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公开(公告)号：CN103517871A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280022517.X
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , H01L35/16 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxCo4Sb12-zSez，其中0
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公开(公告)号：CN103400932A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310309148.9
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN103130199A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310021769.7
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0
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公开(公告)号：CN101977846A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110360.4
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
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公开(公告)号：CN105474331B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480045195.X
申请日：2014-08-07
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C23C18/31 , C09D5/24 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/2053 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C25D5/02 , C25D5/56 , H05K1/0296 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K3/181 , H05K2201/09009
Abstract: 本发明涉及一种通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法，以及具有通过该方法形成的导电图案的树脂结构，所述方法在聚合物树脂中不含特定无机添加剂的情况下，能够通过较简单的工艺和输出功率相对较低的电磁波辐射而在多种聚合物树脂产品或树脂层上形成微细导电图案。所述通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法包括：通过在含有碳类黑色颜料的聚合物树脂基底上选择性地辐射所述电磁波，形成具有预定表面粗糙度的第一区域；在所述聚合物树脂基底上形成导电种子；通过对其上形成有所述导电种子的聚合物树脂基底进行电镀，形成金属层；以及从所述聚合物树脂基底的第二区域脱除所述导电种子和所述金属层，其中，所述第二区域具有小于所述第一区域的表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105993049A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201480064478.9
申请日：2014-11-24
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H01B1/22 , C09D201/00 , C09D5/24
CPC classification number: H05K1/0326 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08K5/521 , C09D5/24 , C09D201/00 , H01B1/22 , H05K1/0373 , H05K3/0055 , H05K3/10 , H05K2201/012 , H05K2201/0129 , H05K2201/0145 , H05K2201/0158 , C08L69/00
Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物以及具有使用该组合物获得的导电图案的树脂结构，所述组合物能够通过简化的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案，同时赋予所述树脂产品或树脂层优异的阻燃性。所述用于形成导电图案的组合物包含：聚合物树脂；含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物，该非导电金属化合物在晶体结构中具有或P63/mmc空间群；以及阻燃剂，其中，包含所述第一金属元素、第二金属元素或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物通过电磁辐射形成。
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公开(公告)号：CN103562127B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201280023369.3
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01G55/002 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/547 , C04B2235/3277 , C04B2235/40 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C04B2235/9607 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQz，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，0
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公开(公告)号：CN103974905B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201380004036.0
申请日：2013-10-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/149 , H01M4/48 , H01M10/05 , C01B33/113
CPC classification number: H01M4/366 , C01B32/05 , C01B33/113 , C01B33/181 , H01M4/0421 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种氧化硅-碳复合物及其制备方法。更具体地，本发明提供一种氧化硅-碳复合物的制备方法以及由该方法制备的氧化硅-碳复合物，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并加入反应室内、降低反应室的压力以获得高真空度同时将反应室内的温度升高到反应温度、在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应、以及在通过所述反应制备的氧化硅的表面覆盖碳。
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公开(公告)号：CN103534199B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280021382.5
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01G55/002 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQ′z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q′为选自O、S和Se中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103502145B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280021335.0
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01P2002/50 , C01P2002/88 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnQ'z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q'为选自O、S和Se中的至少一种；0
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