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公开(公告)号：CN115172390A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211070973.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种显示面板及其制造方法，涉及LED显示技术领域。其包括：像素限定层，设置于层间介质层上且具有至少一个开口，开口露出第一图案和第二图案；像素限定层的上表面具有凹入部，凹入部中具有高度不高于像素限定层的上表面的多个尖针；静电释放层，具有与所述多个尖针共形的多个尖端部以及连接尖端部和第二图案的连接部；盖板，接合于像素限定层的上表面上，且具有正对尖端部的透明导电层。本发明实施例的结构利用像素限定层形成尖针并进行静电释放层的共形形成，以此实现有源层的静电释放路径远离有源层，保证有源层的可靠性。
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公开(公告)号：CN112289908B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010950414.6
申请日：2020-09-11
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片巨量转移的方法，本发明利用膨胀材料的热膨胀性质顶起粘合膜，实现mini‑LED芯片的转移，其方法简单，且精度较高。进一步的，在回流焊接时，施加激光或加热可以同时进行，此时，凸起部在回流焊接时给予多个mini‑LED芯片以压力，回流焊接无需额外的施加压力。
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公开(公告)号：CN114725253A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210562330.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示基板及其制造方法。通过设置相邻两个Micro‑LED单元之间具有贯穿开口，设置第一绝缘层填满所述贯穿开口且覆盖每个所述Micro‑LED单元的第一半导体层，进而在所述第一绝缘层上沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填充所述第一开孔且覆盖所述第一凹槽的侧壁和底面，对所述第一金属层进行图案化处理，以在每个所述Micro‑LED单元上形成第一导电部和第一散热部，且通过设置所述第一凹槽的深度超过所述有源发光层所处的位置，进而使得第一散热部覆盖所述有源发光层的侧面。同时在所述第一散热部上形成有第一散热凸起，并在所述第二散热部的顶端设置一凹部，以同时起到了提高转移精确度和提高散热性能的作用。
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公开(公告)号：CN118867074B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411339148.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示面板及其形成方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的Micro‑LED显示面板的形成方法中，通过在第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行排列的条形透明导电凸块，接着形成第二透明导电层，且设置第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，第二透明导电层为氧化铟锡，通过上述设置，可以大大提高电流的扩散性能，进而可以提高Micro‑LED单元的发光性能。
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公开(公告)号：CN118867073B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411339138.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多Micro‑LED芯片封装体及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的多Micro‑LED芯片封装体的制备方法中，通过优化第一氧化锆钝化层、第二氧化锆钝化层以及第三氧化锆钝化层的制备工艺，使得各氧化锆钝化层的表面为粗糙结构，进而在后续形成各金属层时，可以有效提高二者的结合性能，进而可以有效避免各金属层剥离，且通过形成第一金属层、第二金属层以及第三金属层，为各Micro‑LED芯片与第二电极之间提供多条导电通路，在后续的使用过程中，即使某一个导电通路发生断路，这也不妨碍各Micro‑LED芯片的正常使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118782697B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411267274.7
申请日：2024-09-11
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光元件的封装结构及其制备方法，涉及半导体发光技术领域。在本申请的发光元件的封装结构的制备方法中，通过在载体基板上进行第一次静电喷涂处理形成第一封装层，在第一封装层上进行第二次静电喷涂处理形成第二封装层，对每个LED芯片的侧面进行金属离子注入处理，使得金属离子注入到所述第一封装层和所述第二封装层中，并进行热处理，使得注入到所述第一封装层和所述第二封装层中的金属离子团聚以形成金属纳米颗粒，进而使得该第一封装层和第二封装层具有反射功能，进而在形成的发光元件封装模块中，可以有效减少相邻LED芯片之间的光串扰，且便于提高每个LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN118969937A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411413947.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种AR/VR全彩Micro‑LED显示装置及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的AR/VR全彩Micro‑LED显示装置的制备方法中，通过设置层叠设置的第一保护层、第二保护层以及第三保护层，且第二保护层的密度大于第一保护层的密度，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6‑1.5g/cm3；所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度，通过设置密度逐渐变化的第二保护层，进而使得第二保护层的致密性逐渐提高，有效保护第一保护层的同时，使得第二保护层的外表面的刚性增加，且第三保护层的刚性更大，进而在后续转移工序以及使用过程中，有效保护Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN117153995A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311413412.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED封装膜层及LED封装结构，其将透明导光体和密封层复合，可以防止密封树脂老化造成的颜色偏差，且可以使得出光的高亮度区域较宽，其可以防止相邻LED芯片之间出现暗区。特别的，透明导光体为双层的透明陶瓷材料，其上层和下层具有不同的尺寸，且我司特别研究了关于其锯齿数量和上下层的半径之间的特殊关系，发现在n1/n2=A·R1/R2，A的取值范围是0.8‑1.4时，可以实现较好的白色出光均匀度，且出光亮度较为均匀。
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公开(公告)号：CN116914062A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311183740.9
申请日：2023-09-14
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种微型发光单元的转移方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的微型发光单元的转移方法中，通过拉伸所述弹性转移基板，使得相邻所述微型发光单元的间距变大，然后从所述弹性转移基板的背面压入所述间距调节板，使得所述调节凸块突出于所述弹性转移基板，停止拉伸所述弹性转移基板，使得所述弹性转移基板回弹，进而使得相邻的两个微型发光单元均抵接一个调节凸块，以使得相邻所述微型发光单元的间距变为d2，通过上述调节方法可以方便精确调整相邻微型发光单元之间的间距，进而在后续的在转移工序中，便于弹性转移基板与目标基板精确对位，提高转移效率，增加转移良率。
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公开(公告)号：CN116130473A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310398823.3
申请日：2023-04-14
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L21/683 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED元件的转移方法，涉及微发光二极管显示制造领域。在将具有外延单元的生长衬底与第二转移基板接合之前，先对所述生长衬底的第二表面进行第一刻蚀处理，以在所述生长衬底的第二表面形成多个环形凹槽，然后再将所述第二转移基板贴设在所述生长衬底的第二表面上，对所述第二转移基板进行热处理，使得所述第二转移基板的一部分软化流动而填充所述多个环形凹槽，接着冷却所述第二转移基板，以固定所述生长衬底，通过上述设置方式，一方面可以增加所述生长衬底与所述第二转移基板的接合稳固性，另一方面则是可以确保相邻外延单元之间的间距不会因为与所述第二转移基板接合而发生变化，进而不会导致转移良率降低。
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