。本发明的方法不仅能实现同类总线并行通信，提升数据速率，且能够抑制电路中的共模干扰，提升传感精度，还能够解决异构总线只能独立工作的问题，实现异构总线协同工作，节省处理器的引脚，从而极大的降低系统成本、功耗，同时提高系统的数据速率，且降低系统共模干扰。
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公开(公告)号：CN114744408B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210353904.7
申请日：2022-04-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开一种光机结构式毫米波反射波束可控超表面，应用于波束扫描反射阵天线、焦距可调平面器件领域。针对现有光机可控超表面普遍单元尺寸一致，不能独立操控超表面中每个单元的电磁响应特性的问题，即对电磁波的操控灵活度有限。本发明的光机结构式毫米波反射波束可控超表面在不同功率大小的电磁波激励下，超表面单元子阵列中每个单元的非线性响应特性不同，通过对每个单元悬梁臂、空气间隙进行统一设计，并对每个单元的电容器横轴进行独立设计，进而实时动态操控超表面中每个单元的电磁响应，实现更加灵活的可重构功能。本发明为可调谐、可重构超表面实时动态调控提供了一种新思路，补充了国内外基于光‑机械耦合机理的可控超表面技术研究。
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