光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法

    公开(公告)号:CN104656370B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201410675995.1

    申请日:2014-11-21

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法,对于光掩模而言,即便是CD低于3μm的细微图案,也可以在被转印体上稳定地形成,此外,充分抑制了其面内的CD偏差。本发明涉及一种光掩模的制造方法,其为具有包含光学膜图案的转印用图案的光掩模的制造方法,该光学膜图案是含有Cr的光学膜在透明基板上进行图案化而成的,该光掩模的制造方法具有以下工序:准备在上述透明基板上具有上述光学膜的光掩模中间体的工序;对上述光学膜照射真空紫外线而将上述光学膜的膜质改质的改质工序;在上述改质后的光学膜上涂布光致抗蚀膜的工序;对上述光致抗蚀膜进行描绘和显影而形成抗蚀图案的工序;使用上述抗蚀图案对上述光学膜进行湿式蚀刻而形成上述光学膜图案的蚀刻工序;和除去上述抗蚀图案的工序。

    光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109388018B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN201810877657.4

    申请日:2018-08-03

    Abstract: 本发明涉及光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法。[课题]本发明提供在稳定的条件下高效地对相移膜进行修正的方法及其相关技术。[解决手段]一种在透明基板上具备将遮光膜和半透光膜分别进行图案化而形成的、具有透光部、遮光部和宽度d1(μm)的半透光部的转印用图案的光掩模的修正方法,修正方法具有:确定在半透光部产生的缺陷的工序;和在所确定的缺陷的位置形成修正膜从而形成具有d2(μm)的宽度的修正半透光部的修正膜形成工序,该修正方法中,d1 T1且d2 d1。

    光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109491193B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201811056319.0

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法,以稳定的条件高效地修正在转印用图案上产生的缺陷,并恢复该转印用图案的转印性。光掩模具备在透明基板上形成的转印用图案。转印用图案包括:主图案,其由透光部构成,直径为W1(μm);辅助图案,其配置在主图案的附近,不被曝光装置析像,具备宽度d(μm);及遮光部,其构成除了主图案和辅助图案以外的区域。遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而成的。辅助图案具有针对曝光用光的代表波长的光的透射率T(%),并且隔着遮光部而将主图案的周围包围。在辅助图案上产生白缺陷且该白缺陷为辅助图案的面积的1/8以下时,在白缺陷部分形成遮光性的补充膜。

    多色调光掩模、多色调光掩模的制造方法和图案转印方法

    公开(公告)号:CN101963753B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201010238214.4

    申请日:2010-07-23

    Abstract: 本发明涉及多色调光掩模、多色调光掩模的制造方法和图案转印方法,所述多色调光掩模在透明基板上形成有规定的转印图案,所述规定的转印图案含有遮光部、透光部和半透光部。遮光部在透明基板上层积有半透光膜和遮光膜而成。透光部露出透明基板。半透光部是形成于透明基板上的半透光膜露出而成的。半透光膜具有第1半透光层和层积于第1半透光层上的第2半透光层。以构成半透光部的第2半透光层的膜厚小于构成遮光部的第2半透光层的膜厚的方式进行了减膜。

    光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法

    公开(公告)号:CN104656370A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201410675995.1

    申请日:2014-11-21

    CPC classification number: G03F1/56 G03F1/26 G03F7/0035

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法,对于光掩模而言,即便是CD低于3μm的细微图案,也可以在被转印体上稳定地形成,此外,充分抑制了其面内的CD偏差。本发明涉及一种光掩模的制造方法,其为具有包含光学膜图案的转印用图案的光掩模的制造方法,该光学膜图案是含有Cr的光学膜在透明基板上进行图案化而成的,该光掩模的制造方法具有以下工序:准备在上述透明基板上具有上述光学膜的光掩模中间体的工序;对上述光学膜照射真空紫外线而将上述光学膜的膜质改质的改质工序;在上述改质后的光学膜上涂布光致抗蚀膜的工序;对上述光致抗蚀膜进行描绘和显影而形成抗蚀图案的工序;使用上述抗蚀图案对上述光学膜进行湿式蚀刻而形成上述光学膜图案的蚀刻工序;和除去上述抗蚀图案的工序。

