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公开(公告)号：CN105283936A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480030101.1
申请日：2014-08-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种染料敏化太阳能电池的对电极活性物质的再活化方法、以及应用了该方法的染料敏化太阳能电池的再生方法、染料敏化太阳能电池的催化剂层、对电极、电解液及染料敏化太阳能电池，其中所述染料敏化太阳能电池的再生方法包括通过将被染料敏化太阳能电池的电解液中的氧化还原对还原的导电性高分子再生，能够使暂时降低的染料敏化太阳能电池的发电性能恢复至初始性能，可以防止染料敏化太阳能电池的发电性能的降低。本发明是一种染料敏化太阳能电池的对电极活性物质的再活化方法，其是对染料敏化太阳能电池的对电极活性物质进行再活化的方法，所述染料敏化太阳能电池具有由含有至少一种以上的导电性高分子作为对电极活性物质的催化剂层构成的对电极，该方法包括：通过化学氧化或电化学氧化对所述导电性高分子进行再氧化。
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公开(公告)号：CN105189817A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480014032.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: C23C24/04 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0045 , H01L51/0046 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: [1]一种复合膜的制造方法，该复合膜含有无机半导体和导电助剂，其中，将上述无机半导体和上述导电助剂以物理方式喷涂至基材而制膜。[2]上述制造方法中，进一步对上述通过喷涂而制成的复合膜进行下述处理：使上述复合膜与含有电子传导带的能量低于上述导电助剂的化合物或上述化合物的前体的溶液接触。[3]上述制造方法中，使用由在氧存在下加热时产生热氧化反应的材料构成的导电助剂作为上述导电助剂，将含有上述无机半导体及上述导电助剂的复合微粒喷涂至基材而制膜。[4]上述制造方法中，上述复合微粒为混合由上述无机半导体构成的微粒和由构成上述导电助剂的材料构成的微粒而成的混合粉末。[5]上述制造方法中，上述导电助剂的含碳率为50质量％。
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公开(公告)号：CN105164316A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480024102.5
申请日：2014-07-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2027 , C23C24/04 , H01G9/0029 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种半导体膜的制造方法，其特征在于，通过将含有半导体粒子的原料粒子吹附于基材而在所述基材上制成半导体膜，该半导体粒子是使抑制半导体粒子彼此凝聚的凝聚抑制物质附着于表面而成的半导体粒子。
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公开(公告)号：CN103155116B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180046520.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明的目的在于将含硅物的蚀刻量的控制简化。在前处理工序中，从前处理喷嘴(42)吹出含有第二氧化性反应成分的处理流体，使其与被处理物(9)接触。接着，在蚀刻处理工序中，在利用移动装置(20)以横穿处理空间(39)内的方式使被处理物(9)移动的同时，将含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体供给至处理空间(39)，使其与被处理物(9)接触。
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公开(公告)号：CN102149460A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135309.9
申请日：2009-09-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: B01J19/08 , B01D53/22 , H01L21/3065
CPC classification number: B01D53/229 , B01D2257/2027 , B01D2258/0216 , H01L21/32137
Abstract: 在大气压等离子体处理中，抑制氟原料的回收率或回收浓度的波动，以保证处理的稳定性。通过分离部(4)的分离膜(41)将离开大气压等离子体处理部(2)到达废气管线(30)的废气分离成用于回收管线(50)的回收气体和用于释放管线(60)的释放气体。将回收气体用作处理气体的至少一部分。在分离时，根据处理气体的流率调整回收气体、释放气体和废气中的至少两种气体的与分离相关的物理量(优选压力)，使得氟原料的回收率或回收浓度中的一项或两项达到期望值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102132386A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132762.4
申请日：2009-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。
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公开(公告)号：CN101097849B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710143726.0
申请日：2005-07-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , G02F1/13 , G02F1/1333
Abstract: 为了提高移除例如晶片的基板(90)的外周部上的不需要物质的效率，以及为了防止颗粒粘附到所述基板(90)上，提出本发明。反应性气体从喷射喷嘴(75)以如此方式朝向所述基板(90)的所述外周部的目标点(P)喷射出，即当从与所述基板(90)正交的方向上看时，所述反应性气体被使得大致沿所述基板上的目标点处的圆周方向流动。靠近所述目标点(P)的气体在所述目标点(P)的下游侧大致沿所述圆周方向被抽吸喷嘴(76)吸入。
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公开(公告)号：CN101097849A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710143726.0
申请日：2005-07-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , G02F1/13 , G02F1/1333
Abstract: 为了提高移除例如晶片的基板(90)的外周部上的不需要物质的效率，以及为了防止颗粒粘附到所述基板(90)上，提出本发明。反应性气体从喷射喷嘴(75)以如此方式朝向所述基板(90)的所述外周部的目标点(P)喷射出，即当从与所述基板(90)正交的方向上看时，所述反应性气体被使得大致沿所述基板上的目标点处的圆周方向流动。靠近所述目标点(P)的气体在所述目标点(P)的下游侧大致沿所述圆周方向被抽吸喷嘴(76)吸入。
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公开(公告)号：CN111566822A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201980008021.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L31/0463 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种太阳能电池的制造方法，其能够设置沿着基材的流向形成的连续的长切削线，能够抑制因切削线断开所导致的不良的发生。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：工序(1)：在长条状的基材上制膜出下部电极，对上述下部电极进行切削加工，设置沿着上述基材的流向形成的切削线；工序(2)：在设有上述切削线的下部电极上制膜出光电转换层，对上述光电转换层进行切削加工，设置沿着上述基材的流向形成的切削线；以及工序(3)：在设有上述切削线的光电转换层上制膜出上部电极，对上述上部电极进行切削加工，设置沿着上述基材的流向形成的切削线，上述工序(1)～(3)之中的至少1个工序中的切削加工具有以下工序：工序(a)：设置第一切削线；工序(b)：设置第二切削线；以及工序(c)：设置第三切削线。
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公开(公告)号：CN107112140B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201680005099.1
申请日：2016-02-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种敏化染料染色液，其具有混合溶剂和敏化染料，其中，所述混合溶剂含有(A)含氮溶剂、(B)醇类溶剂及(C)含硫溶剂，并以1mM以上的浓度溶解有所述敏化染料。一种光电极的制造方法，其包括下述工序：通过使所述敏化染料染色液接触形成于基材上的半导体膜，利用所述敏化染料对所述半导体膜进行染色。
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