公开(公告)号：CN112713099A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011125680.1

申请日：2020-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 目的在于提供能够针对被配置保护膜的半导体元件适当地实施切断工序的技术。半导体装置的制造方法具有以下工序：遍布多个半导体元件构造各自的端部、槽的侧面以及底面而涂敷保护膜前驱体溶液；使保护膜前驱体溶液中的溶剂粗干燥而形成保护膜；以及在将多个半导体元件构造之间切断的工序、或者将多个半导体元件从切割胶带剥离的工序之后，进行使保护膜中的溶剂挥发的完全固化。

公开(公告)号：CN111279475A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201780096250.1

申请日：2017-11-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的目的在于提供一种实现了电感的降低的具有外部连接用框架的半导体装置的构造。而且，就半导体装置的螺钉(4)而言，头部(42)埋入至在壳体(2)的框架载置台(2t)设置的壳体槽部(G2)内，头部(42)的侧面以及表面被壳体(2)覆盖，其结果，螺钉4固定于壳体2。螺纹部(41)以将在头部(42)的上方配置的框架露出部(31)的框架贯通孔(32)贯通并朝向与基座板(1)相反侧的上方凸出而露出的方式设置。

公开(公告)号：CN110178202A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780082643.7

申请日：2017-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  赤尾真哉 ,  原田健司

IPC: H01L21/288

Abstract: 半导体衬底(1)具有彼此相对的表面以及背面。栅极配线(2)以及第1及第2表面电极(3、4)形成于半导体衬底(1)的表面。第1及第2表面电极(3、4)通过栅极配线(2)而彼此分割开。绝缘膜(7)覆盖栅极配线(2)。电极层(8)跨过栅极配线(2)而形成于绝缘膜(7)以及第1及第2表面电极(3、4)之上。背面电极(9)形成于半导体衬底(1)的背面。第1镀敷电极(10)形成于电极层(8)之上。第2镀敷电极(11)形成于背面电极(9)之上。

公开(公告)号：CN110060926A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910031363.4

申请日：2019-01-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾根田真也 ,  原田健司 ,  中田洋辅

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。

公开(公告)号：CN109478543A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201680087903.5

申请日：2016-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐佐木太志

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52

Abstract: 半导体芯片(3)经由第1焊料(2)而接合于电极基板(1)的上表面。引线框(5)经由第2焊料(4)而接合于半导体芯片(3)的上表面。在电极基板(1)和半导体芯片(3)之间，中间板(6)设置于第1焊料(2)中。中间板(6)的屈服强度在半导体装置的整个使用温度范围比电极基板(1)及第1焊料(2)的屈服强度大。

公开(公告)号：CN108369912A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085210.8

申请日：2015-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浜口卓也 ,  中田洋辅 ,  中野诚也 ,  多留谷政良

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/52 ,  H01L24/32 ,  H01L29/45 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001

Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有铝电极(2)。焊料连接用的金属膜(3)形成于铝电极(2)之上。有机保护膜(4)在铝电极(2)之上与金属膜(3)分离地形成。有机保护膜(4)与金属膜(3)的间隔大于或等于有机保护膜(4)的厚度的一半。由此，即使在烧结接合时有机保护膜(4)发生变形，其应力也不会传递至金属膜(3)。因此，能够防止焊料连接用的金属膜(3)破裂。

公开(公告)号：CN209150089U

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201690001618.2

申请日：2016-04-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  川濑达也 ,  石原三纪夫 ,  宫本昇

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种能够得到均匀的散热性并且能够易于向冷却器安装的半导体装置(100)，其具有衬底材料(1)、半导体元件(3)和端子(5)。衬底材料(1)包括：绝缘衬底(10)；第1导体衬底和第2导体衬底(11、12)，其在绝缘衬底(10)的一侧的主表面(10A)上彼此隔开间隔配置；和第3导体衬底(13)，其配置在绝缘衬底(10)的与一侧的主表面(10A)相反的一侧即另一侧的主表面(10B)上。半导体元件(3)连接于第1导体衬底(11)的与绝缘衬底(10)相反的一侧。端子(5)连接于半导体元件(3)的与第1导体衬底(11)相反的一侧。端子(5)从半导体元件(3)上的区域延伸到第2导体衬底(12)的上方的区域，并且与第2导体衬底(12)连接。衬底材料(1)、半导体元件(3)和端子(5)的至少一部分被树脂(9)密封。第3导体衬底(13)从树脂(9)露出。

公开(公告)号：CN207038515U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201490001567.4

申请日：2014-10-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  石原三纪夫 ,  川濑达也 ,  井本裕儿 ,  浅田晋助 ,  藤野纯司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种焊锡接合结构的半导体装置，既能实现与外部电极的通电性的提高又能实现装置的高可靠性。而且，在本实用新型中，半导体元件上焊锡(21)从表面电极(11)的焊锡接合区域(R11h)至外部电极(31)的焊锡接合区域(R31h)来形成。外部电极(31)具有比其他区域向表面电极(11)的表面侧突出的下垂部(31a)。半导体元件上焊锡(21)具有包括倒圆角(F1)和倒圆角(F2)的端面形状，其中，倒圆角(F1)从表面电极(11)的表面至上方朝向焊锡中心点的方向弯曲；倒圆角(F2)从外部电极(31)的表面至下方朝向焊锡中心点的方向弯曲。