    多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法

    公开(公告)号:CN101546116B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200910129752.7

    申请日:2009-03-26

    Abstract: 多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法。本发明的多色调光掩模的制造方法在透明基板(21)上分别形成遮光膜(22)以及透过曝光光的一部分的半透光膜(24),并通过对各个膜实施规定的构图而形成含有遮光部、透过曝光光的一部分的半透光部以及透光部的转印图案,该制造方法的特征在于,对所述半透光膜(24)和所述遮光膜(22)分别实施基于湿蚀刻的构图,形成所述转印图案,对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理,改变所述半透光膜(24)的曝光光透过率变化,减小所述转印图案中存在的半透光部的透过率面内分布范围。

    多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法

    公开(公告)号:CN101546116A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200910129752.7

    申请日:2009-03-26

    Abstract: 多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法。本发明的多色调光掩模的制造方法在透明基板(21)上分别形成遮光膜(22)以及透过曝光光的一部分的半透光膜(24),并通过对各个膜实施规定的构图而形成含有遮光部、透过曝光光的一部分的半透光部以及透光部的转印图案,该制造方法的特征在于,对所述半透光膜(24)和所述遮光膜(22)分别实施基于湿蚀刻的构图,形成所述转印图案,对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理,改变所述半透光膜(24)的曝光光透过率变化,减小所述转印图案中存在的半透光部的透过率面内分布范围。

    光掩模、显示装置的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114660887A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210373658.1

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明提供光掩模、显示装置的制造方法。光掩模具有在透明基板上形成的转印用图案,转印用图案包括:主图案,其由透光部构成,直径为W1;辅助图案,其配置在所述主图案的附近,不被曝光装置析像,具备宽度d;及遮光部,其构成除了主图案和辅助图案之外的区域,遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而成的,辅助图案隔着遮光部而包围主图案的周围,且由在透明基板上形成半透光膜而成的相移部构成,该半透光膜具有使曝光用光的代表波长的光在大致180度的范围内相移的相位特性,并且具有针对代表波长的光的透射率T,辅助图案的一部分区域的透射光量比辅助图案的其他区域的透射光量低,光掩模被实施了扩张主图案的宽度的扩张修正。

    光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109491193A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811056319.0

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法,以稳定的条件高效地修正在转印用图案上产生的缺陷,并恢复该转印用图案的转印性。光掩模具备在透明基板上形成的转印用图案。转印用图案包括:主图案,其由透光部构成,直径为W1(μm);辅助图案,其配置在主图案的附近,不被曝光装置析像,具备宽度d(μm);及遮光部,其构成除了主图案和辅助图案以外的区域。遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而成的。辅助图案具有针对曝光用光的代表波长的光的透射率T(%),并且隔着遮光部而将主图案的周围包围。在辅助图案上产生白缺陷且该白缺陷为辅助图案的面积的1/8以下时,在白缺陷部分形成遮光性的补充膜。

    光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109388018A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201810877657.4

    申请日:2018-08-03

    Abstract: 本发明涉及光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法。[课题]本发明提供在稳定的条件下高效地对相移膜进行修正的方法及其相关技术。[解决手段]一种在透明基板上具备将遮光膜和半透光膜分别进行图案化而形成的、具有透光部、遮光部和宽度d1(μm)的半透光部的转印用图案的光掩模的修正方法,修正方法具有:确定在半透光部产生的缺陷的工序;和在所确定的缺陷的位置形成修正膜从而形成具有d2(μm)的宽度的修正半透光部的修正膜形成工序,该修正方法中,d1 T1且d2 d1。

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