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公开(公告)号：CN113009777B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110239537.3
申请日：2017-05-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模及显示装置的制造方法。在制造具有包括遮光部、半透光部及透光部的转印用图案的光掩模时，准备在透明基板(1)上层叠了半透光膜(2)、中间膜(3)及遮光膜(4)而成的光掩模坯体，通过蚀刻将成为遮光部的区域以外的区域的遮光膜(4)去除，然后形成抗蚀剂膜(6)。接着，对抗蚀剂膜(6)进行描画及显影而形成了抗蚀剂图案(6a)，然后通过蚀刻将半透光膜(2)去除。半透光膜(2)和遮光膜(4)都由Cr类材料形成，在将与透光部及半透光部分别相邻的遮光部设为中间遮光部时，在抗蚀剂图案形成工序中形成具有开口的抗蚀剂图案(6a)，该开口的尺寸相对于与中间遮光部相邻的透光部的设计尺寸A(μm)，在与中间遮光部相邻的边缘侧每一侧增加了裕量α(μm)。
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公开(公告)号：CN104950569B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201510135040.1
申请日：2015-03-26
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/44
Abstract: 本发明获得一种能够形成尺寸精度较高的转印用图案的光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法。该方法是在透明基板上具备对光学膜进行图案化所得到的转印用图案的光掩模的制造方法，具有准备光掩模基板的工序、描绘工序、抗蚀剂图案形成工序、和光学膜图案化工序，在上述描绘工序中使用包括用于形成上述转印用图案的转印用图案数据、和用于形成监测图案的监测图案数据的图案数据来进行描绘，上述光学膜图案化工序包括对上述光学膜实施规定时间的蚀刻的第1蚀刻、以及基于上述监测图案的尺寸测量、和通过上述尺寸测量所得到的上述监测图案的尺寸对上述光学膜实施追加的蚀刻的第2蚀刻。
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公开(公告)号：CN105892226B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610307797.9
申请日：2013-10-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/80 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供电子器件、光掩模和和显示装置的制造方法。电子器件的制造方法具有以下工序：在基板上形成第1薄膜的工序；第1薄膜图案形成工序，对第1薄膜或形成在第1薄膜上的第1抗蚀剂膜实施使用了第1光掩模的第1曝光，由此将第1薄膜构图成为第1薄膜图案；在形成有第1薄膜图案的基板上形成第2薄膜的工序；第2薄膜图案形成工序，对第2薄膜或形成在第2薄膜上的第2抗蚀剂膜实施使用了第2光掩模的第2曝光，由此将第2薄膜构图成为形状与第1薄膜图案不同的第2薄膜图案，其中，第1光掩模具有第1转印用图案，并且第2光掩模是具有对第1光掩模具有的第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN107402496A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710333361.1
申请日：2017-05-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模的制造方法、光掩模及显示装置的制造方法，实现图案的CD精度及坐标精度良好的光掩模。在制造具有包括遮光部、半透光部及透光部的转印用图案的光掩模时，准备在透明基板(1)上层叠了半透光膜(2)、中间膜(3)及遮光膜(4)而成的光掩模坯体，通过蚀刻将成为遮光部的区域以外的区域的遮光膜(4)去除，然后形成抗蚀剂膜(6)。接着，对抗蚀剂膜(6)进行描画及显影而形成了抗蚀剂图案(6a)，然后通过蚀刻将半透光膜(2)去除。半透光膜(2)和遮光膜(4)都由Cr类材料形成，在将与透光部及半透光部分别相邻的遮光部设为中间遮光部时，在抗蚀剂图案形成工序中形成具有开口的抗蚀剂图案(6a)，该开口的尺寸相对于与中间遮光部相邻的透光部的设计尺寸A(μm)，在与中间遮光部相邻的边缘侧每一侧增加了裕量α(μm)。
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公开(公告)号：CN106019807A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610146972.0
申请日：2016-03-15
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供光掩模的制造方法、光掩模及平板显示器的制造方法，该光掩模具有微细且高精度的转印用图案。准备在透明基板上层叠下层膜、蚀刻阻止膜及上层膜而得到的光掩模坯体。下层膜利用能够通过上层膜的蚀刻而进行蚀刻的材料形成，蚀刻阻止膜利用对上层膜的蚀刻具有耐性的材料形成。使用该光掩模坯体顺序地进行上层膜预备蚀刻工序、蚀刻阻止膜蚀刻工序、下层膜蚀刻工序，然后进行上层膜侧蚀刻工序，通过对上层膜进行侧蚀刻，形成上层膜的边缘比下层膜的边缘后退了规定宽度量的缘部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105911812A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610097419.2
