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公开(公告)号：CN115427194A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180030327.1
申请日：2021-04-12
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及一种用于研磨半导体晶片的方法，其中借助于研磨工具以及冷却剂加工该半导体晶片以便去除材料，该研磨工具包含高度为h的研磨齿，该冷却剂被供应到该半导体晶片与该研磨工具之间的接触区域内，并且在研磨期间的任何时间，借助于喷嘴将冲洗流体施加到该半导体晶片一侧的区域上，其特征在于，该区域与该半导体晶片的中心之间的距离不小于2mm并且不大于10mm。
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公开(公告)号：CN102441826B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110291517.7
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
IPC: B24B7/17 , B24B7/22 , H01L21/304
Abstract: 公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法，其中，每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中，所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动，从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动，同时半导体晶片被处理以在两个转动的环形工作盘之间去除材料，所述环形工作盘包括工作层，且承载盘和/或半导体晶片在处理过程中以它们的表面的一部分暂时离开由工作盘限制的工作间隙，其中，承载盘在与所述工作间隙的中心平面大致共面延伸的运动平面上通过相应地包括环形区域的两个工作盘引导，所述环形区域不包含工作层，且确保在承载盘和/或半导体晶片从所述工作间隙偏移的过程中引导承载盘。
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公开(公告)号：CN102069448A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010530377.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024
Abstract: 一种用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆；(b)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层；(c)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN102343551B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110214116.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
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公开(公告)号：CN101722447B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910174645.6
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
Abstract: 用于扁平工件的双面处理的装置包括上、下工作盘，至少一个工作盘可由驱动部件转动，工作盘之间形成工作间隙，至少一个承载盘设在工作间隙中，且具有用于至少一个待处理的工件的至少一个缺口，且该至少一个承载盘在其圆周上具有齿，若齿轮或销环中的至少一个转动，该承载盘通过齿在分别有多个轮齿结构或销结构的内、外齿轮或销环上滚动，承载盘的齿在滚动时与轮齿结构或销结构啮合，至少一个销结构有至少一个引导部，该引导部限制至少一个承载盘的边沿在至少一个轴向上的运动，一个引导部由在销结构的第一较大直径与第二较小直径之间绕着销结构的圆周延伸的至少一个肩部形成，另外的引导部由绕着销结构的圆周延伸的至少一个凹槽的侧表面形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102343551A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110214116.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
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公开(公告)号：CN101106082B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710128724.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/04 , C30B29/60
CPC classification number: B24B37/08
Abstract: 本发明的主题是一种用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法，其中每一半导体晶片都保持在这样的状态，其在通过旋转装置旋转的多个载具中的一个载具的镂空部分内可自由移动，并因此在摆线轨迹上移动，其中以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工半导体晶片，其中每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层。根据本发明的方法能够通过特定运动学制造极平坦的半导体晶片，该半导体晶片同样也是本发明的主题。
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公开(公告)号：CN102610510B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210023094.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B37/28
CPC classification number: B24B37/28
Abstract: 本发明涉及适合于接收一个或多个半导体晶片以在磨削装置、研磨装置或抛光装置的两个工作盘之间对其进行双面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料组成的芯部，其中第一表面和第二表面各自带有完全或部分地覆盖第一表面和第二表面的由第二材料组成的涂层，以及至少一个用于接收半导体晶片的开口，其中涂层的背离芯部的表面具有由凸起和凹坑构成的结构，其特征在于，所述结构的凸起和凹坑的相关长度在0.5mm至25mm的范围内，并且所述结构的纵横比在0.0004至0.4的范围内。本发明还涉及用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的方法，其中使用所述嵌件托架。
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公开(公告)号：CN102169821B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110031231.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/02008
Abstract: 用于生产半导体晶片的方法，其依次包括：(a)从单晶切下的半导体晶片的同步双面材料去除加工，其中半导体晶片在两个旋转的环状工作盘之间加工，其中每个工作盘含平均粒度为5.0～20.0μm的研磨剂；(b)用碱性介质处理半导体晶片的两个面；(c)研磨半导体晶片的正面和背面，其中每一情况下半导体晶片的一面都通过晶片固定器稳固地固定，而另一面则通过研磨工具加工；其中研磨工具含平均粒度为1.0～10.0μm的研磨剂，其中研磨剂的平均粒度小于步骤(a)使用的工作盘的研磨剂的平均粒度；(d)通过含平均粒度为0.1～1.0μm的研磨剂的抛光垫抛光半导体晶片的两个面；(e)通过不含研磨剂的切削抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时提供含有研磨剂的抛光剂；(f)正面的化学机械抛光(CMP)。
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公开(公告)号：CN102169821A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110031231.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/02008
Abstract: 用于生产半导体晶片的方法，其依次包括：(a)从单晶切下的半导体晶片的同步双面材料去除加工，其中半导体晶片在两个旋转的环状工作盘之间加工，其中每个工作盘含平均粒度为5.0～20.0μm的研磨剂；(b)用碱性介质处理半导体晶片的两个面；(c)研磨半导体晶片的正面和背面，其中每一情况下半导体晶片的一面都通过晶片固定器稳固地固定，而另一面则通过研磨工具加工；其中研磨工具含平均粒度为1.0～10.0μm的研磨剂，其中研磨剂的平均粒度小于步骤(a)使用的工作盘的研磨剂的平均粒度；(d)通过含平均粒度为0.1～1.0μm的研磨剂的抛光垫抛光半导体晶片的两个面；(e)通过不含研磨剂的切削抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时提供含有研磨剂的抛光剂；(f)正面的化学机械抛光(CMP)。
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