公开(公告)号：CN1300291C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03159130.2

申请日：2003-09-09

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人

IPC: C11D7/32

CPC classification number: G03F7/422 ,  C11D3/3723 ,  C11D7/3263 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明的清洁组合物的特征在于含有N-羟基甲酰胺。该清洁组合物能够在短时间内在蚀刻工艺后容易地去除基板上的图案化的光致抗蚀剂掩模或抗蚀剂残余物，或在蚀刻工艺和随后抛光工艺后去除保留的抗蚀剂残余物，而不引起布线材料和绝缘膜的腐蚀。因此，确保对高精度的电线电路的精细加工。

公开(公告)号：CN1444103A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03120076.1

申请日：2003-03-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  山本良亮 ,  吉田宽史 ,  丸山岳人

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: C07C217/08 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。