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公开(公告)号：CN109607547A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811393891.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供的制备高纯氯硅烷的方法，通过冶金级硅与氯化氢反应制备得到的氯硅烷，通过粗精馏将大部分硼磷杂质去除，再通过吸附将剩下的极少量的硼磷杂质去除，同时通过对吸附剂的种类搭配选用，降低吸附剂的更换频率，实现低成本的提纯氯硅烷，同时简化操作程序，从而适合工业化。该方法能高效除去氯硅烷中硼磷杂质，减少精馏程序，并延长吸附剂使用寿命长，降低成本，以适合工业化。
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公开(公告)号：CN108686597A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810470531.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: B01J19/08 , C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种气体放电反应器、气体放电系统及三氯氢硅的制备方法，属于多晶硅生产技术领域。气体放电反应器，包括内电极、外电极、第一电介质和第二电介质，外电极设置于内电极外，第二电介质设置于外电极内，第一电介质设置于内电极和外电极之间，内电极与第一电介质之间形成稀有气体放电腔室，第一电介质与外电极之间形成物料气放电腔室，气体放电反应器具有物料气进口和物料气出口，物料气进口和物料气出口均设置于外电极且连通物料气放电腔室。三氯氢硅的制备方法使用上述气体放电系统的气体放电反应器，在制备过程中将物料气和稀有气体分开，使稀有气体能够循环使用，并可以避免三氯氢硅的污染。
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公开(公告)号：CN107720757B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711115989.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫，冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体)，在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动，有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、加热装置、空气抽运泵、吹气装置以及连通以上各装置的管道。
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公开(公告)号：CN106191994B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610539047.4
申请日：2016-07-08
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种消除硅芯异常的方法，该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理，第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收；第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件，经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后，循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳；特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响，从而能有效地解决硅芯异常问题，提高多晶硅产品质量。
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公开(公告)号：CN106882809B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710185869.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种三氯氢硅的制备方法，属于有机硅和多晶硅的生产技术领域。一种三氯氢硅的制备方法，分别将氢气和聚氯硅烷通入具有催化剂的反应器中反应得到三氯氢硅。将催化剂置于反应器中之前于体积比为0.15～0.25:1的O2和N2气氛中活化4～6h。此方法清洁环保、条件温和、环境安全、能耗较低、工艺简便，易于实现，可实现产业化推广运用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107792857A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711213248.6
申请日：2017-11-28
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体而言，涉及一种颗粒硅的生产方法及系统。本发明的实施例中提供的颗粒硅的生产系统包括颗粒硅晶种制备系统、与颗粒硅晶种制备系统连接的颗粒硅晶种筛分系统、与颗粒硅晶种筛分系统连接的颗粒硅制备系统以及与颗粒硅制备系统连接的颗粒硅筛分系统。本发明的实施例中提供的颗粒硅的生产方法采用闭环循环系统加工颗粒硅，使存在影响多晶硅颗粒的纯度及球度的间隙较小，即便有影响多晶硅颗粒的纯度及球度的现象，也会在两次筛分过程中筛分出去，有效地保证颗粒硅的精度及球度，本发明实施例中提供的颗粒硅的生产方法与上述系统采用相同的技术方案，因此也具备上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN107720757A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711115989.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫，冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体)，在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动，有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、加热装置、空气抽运泵、吹气装置以及连通以上各装置的管道。
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公开(公告)号：CN106495165B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201611035782.8
申请日：2016-11-23
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明公开了一种以四氯化硅制备三氯氢硅的装置和方法，装置包括密封法兰、可变垫环、高压阻挡圈、电介质、外电极及内电极，内电极位于轴线位置处，内电极两端分别与两密封法兰连接；电介质的两端分别连接两密封法兰并将内电极套在内部，高压阻挡圈套装在电介质上，且与密封法兰紧密贴住，外电极紧密包裹在电介质外表面；一密封法兰具有进气导口，另一密封法兰具有出气导口。本发明结构灵活，能够轻易调整其几何参数，气密性良好，消除了气体泄露产生的危害；能够有效降低击穿电压和使等离子体维持在非平衡状态，能够容易的产生低温等离子体，有效地提高放电间隙内的电子密度；操作范围广，能够在较广的气压、电压、频率及功率下工作。
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公开(公告)号：CN107473228A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710947779.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
CPC classification number: C01B33/03 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64 , C01P2006/80
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种纳米级晶体硅及其制备方法。纳米级晶体硅的制备方法包括将氯硅烷、硅烷等含硅气体混合氢气通入到等离子体发生器中，利用等离子体发生器的电磁场使混合气体形成等离子体，其具有较高的活性并发生反应，在等离子发生器中产生纳米级的硅颗粒。利用该方法制备纳米级晶体硅，由于硅颗粒是直接由等离子态的反应物反应生成，不经过破碎等工序，反应过程在等离子体发生器内，所以不易产生粉尘，也不易引入杂质。生产出的纳米级晶体硅纯度高、收率高，晶格缺陷少，性能优越。
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公开(公告)号：CN107377009A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710585933.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: B01J38/42 , B01J38/00 , C01B33/027
CPC classification number: Y02P20/584 , B01J38/42 , B01J38/00 , C01B33/027
Abstract: 本发明涉及催化剂再生技术，公开了一种铜盐催化剂的再生方法及其应用。铜盐催化剂的再生方法包括将含铜炉渣在氯气气氛下燃烧的再生步骤，炉渣的铜与氯气的燃烧反应生成小粒径的氯化铜或氯化亚铜，这些小颗粒的氯化铜/氯化亚铜有利于与硅粉形成Cu-Si活性位点并投入到后续的生产中，继续充当催化剂。该方法实现了铜盐催化剂的再生和循环利用，可以应用于多晶硅生产中。
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