公开(公告)号：CN110660907A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910561313.7

申请日：2019-06-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁阻效应元件，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层，上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。

公开(公告)号：CN110165046A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910114243.0

申请日：2019-02-13

Applicant: TDK株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 市川心人 ,  中田胜之 ,  三谷诚司 ,  介川裕章 ,  宝野和博 ,  大久保忠胜

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种隧道势垒层稳定地采用阳离子无序尖晶石结构的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和被夹持于它们之间的隧道势垒层，所述隧道势垒层为MgxAl1-x(0≤x

公开(公告)号：CN109560192A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811113397.X

申请日：2018-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明所涉及的层叠结构为位于非磁性金属层(5B)上的层叠结构，并具备铁磁性层(6)、介于非磁性金属层(5B)与铁磁性层(6)之间的中间层(5C)，中间层(5C)包含以通式(1)所表示的NiAlX合金层。Niγ1Alγ2Xγ3……(1)[X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种以上的元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下，满足0＜γ＜0.5。]。

公开(公告)号：CN113913774B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110761104.4

申请日：2021-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。

公开(公告)号：CN112349833B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010784298.5

申请日：2020-08-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  犬伏和海

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种能够减少磁化的旋转所需要的能量的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Mn、Cr、Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN116806115A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310270520.3

申请日：2023-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：层叠体，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及非磁性层；和绝缘层，其覆盖所述层叠体的侧面的至少一部分且包含绝缘体，所述第一铁磁性层具有第一非氮化区域和比所述第一非氮化区域靠近所述绝缘层且含有氮的第一氮化区域。

公开(公告)号：CN109560192B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201811113397.X

申请日：2018-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明所涉及的层叠结构为位于非磁性金属层(5B)上的层叠结构，并具备铁磁性层(6)、介于非磁性金属层(5B)与铁磁性层(6)之间的中间层(5C)，中间层(5C)包含以通式(1)所表示的NiAlX合金层。Niγ1Alγ2Xγ3……(1)[X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种以上的元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下，满足0＜γ＜0.5。]。

公开(公告)号：CN112349832A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010777761.3

申请日：2020-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  植村哲也

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种能够进一步增大MR比(磁阻变化率)和RA(面电阻)的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个由下述通式(1)所表示的惠斯勒合金构成。Co2FeαXβ……(1)式(1)中，X表示选自Mn、Cr、Si、Al、Ga和Ge中的一种以上的元素，α和β表示满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN111525026A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010079078.2

申请日：2020-02-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，上述金属化合物包含功能材料和构成上述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序数都小。

公开(公告)号：CN110392932A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201880004343.1

申请日：2018-10-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿着第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X2YZ表示的化合物。