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公开(公告)号：CN102343551B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110214116.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
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公开(公告)号：CN102990504B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210341971.3
申请日：2012-09-14
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B24B37/08
Abstract: 本发明涉及一种用于在双面处理设备的旋转的上工作盘与旋转的下工作盘之间的至少三个工件的同时双面去除材料处理的方法，其中，所述工件以可自由移动的方式位于引导笼中各开口中，并在压力下由后者在两个工作盘之间形成的工作间隙中移动，其中，在达到所述工件的预先选择的目标厚度后，启动减速过程，在其过程中减小所述上工作盘、下工作盘和引导笼的所有驱动器i的角速度ωi(t)，直至两个工作盘与引导笼停止，其中，以如下方式来减小所有驱动器i的角速度ωi(t)：在此情况下，作为时间t的函数的所有角速度ωi(t)的彼此之间比率与达到预先选择的目标厚度的时刻的比率偏离不大于10%。
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公开(公告)号：CN101722447B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910174645.6
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
Abstract: 用于扁平工件的双面处理的装置包括上、下工作盘，至少一个工作盘可由驱动部件转动，工作盘之间形成工作间隙，至少一个承载盘设在工作间隙中，且具有用于至少一个待处理的工件的至少一个缺口，且该至少一个承载盘在其圆周上具有齿，若齿轮或销环中的至少一个转动，该承载盘通过齿在分别有多个轮齿结构或销结构的内、外齿轮或销环上滚动，承载盘的齿在滚动时与轮齿结构或销结构啮合，至少一个销结构有至少一个引导部，该引导部限制至少一个承载盘的边沿在至少一个轴向上的运动，一个引导部由在销结构的第一较大直径与第二较小直径之间绕着销结构的圆周延伸的至少一个肩部形成，另外的引导部由绕着销结构的圆周延伸的至少一个凹槽的侧表面形成。
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公开(公告)号：CN102990504A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210341971.3
申请日：2012-09-14
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B24B37/08
Abstract: 本发明涉及一种用于在双面处理设备的旋转的上工作盘与旋转的下工作盘之间的至少三个工件的同时双面去除材料处理的方法，其中，所述工件以可自由移动的方式位于引导笼中各开口中，并在压力下由后者在两个工作盘之间形成的工作间隙中移动，其中，在达到所述工件的预先选择的目标厚度后，启动减速过程，在其过程中减小所述上工作盘、下工作盘和引导笼的所有驱动器i的角速度ωi(t)，直至两个工作盘与引导笼停止，其中，以如下方式来减小所有驱动器i的角速度ωi(t)：在此情况下，作为时间t的函数的所有角速度ωi(t)的彼此之间比率与达到预先选择的目标厚度的时刻的比率偏离不大于10%。
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公开(公告)号：CN102867767A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210216148.X
申请日：2012-06-27
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
CPC classification number: B65G1/127 , B65G47/5127 , B65G65/00 , H01L21/67769 , H01L21/67778
Abstract: 本发明涉及用于缓冲储存大量晶片型工件17的装置，包含框架1，至少两个输送元件3，其每个以垂直方向围绕连接在框架上的上部和下部偏向装置5循环，并且以均匀的间隔在其上提供多个承载区域4用于工件17的水平安装，其中驱动每个输送元件3的至少一个偏向装置5，其中在输送元件3之间有自由空间，上部偏向装置5间的装载位置33，在所述位置上，每个工件17可以放置在相应的承载区域4上，和装载位置33下的固定移出装置，包含水平输送装置7、8、9，其第一末端位于输送元件3的自由空间内。本发明还涉及一种用于缓冲储存大量晶片型工件17的方法，其使用上述装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102343551A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110214116.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
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公开(公告)号：CN102126175A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010583577.1
申请日：2010-12-08
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B28D5/00
CPC classification number: H01L21/02024 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及制造半导体晶片的方法，其包括由熔体(2)拉伸由半导体材料组成的单晶(3)，由单晶(3)切割半导体晶片(9)并且抛光所述半导体晶片(9)，其特征在于，利用包含牢固粘结的发挥磨料作用的固体材料的抛光垫进行抛光，在抛光期间添加的抛光剂不包含发挥磨料作用的固体材料并且pH值在9.5至12.5之间，以及在晶体生长期间以强烈的且空间上高频的波动的掺杂剂浓度产生单晶(3)的边缘区域，而以低的且空间上低频的波动的掺杂剂浓度产生中心区域。
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公开(公告)号：CN101106082B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710128724.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/04 , C30B29/60
CPC classification number: B24B37/08
Abstract: 本发明的主题是一种用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法，其中每一半导体晶片都保持在这样的状态，其在通过旋转装置旋转的多个载具中的一个载具的镂空部分内可自由移动，并因此在摆线轨迹上移动，其中以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工半导体晶片，其中每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层。根据本发明的方法能够通过特定运动学制造极平坦的半导体晶片，该半导体晶片同样也是本发明的主题。
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公开(公告)号：CN101920477A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010143294.5
申请日：2010-03-17
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及处理半导体晶片的方法，其包括抛光处理A和抛光处理B；抛光处理A对半导体表面的两侧同时进行材料去除处理，其中使用不含具有研磨作用的物质的抛光衬垫，并加入含有具有研磨作用的物质的抛光剂；抛光处理B对半导体晶片的一侧或两侧进行材料去除处理，其中使用具有微结构表面且不含与半导体晶片接触并比半导体材料更硬的材料的抛光衬垫，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物质的抛光剂。本发明还涉及生产半导体晶片的方法，其包括下列顺序的步骤：(a)将半导体单晶分成晶片；(b)借助于除碎屑处理同时处理半导体晶片的两侧；(c)抛光半导体晶片，其包括抛光处理A和抛光处理B；(d)化学机械抛光半导体晶片的一侧，去除不到1μm。
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公开(公告)号：CN116133815A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060148.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明涉及用于在切片过程期间从工件同时切出多个切片的方法和线锯。该方法的特征在于，基于目标厚度特征值函数TTAR(WP)、节距函数dINI(WP)和厚度特征值函数TINI(WP)选择非线性节距函数dTAR(WP)，其中dTAR(WP)将线引导辊的外壳部中在位置WP处的相邻凹槽与所述切片过程中的节距相关联；TINI(WP)将在多个先前切片过程期间利用线锯在位置WP处获得的切片与在所述切片上测得的厚度特征值相关联；dINI(WP)将线引导辊的外壳部中在位置WP处的相邻凹槽与所述在先前切片过程期间的节距相关联；TTAR(WP)将在所述切片操作期间已在位置WP处切下的切片与目标厚度值相关联；并且WP表示所述相邻凹槽关于所述线引导辊的轴线的轴向位置。
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