公开(公告)号：CN107001546B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580066759.2

申请日：2015-10-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小内谕 ,  小材利之

IPC: C08F290/06 ,  C08F290/14 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  C09J183/07 ,  H01L21/52 ,  H01L33/62

CPC classification number: C08F290/06 ,  C08F290/14 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  H01L21/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种透明树脂组合物，含有：(A)硅酮组合物，包含100质量份的(A‑1)、以及相对于该(A‑1)成分的合计量100质量份为0.1～10质量份的(A‑2)有机过氧化物，该(A‑1)是在分子中具有至少一个由下述通式(1)表示的结构的有机聚硅氧烷；以及，(B)导电性粒子，平均粒径是1μm以下，以前述(A)成分的固体成分为基准，前述(B)成分的含量在大于0体积％且不足0.1体积％的范围内，固化前述透明树脂组合物获得的厚度2mm的固化物的总透光率为70％以上、雾度值为60％以下。由此，提供一种透明树脂组合物，所述透明树脂组合物提供一种固化物，该固化物为高透明且粘接强度及操作性优异，并具有耐热性及耐光性，

公开(公告)号：CN109690745A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780052888.5

申请日：2017-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 本田哲士 ,  菅生悠树 ,  下田麻由

IPC: H01L21/52 ,  B22F3/02 ,  H01L21/301

CPC classification number: B22F3/02 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  C08K2201/001 ,  C09J4/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  C23C28/30 ,  C23C28/34 ,  H01L21/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种加热接合用片材，其具有：通过加热而成为烧结层的烧结前层、和成分迁移防止层。

公开(公告)号：CN108711569A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810909265.1

申请日：2018-08-10

Applicant: 付伟

Inventor： 付伟

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/538 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L25/16 ,  H01L21/52 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381

Abstract: 本发明揭示了一种带有容纳滤波器芯片腔室的多芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，其具有腔室；滤波器芯片，设置于腔室内，第一上表面与基板上表面位于同侧，且第一上表面具有若干第一电极；功能芯片，设置于封装基板的上方，第二下表面与基板上表面面对面设置，且第二下表面具有若干第二电极；若干互连结构，用于导通若干第一电极及若干第二电极。本发明利用封装技术将两个不同的芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成；滤波器芯片及功能芯片呈上下分布，位于封装基板上方的功能芯片并不占用封装基板的空间，可以进一步提高封装基板的利用率，简化互连结构；滤波器芯片内嵌设置于腔室中，使得封装结构更加轻薄。

公开(公告)号：CN108699402A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012916.0

申请日：2017-01-25

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 赖华子 ,  增子崇

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J133/00 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J163/10 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J7/00 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J133/00 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J163/10 ,  H01L21/52

Abstract: 一种粘接膜，其含有：(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α‑氧化铝填料，其中，所述(d)α‑氧化铝填料含有纯度为99.90质量％以上的多面体的α‑氧化铝填料，所述(d)α‑氧化铝填料的含量是相对于(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α‑氧化铝填料的总量100质量份为60～95质量份。

公开(公告)号：CN108231704A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711326343.7

申请日：2017-12-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西明恒和 ,  铃木刚 ,  山浦正志

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/29 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/26 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/35121

Abstract: 本发明提供一种抑制剥离和动作不合格的半导体模块。半导体模块(2)具备：PCB基材部(16)、设置在PCB基材部(16)上的导体裸片焊盘(11b)、设置在导体裸片焊盘(11b)上的半导体裸片(12a)、将导体裸片焊盘(11b)与半导体裸片(12a)电连接的导电性裸片粘合剂(14a)、设置在PCB基材部(16)上的引线键合焊盘(18)、将引线键合焊盘(18)与半导体裸片(12a)电连接的引线(13)、以及将导体裸片焊盘(11b)、半导体裸片(12a)、导电性裸片粘合剂(14a)、引线键合焊盘(18)和引线(13)密封的密封树脂(17)。而且，俯视时，导体裸片焊盘(11b)的面积在5.0mm2以下。

公开(公告)号：CN104937715B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201380071181.0

申请日：2013-11-24

Applicant: 埃勒塔系统有限公司

Inventor： Y·梅达 ,  Y·约瑟夫

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/486 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/147 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0652 ,  H01L2223/6605 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20101 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

Abstract: 给出集成电路器件及其制造方法。集成电路器件(1)包含可能通过不同的半导体技术制造的两个或更多个有源部件(30a、30b)和适于承载两个或更多个有源部件的内插器结构(10)，使得有源部件中的至少一个承载于内插器结构的顶表面上。集成电路器件还包括布置于内插器结构的顶表面上并且封装有源部件中的至少一个的至少一个金属帽(40)。本发明的集成电路器件的各种变体适于在极端条件下操作。

公开(公告)号：CN105229785B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480020428.0

申请日：2014-04-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 岡本健次

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/045 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/52 ,  H01L23/08 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将功率半导体元件(4)接合于在上部具有凸状的阶梯部(12)的金属块(1)的上表面以外的各表面和该上表面的除了元件安装区域以外的部分直接形成了由陶瓷材料构成的绝缘层(2)的带绝缘层金属块(3)的元件安装区域，并将该带绝缘层金属块(3)嵌合并固定于金属板(5)的带凸檐贯通孔(17)内，能够制造低成本、散热性优良的功率半导体模块(100)。此外，通过具备该功率半导体模块(100)和散热器(11)，并以使金属块(1)的下表面隔着绝缘层(2)与散热器(11)抵接的方式将功率半导体模块(100)固定于散热器(11)，能够制造低成本、小型的电力变换器(300)。

公开(公告)号：CN107527892A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710463571.2

申请日：2017-06-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 玉井雄大 ,  百濑文彦

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L23/562 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/85205

Abstract: 一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能减小外部连接端子和电路板的接合面上的应力。半导体装置(100)具有U端子(161)，U端子(161)的一端侧的内部接合部(161a)与电路板连接，中间部埋设于壳体(110)，另一端侧的外部接合部(161f)从壳体(110)伸出，在壳体(110)内侧和内部接合部(161a)之间设有对内部接合部(161a)的应力进行缓冲的缓冲部(161g)。通过设置这种缓冲部(161g)，即使半导体装置(100)的整体发生形变，或者半导体装置(100)的局部发生形变导致在内部接合部(161a)与电路板之间的接合面发生应力集中，应力也会被该缓冲部(161g)缓冲。

公开(公告)号：CN103779240B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201310376164.X

申请日：2013-08-26

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 李相旻

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L23/053 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0373 ,  H05K3/002 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/09536 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0554 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种制造电路板的方法。所述方法包括：准备包括芯层和第一导电层的基体基板，第一导电层形成在芯层的至少一个表面上并且包括内部电路图案；形成积层材料，以覆盖第一导电层；在积层材料中形成至少一个腔体，芯层和第一导电层通过所述至少一个腔体暴露；通过使形成有所述至少一个腔体的积层材料固化来形成层合主体；在层合主体的外表面上形成包括外部电路图案的第二导电层。

公开(公告)号：CN107452723A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710617980.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 济南市半导体元件实验所

Inventor： 王迎春 ,  黄吉明 ,  薄霞 ,  徐姝丽 ,  赵晶 ,  高超 ,  李东华

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/043 ,  H01L23/06 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/072 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/043 ,  H01L23/06 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/488 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/485 ,  H01L2224/85205

Abstract: 本发明提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高纯铝丝超声键合，电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封，采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性；经过实验验证，本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。