光致抗蚀剂脱除剂
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1517803A

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN200410002076.4

    申请日:2004-01-09

    Inventor: 池本一人

    CPC classification number: G03F7/425 G03F7/426

    Abstract: 本发明的光致抗蚀剂脱除剂包含由摩尔比为0.8或0.8以下的甲醛与烷醇胺进行反应而得到的反应产物。该光致抗蚀剂脱除剂能在低温下,在短时间内迅速除去涂敷在各种基体上的光致抗蚀剂层、经蚀刻后留下的光致抗蚀剂层以及经蚀刻磨光后的光致抗蚀剂残留物。该光致抗蚀剂脱除剂在除去光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂残留物时不会对基体、导线材料、绝缘层等产生腐蚀作用,因而能实施精细加工和制成高精密电路。

    吡咯并喹啉醌的钙盐
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103119044B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201180045652.1

    申请日:2011-09-22

    CPC classification number: C07D471/04

    Abstract: 本发明的目的在于提供以不使用大量的有机溶剂、在工业上有用的方法制造吡咯并喹啉醌的钙盐的方法及其高纯度的结晶。根据本发明,通过使吡咯并喹啉醌的碱金属盐与钙离子源反应,制造高纯度的吡咯并喹啉醌的钙盐。

    游离形式的吡咯并喹啉醌
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102596952A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201080050360.2

    申请日:2010-11-05

    CPC classification number: C07D471/04

    Abstract: 本发明的目标在于提供一种不用任何有机溶剂或离子交换树脂方便地制造游离形式的吡咯并喹啉醌的方法及其高纯度晶体。根据本发明,提供游离形式的吡咯并喹啉醌的制造方法及其高纯度晶体,其中该制造方法包括通过溶解吡咯并喹啉醌碱金属盐来制备pH为1.5或更低的溶液,以得到沉淀物。

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