申请日：2016-02-23
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模、光掩模组、光掩模及显示装置的制造方法，即使是更细微化、集成度更高的显示装置，也能够以良好的成品率稳定地进行生产。一种具有转印用图案的光掩模，该转印用图案是对形成在透明基板上的半透光膜和遮光膜分别进行构图而得到的，其特征在于，所述转印用图案包含透光部、遮光部、半透光部以及半透光缘部，所述透光部与宽度为W(μm)的所述半透光缘部相邻，所述半透光缘部与所述遮光部相邻，并且0＜W≦0.3。
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公开(公告)号：CN103676468B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310439264.2
申请日：2013-09-24
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/80
Abstract: 光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法。其中多色调光掩模包含透光部、遮光部、第1半透光部和第2半透光部，第1半透光部是在透明基板上形成第1半透光膜而成，第2半透光部是在透明基板上形成第2半透光膜而成，所述制造方法具有：在透明基板上层叠第1半透光膜、遮光膜和第1抗蚀剂膜；对第1抗蚀剂膜实施第1描绘来形成第1抗蚀剂图案；蚀刻遮光膜和第1半透光膜；形成第2半透光膜和第2抗蚀剂膜；对第2抗蚀剂膜实施第2描绘来形成第2抗蚀剂图案；蚀刻第2半透光膜，以在第1半透光部与第2半透光部的边界处，第1半透光膜和第2半透光膜的周缘部具有预定范围的重叠量的重叠的方式形成第1描绘或第2描绘的描绘数据。
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公开(公告)号：CN101546116B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910129752.7
申请日：2009-03-26
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法。本发明的多色调光掩模的制造方法在透明基板(21)上分别形成遮光膜(22)以及透过曝光光的一部分的半透光膜(24)，并通过对各个膜实施规定的构图而形成含有遮光部、透过曝光光的一部分的半透光部以及透光部的转印图案，该制造方法的特征在于，对所述半透光膜(24)和所述遮光膜(22)分别实施基于湿蚀刻的构图，形成所述转印图案，对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，改变所述半透光膜(24)的曝光光透过率变化，减小所述转印图案中存在的半透光部的透过率面内分布范围。
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公开(公告)号：CN101900932A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010189816.5
申请日：2010-05-26
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供多色调光掩模、多色调光掩模制造方法以及图案转印方法。更加精密地控制在被转印体上形成的抗蚀剂图案的级差形状。多色调光掩模在透明基板上形成有包含遮光部、透光部、第1半透光部和第2半透光部在内的转印图案，其中，第1半透光部针对曝光光的透过率小于第2半透光部针对曝光光的透过率，对透过第1半透光部的曝光光与透过第2半透光部的曝光光之间的相位差进行控制，以使由透过第1半透光部的曝光光与透过第2半透光部的曝光光之间的干涉而形成的光强度为透过第1半透光部的曝光光的强度以上。
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公开(公告)号：CN100565195C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510063771.6
申请日：2005-03-31
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G01N21/956 , G02F1/13
CPC classification number: G03F1/84 , G01N21/956
Abstract: 本发明提供一种通过使不匀缺陷清晰显现来高精度地检测不匀缺陷的图形不匀缺陷检查方法和装置。不匀缺陷检查装置(10)具有：照明装置(12)，朝在表面具有由单位图形规则排列而成的重复图形的芯片(55)的光掩模(50)照射光；以及受光器(13)，接受在上述光掩模的芯片中的重复图形的单位图形的边缘部发生的散射光并转换成受光数据；分析该受光数据，检测在重复图形发生的不匀缺陷；上述照明装置把从照明用光源发出的具有接近于平行光的方向性的光，例如平行度为2°以内的光，朝光掩模(50)的芯片(55)中的重复图形(51)照射。
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