切削工具
    41.
    发明公开
    切削工具 审中-实审

    公开(公告)号:CN119255879A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202380042501.3

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 一种切削工具,其具备基材和设置在所述基材上的覆膜,其中,所述覆膜包含第一层以及第二层,所述第二层设置在比所述第一层靠近所述基材的位置,所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的多层结构构成,所述第一单元层的平均厚度为2nm以上且50nm以下,所述第二单元层的平均厚度为2nm以上且50nm以下,所述第一单元层由TiaAl1‑a‑bBbN构成,其中,满足0.30≤a≤0.50、0<b≤0.10,所述第二单元层由TicAl1‑cN构成,其中,满足0.70≤c≤1.00,在所述第一层中,钛的原子数T2相对于钛以及铝的原子数的合计T1的百分率(T2/T1)×100为60%以上,所述第二层由第三单元层和第四单元层交替地层叠而成的多层结构构成,所述第三单元层的平均厚度为2nm以上且100nm以下,所述第四单元层的平均厚度为2nm以上且100nm以下,所述第三单元层由TidAl1‑d‑eBeN构成,所述第四单元层由TifAl1‑f‑gBgN构成,其中,满足0.25≤d

    切削工具
    42.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112930234B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN201980069701.1

    申请日:2019-12-12

    Abstract: α‑氧化铝晶粒所占据的面积比率为大于等于一种切削工具,其包括基材和被覆基材的被 5%且小于50%;并且α‑氧化铝层的厚度为3μm膜,其中:被膜包括设置在基材上的α‑氧化铝 以上20μm以下。层;α‑氧化铝层包含α‑氧化铝晶粒;α‑氧化铝层包括下侧部和上侧部;当沿着包括第二界面的法线的平面切割α‑氧化铝层以获得截面,并使用场发射扫描显微镜对该截面进行电子背散射衍射分析以识别α‑氧化铝晶粒的晶体取向,并且基于此创建彩色图时,在彩色图中,在上侧部中,由(006)面的法线方向相对于上述第二界面的法线方向在±15°以内的α‑氧化铝晶粒所占据的面积比率为50%以上,并且在下侧部中,由(012)面、(104)面、(110)面、(113)面、(116)面、

    切削工具
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112839761B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201980067838.3

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 一种切削工具包括:具有前刀面的基材,以及被覆前刀面的覆膜,其中覆膜包括设置在基材上的α‑Al2O3层,α‑Al2O3层包含α‑Al2O3晶粒,在前刀面的α‑Al2O3层中,具有(001)取向的晶粒的面积比率为50%至90%,基于前刀面的α‑Al2O3层的(001)面的晶面间距确定的、并通过使用X射线的2θ‑sin2ψ法测定残留应力而获得的膜残留应力AA大于0MPa且为2000MPa以下,并且基于前刀面的α‑Al2O3层的(110)面的晶面间距确定的膜残留应力BA为‑1000MPa以上且小于0MPa。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN111655410B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN201880087930.1

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 该表面被覆切削工具包括基材和被覆基材的覆膜。基材包括前刀面和后刀面。覆膜包括TiCN层。TiCN层在前刀面的区域d1中具有(311)取向,并且在后刀面的区域d2中具有(422)取向。当前刀面和后刀面通过切削刃面而彼此连续时,区域d1是介于前刀面和切削刃面的边界线与假想线D1之间的区域,其中假想线D1在前刀面上并且与假想棱线相隔500μm,并且区域d2是介于后刀面和切削刃面的边界线与假想线D2之间的区域,其中假想线D2位于后刀面上并且与假想棱线相隔500μm。在前刀面和后刀面通过棱线而彼此连续时,区域d1为介于棱线和假想线D1之间的区域,其中假想线D1位于前刀面上并且与棱线相隔500μm,并且区域d2是介于棱线和假想线D2之间的区域,其中假想线D2位于后刀面上并且与棱线相隔500μm。

    切削工具
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112839761A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201980067838.3

