公开(公告)号：CN1991581A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3－20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3－6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN1269254C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN02119206.5

申请日：2002-05-10

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  第一毛织株式会社

Inventor： 金镇诚 ,  白旻善 ,  朴晸俊 ,  金荣圭 ,  金钟涉 ,  金学洙 ,  李尚俊 ,  罗载澔 ,  黄相文 ,  金赞中

IPC: H01M10/40 ,  H01M10/36

CPC classification number: H01M10/0567 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2300/0037

Abstract: 提供一种锂二次电池的非水电解液。该电解液包括：锂盐，非水溶剂，及通式(1)所示的有机化合物，其中R1～R6选自：伯、仲和叔烷基，烯基，以及芳基。

公开(公告)号：CN1317160A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN99810568.6

申请日：1999-12-24

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 金钟涉 ,  金荣圭 ,  张斗远 ,  金珖植 ,  金镇诚 ,  安基训

IPC: H01M10/40

CPC classification number: H01M6/164 ,  H01M6/166 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明涉及一种用于电池的、不含水的电解质组合物，它包括氟代苯组份和碳酸酯组份的混合物，其中氟代苯组份和碳酸酯组份的体积比在50∶50～5∶95之间。从电池的低温性能、电池寿命和高温放电能力来看，本发明的不含水的电解质组合物相对于只使用碳酸酯溶剂的电解质组合物具有明显的优点。

公开(公告)号：CN102695770B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201080060217.1

申请日：2010-12-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  申峻乎 ,  郑斗瑛 ,  车承桓 ,  安炫贞 ,  崔荣恩

IPC: C09K3/10 ,  C08L83/04 ,  C08G77/04

CPC classification number: C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/80

Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物，包括通过将由化学式1表示的第一硅化合物和包含由化学式2表示的化合物的第二硅化合物共聚而获得的聚硅氧烷。还提供了包含通过将所述透光树脂组合物硬化而获得的封装材料的电子装置。

公开(公告)号：CN102432841B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110306447.8

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  邢敬熙 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/02 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 提供了萘主链聚合物和含有该萘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式B表示的萘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。

公开(公告)号：CN101641390B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200780052470.0

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  邢敬熙 ,  李镇国 ,  金钟涉 ,  田桓承 ,  南伊纳 ,  纳塔利娅·托克列娃

IPC: C08G61/12

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合于光刻，提供了良好的光学和机械性能，并且表现出高蚀刻选择性。此外，该硬掩模组合物可以容易地通过旋涂(spin-on)施加技术而施用。有利地，该硬掩模组合物可用于短波长光刻并具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：CN101490621B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200780025924.5

申请日：2007-11-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  林相学 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3Si-X(1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6-C30官能团，而R1是C1-C6烷基；[R2O]3Si-R3(2)，其中R2是C1-C6烷基，而R3是C1-C12烷基；以及[R4O]3Si-Y-Si[OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1-C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1-C20亚烷基、含有芳环的C1-C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2-C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN101449207B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200680054744.5

申请日：2006-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  邢敬熙 ,  南伊纳

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物，其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外，该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地，该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺，并具有最小的剩余酸含量。

公开(公告)号：CN102687075A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080060219.0

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  李雨晋 ,  韩权愚 ,  李汉松 ,  金相均 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C08G77/80 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN101205291B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200710302240.7

申请日：2007-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 邢敬熙 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/10 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式1-3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。