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公开(公告)号：CN112740105A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061305.4
申请日：2019-09-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备蚀刻停止膜的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于在将图案形成用薄膜进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，薄膜由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，在蚀刻停止膜中，铪的含量相对于铪及铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。
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公开(公告)号：CN110673435A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910950357.9
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105739233B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610184327.8
申请日：2011-04-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9％。
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公开(公告)号：CN109643056A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050888.1
申请日：2017-08-02
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/58 , H01L21/3065
Abstract: 本发明将具有由氮化硅材料构成的单层的相移膜中难以实现的20％以上的透过率的相移膜通过具有两组以上的由从透光性基板侧起依次配置的低透过层和高透过层构成为一组层叠结构的结构实现，且提供具备这种相移膜的掩模坯料。在透光性基板上具备相移膜的掩模坯料中，相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以20％以上的透过率透过的功能，相移膜具有两组以上的由低透过层和高透过层构成为一组的层叠结构，且低透过层由氮化硅系材料形成，高透过层由氧化硅系材料形成，设置于最上的高透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚，低透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN105739233A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610184327.8
申请日：2011-04-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9％。
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公开(公告)号：CN102834773B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180018078.0
申请日：2011-04-08
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , B82Y30/00 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , G03F1/26 , G03F1/54 , G03F7/2041 , Y10S977/755
Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。
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公开(公告)号：CN1596385A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823609.2
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，该半色调型相移掩膜坯料用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，在透明基板上具有透过曝光光的透光部和、在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部、和用于形成所述相移部的相移膜，其中，该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度，相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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