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 一种切削工具包括:具有前刀面的基材,以及被覆前刀面的覆膜,其中覆膜包括设置在基材上的α‑Al2O3层,α‑Al2O3层包含α‑Al2O3晶粒,在前刀面的α‑Al2O3层中,具有(001)取向的晶粒的面积比率为50%至90%,基于前刀面的α‑Al2O3层的(001)面的晶面间距确定的、并通过使用X射线的2θ‑sin2ψ法测定残留应力而获得的膜残留应力AA大于0MPa且为2000MPa以下,并且基于前刀面的α‑Al2O3层的(110)面的晶面间距确定的膜残留应力BA为‑1000MPa以上且小于0MPa。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN111971138A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN201880091540.1

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 提供了一种表面被覆切削工具,包括基材和被覆基材的覆膜,其中:覆膜包括具有畴区域和基体区域的硬质覆层;畴区域为在基体区域中分隔为多个部分并且以分散状态存在的区域;畴区域各自具有包含第一Alx1Ti(1‑x1)化合物的第一层和包含第二Alx2Ti(1‑x2)化合物的第二层层叠在一起的结构;基体区域具有包含第三Alx3Ti(1‑x3)化合物的第三层和包含第四Alx4Ti(1‑x4)化合物的第四层层叠在一起的结构;第一AlTi化合物具有六方晶体结构,第二AlTi化合物具有立方晶体结构,第三AlTi化合物具有六方晶体结构,并且第四AlTi化合物具有立方晶体结构;并且x1为0.89至0.97,x2为0.5至0.61,x3为0.86至0.95,且x4为0.5至0.65。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN111902228A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201880091504.5

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 提供了一种表面被覆切削工具,包括基材和被覆基材的覆膜,其中:覆膜包括具有畴区域和基体区域的硬质覆层;畴区域为在基体区域中分隔为多个部分并且以分散状态存在的区域;畴区域各自具有包含第一Alx1Ti(1‑x1)化合物的第一层和包含第二Alx2Ti(1‑x2)化合物的第二层层叠在一起的结构;基体区域具有包含第三Alx3Ti(1‑x3)化合物的第三层和包含第四Alx4Ti(1‑x4)化合物的第四层层叠在一起的结构;第一AlTi化合物具有立方晶体结构,第二AlTi化合物具有立方晶体结构,第三AlTi化合物具有六方晶体结构,并且第四AlTi化合物具有立方晶体结构;并且x1为0.77至0.9,x2为0.5至0.6,x3为0.85至0.95,且x4为0.55至0.62。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN111886093A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201880091531.2

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 提供了一种表面被覆切削工具,包括基材和被覆基材的覆膜,其中:覆膜包括具有畴区域和基体区域的硬质覆层;畴区域为在基体区域中分隔为多个部分并且以分散状态存在的区域;畴区域各自具有包含第一Alx1Ti(1‑x1)化合物的第一层和包含第二Alx2Ti(1‑x2)化合物的第二层层叠在一起的结构;基体区域具有包含第三Alx3Ti(1‑x3)化合物的第三层和包含第四Alx4Ti(1‑x4)化合物的第四层层叠在一起的结构;第一AlTi化合物具有立方晶体结构,第二AlTi化合物具有立方晶体结构,第三AlTi化合物具有立方晶体结构,并且第四AlTi化合物具有立方晶体结构;并且x1为0.75至0.9,x2为0.48至0.59,x3为0.73至0.83,且x4为0.5至0.57。

    表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN107530784B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201680001348.X

    申请日:2016-06-07

    Abstract: 一种表面被覆切削工具,包括基材以及形成在该基材的表面上的覆膜。该覆膜包括第一硬质覆层,该第一硬质覆层包含具有氯化钠型晶体结构的晶粒。该晶粒具有这样的层状结构,其中,由AlxTi1‑x的氮化物或碳氮化物构成的第一层和由AlyTi1‑y的氮化物或碳氮化物构成的第二层交替层叠成一层或多层。该第一层各自具有在0.76以上至小于1的范围内变化的Al的原子比x。该第二层各自具有在0.45以上至小于0.76的范围内变化的Al的原子比y。该原子比x与该原子比y之差的最大值为0.05≤x‑y≤0.5。彼此相邻的该第一层和该第二层的总厚度为3nm至30nm。

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