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公开(公告)号：CN111208710A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx-1)所示的重复单元、下列通式(Sx-2)所示的重复单元、及下列通式(Sx-3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111057088A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910984985.9
申请日：2019-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]
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公开(公告)号：CN109426076A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985279.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN107540491A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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公开(公告)号：CN100567150C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200310114941.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C01B39/04 , H01L21/316 , C09D183/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C01B39/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1-4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113552771B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110443868.9
申请日：2021-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 荻原勤
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明提供一种平坦度控制方法及装置、涂膜的形成方法及装置。本发明的平坦度控制方法，用于晶圆的平坦度控制，其包含以下步骤：准备具有包含多个区段的固持面，且该多个区段各自具备干式粘接性纤维构造物的固持构件的步骤；使晶圆吸附于该固持构件的该固持面，而使该晶圆固持于该固持构件的步骤；测量该晶圆的平坦度，而取得该晶圆的平坦度的信息的步骤；及基于该平坦度的信息，而在该固持构件的该固持面的该多个区段的一部分中，释放该干式粘接性纤维构造物对该晶圆所进行的吸附的步骤。
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公开(公告)号：CN109956853B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811592498.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 群荣化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种二羟基萘的提纯方法，该方法能够抑制软颗粒的产生，得到作为过滤性良好的树脂、组合物的原料的二羟基萘。所述二羟基萘的提纯方法具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。
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公开(公告)号：CN111825533B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010295641.X
申请日：2020-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C39/17 , C07C233/75 , C07D207/404 , C07D209/48 , C07D403/14 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，能形成耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成用材料。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1][化2][化3][化4]但，上述通式(1B)中，W1为[化5]时，R1不为[化6]中的任一者。
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公开(公告)号：CN110515272B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910420610.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该方法的特征在于包含：(1)由包含具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基的热固化性化合物及产酸剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序；(2)在第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物及增敏剂的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜的工序；(3)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜及第二抗蚀剂膜进行图案曝光，在第一抗蚀剂膜的图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN110515266B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910420669.9
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该图案形成方法包含：(1)由包含热固化性化合物、产酸剂及增敏剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序，所述热固化性化合物具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基；(2)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜进行图案曝光，在图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护的工序；(3)在所述第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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