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公开(公告)号：CN105914130A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610239081.X
申请日：2010-09-29
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·施万德纳
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02013
Abstract: 用于处理半导体晶片的方法，其中至少一个研磨工具和至少一个半导体晶片的侧面被彼此进给，由此从所述至少一个半导体晶片除去材料，其中粘度最低3 10?3N/m2.s且最高100 10?3N/m2.s的液体介质位于所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片之间，所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片彼此移开以结束处理操作。
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公开(公告)号：CN104476384A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410602266.3
申请日：2012-09-14
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·施万德纳
IPC: B24B37/16
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/16 , B24B37/26 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体晶片双面抛光的方法，其中在每种情况下抛光垫表面均被从中心向边缘螺旋伸展的至少一个沟槽形状的凹陷所中断。通过在两个面上提供抛光剂、局部单独可调节的抛光剂的量及改进的载板，可以实现优化的抛光剂分布，特别是在半导体晶片直径为450mm的情况下。
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公开(公告)号：CN102069448B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010530377.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024
Abstract: 一种用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆；(b)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层；(c)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN101930909B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010193354.4
申请日：2010-05-27
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·施万德纳
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , B28D5/00 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/042 , H01L21/02024
Abstract: 一种生产半导体晶片的方法，包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片，b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片的正面和背面为平面，而边缘区域为圆整倾斜表面。c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学-机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8-15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5-5psi。
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公开(公告)号：CN102189471A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110060042.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02
CPC classification number: H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面，其中所用的抛光垫在与半导体晶片待抛光的表面接触的面上具有包含凸起的表面结构，且抛光垫不含发挥磨料作用的物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102189471B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110060042.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02
CPC classification number: H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面，其中所用的抛光垫在与半导体晶片待抛光的表面接触的面上具有包含凸起的表面结构，且抛光垫不含发挥磨料作用的物质。
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公开(公告)号：CN102059640B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010294189.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·施万德纳
IPC: B24B29/02
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/042 , B24B37/245
Abstract: 用于抛光半导体晶片的方法，包括使用抛光垫对半导体晶片第一面进行FAP(固定研磨剂抛光)，所述抛光垫包括平均粒径为0.1～1.0μm的固定接合的研磨剂，向FAP抛光的半导体晶片第一面涂敷厚度至多为3μm的胶合层，通过FAP抛光的第一面将半导体晶片胶合在抛光机的载板上，并且还对半导体晶片的第二面进行单面化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN102059640A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010294189.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·施万德纳
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/042 , B24B37/245
Abstract: 用于抛光半导体晶片的方法，包括使用抛光垫对半导体晶片第一面进行FAP(固定研磨剂抛光)，所述抛光垫包括平均粒径为0.1～1.0μm的固定接合的研磨剂，向FAP抛光的半导体晶片第一面涂敷厚度至多为3μm的胶合层，通过FAP抛光的第一面将半导体晶片胶合在抛光机的载板上，并且还对半导体晶片的第二面进行单面化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN102029573A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010502716.3
申请日：2010-09-29
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·施万德纳
IPC: B24B37/04 , H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02013
Abstract: 用于处理半导体晶片的方法，其中至少一个研磨工具和至少一个半导体晶片的侧面被彼此进给，由此从所述至少一个半导体晶片除去材料，其中粘度最低310-3N/m2·s且最高10010-3N/m2·s的液体介质位于所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片之间，所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片彼此移开以结束处理操作。
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公开(公告)号：CN101927455A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010158651.5
申请日：2010-04-07
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂。还涉及一种用于抛光半导体晶片的设备中的抛光垫，其包含含磨料层、由硬塑料构成层以及顺应无纺层，其中通过压敏粘合剂层将上述这些层彼此粘合。
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