有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置

    公开(公告)号:CN101188198A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200710168156.0

    申请日:2007-11-13

    Abstract: 本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有:在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料,形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度膜4B的第1工序;和通过低结晶度膜4B的加热·加压,在对低结晶度膜4B整形的同时提高低结晶度膜4B的结晶度,形成有机强电介质膜4的第2工序。

    电子器件的制造方法、电子器件及电子设备

    公开(公告)号:CN101118950A

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200710139906.1

    申请日:2007-08-03

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供一种能够有效地制造具备以高尺寸精度形成为规定形状的图案的高密度的有机薄膜的高性能的电子器件的制造方法、利用这种电子器件的制造方法制造的电子器件及具备这种电子器件的电子设备。本发明的电子器件的制造方法包括:以覆盖在基板(50)上形成的源电极(3)、漏电极(4)等的方式形成用可以与第二化合物结合的第一化合物构成的被膜的第一工序;通过向所述被膜照射光并选择性地使已照射光的区域的被膜残存,得到第一层(61)的第二工序;通过使含有所述第二化合物的液体与第一层(61)接触,使所述第一化合物与所述第二化合物结合,得到第二层(62),得到由第一层(61)和第二层(62)的层叠体构成的栅绝缘层(6)的第三工序。

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