一种微机电系统红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN110790217A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911082322.4

    申请日:2019-11-07

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本申请提供一种红外探测器的结构,包括用于输入和输出频率信号并配置至少二电极的叉指电极结构;用于产生频率信号并位于叉指电极结构上层的压电振动结构;及用于实现对红外辐射超高吸收并位于压电振动结构上层的等离子超表面结构;本申请采用了金薄膜制成的等离子体超表面结构,在器件的顶部金属电极内图案化一系列亚波长结构。在顶部金属层中对这种等离子体纳米结构进行适当的图案化使得整个器件成为光谱选择性和与偏振无关的红外线超薄吸收体,能够实现对长波红外光的超高吸收,可实现高速高灵敏的红外探测,避免了传统红外探测器中存在的缺点。基于此,本发明还提供了一种微机电系统红外探测器的制作方法。

    散热集成的电路芯片及其制作方法

    公开(公告)号:CN109671685A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201910079338.3

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本发明提供散热集成的电路芯片,包括SOI片,SOI片自上而下包括顶层硅、绝缘层及底层硅,SOI片纵向设置多个垂直通孔,垂直通孔贯穿绝缘层及底层硅,各垂直通孔内均设置导电导热柱,导电导热柱底端裸露于底层硅下表面,垂直通孔内侧壁设置电学隔离层,至少部分数量的导电导热柱端部抵于顶层硅底部,电路芯片还包括制成于顶层硅的集成电路,至少部分导电导热柱端部与集成电路电学连接。本发明具有优异的散热性能,可与各种集成电路整合。另一方面,本发明还提供了上述芯片的制作方法。

    一种微机电系统红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109399552A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811422318.3

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 本发明提供一种微机电系统红外探测器,包括配置至少二垂直导电区的衬底,相对固定于衬底、配置至少二电极的热敏感器件,及数量与电极的数量相同,电连接电极与垂直导电区的导电引线;其中,衬底配置热绝缘层,热绝缘层位于热敏感器件于衬底的投影面处。本发明提供MEMS红外探测器的结构,热敏感器件用于接收红外辐射信号,输出电学感应信号,将热敏感器件上面朝向待探测区域,并于热敏感器件的下部的热绝缘层,并于下热敏感器件的下部设置引线结构,提高测量的精准度。基于此,本发明还提供了一种微机电系统红外探测器的制作方法。

    一种无引线集成电路芯片封装

    公开(公告)号:CN100433322C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200610161397.8

    申请日:2006-12-25

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明涉及一种无引线集成电路芯片封装。它包括基板、集成电路芯片、若干键合线和树脂层,其中所述基板的正面和反面分别布有若干正互连线和反互连线,集成电路芯片置于基板正面,其上的焊盘通过键合线与正互连线一端金手指键合,正互连线的另一端通过金属化过孔与所对应的反互连线一端连通,反互连线的另一端为焊盘,树脂层封盖在基板正面及集成电路芯片上。其制作方法是:封装模具的设计制作;基板的设计制作;集成电路芯片与基板的粘接;键合集成电路芯片与基板。其优点是:不需要引线框架,不需要专业封装设备,工艺流程简单易实现,制造成本低;封装的外形无引脚,因而封装后的芯片可以具有更好的频率特性,适用于单个芯片或多个芯片的封装。

    一种无引线集成电路芯片封装

    公开(公告)号:CN1996583A

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200610161397.8

    申请日:2006-12-25

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明涉及一种无引线集成电路芯片封装。它包括基板、集成电路芯片、若干键合线和树脂层,其中所述基板的正面和反面分别布有若干正互连线和反互连线,集成电路芯片置于基板正面,其上的焊盘通过键合线与正互连线一端金手指键合,正互连线的另一端通过金属化过孔与所对应的反互连线一端连通,反互连线的另一端为焊盘,树脂层封盖在基板正面及集成电路芯片上。其制作方法是:封装模具的设计制作;基板的设计制作;集成电路芯片与基板的粘接;键合集成电路芯片与基板。其优点是:不需要引线框架,不需要专业封装设备,工艺流程简单易实现,制造成本低;封装的外形无引脚,因而封装后的芯片可以具有更好的频率特性,适用于单个芯片或多个芯片的封装。

    一种横向激励的体声波谐振器
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116505908A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310463272.4

    申请日:2023-04-26

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域,涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括:压电层结构;顶部叉指双电极结构,配置于压电层结构的上表面;衬底;介质层结构,位于压电层结构与衬底之间;空腔结构,位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器,采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果,并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降,具有重要的应用前景。

    一种二维模态兰姆波谐振结构、包含其的兰姆波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113381720A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110740039.7

    申请日:2021-06-29

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本申请公开了一种二维模态兰姆波谐振结构、包含其的兰姆波谐振器及其制备方法,该二维模态兰姆波谐振结构包括压电振动层,位于压电振动层上表面的梳齿电极,及位于压电振动层下表面的底部金属电极;所述压电振动层的两个横向边界均超出底部金属电极的两个横向边界,压电振动层每侧的横向边界超出该侧的底部金属电极的横向边界的距离用外延边界距离d表示,d为2‑2.1倍的电极周期间距p。本申请提供的二维模态兰姆波谐振结构以及包含其的兰姆波谐振器,通过优化设计压电振动层的两个横向边界超出底部金属电极的两个横向边界的距离,有效解耦了主模外其余的兰姆波振动模态,因此有效的抑制杂散模态,提升了谐振器性能。

    有限域大整数乘法器及基于SSA算法的大整数乘法的实现方法

    公开(公告)号:CN110543291A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201910502766.2

    申请日:2019-06-11

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开一种有限域大整数乘法器,大数乘法器为基于SSA算法的768K-bit大整数乘法器,其包括:用于接收第一输入数据的第一输入端;用于接收第二输入数据的第二输入端;输出端;第一有限域处理模块和第二有限域处理模块,用于对接收到的输入数据进行NTT变换处理;控制模块,用于对第一输入数据和第二输入数据进行排序处理,并将排序后的第一输入数据输出至第一有限域处理模块。进位处理模块,用于对经过NTT逆变换处理的数据进行进位处理,生成最终计算结果通过所述输出端输出。本发明还提供了基于SSA算法进行大数乘法的实现方法,根据本发明公开的乘法器和方法,可以在公钥加密方案中得到广泛应用。

    电气组件中的键合线的仿真测试方法及存储介质和设备

    公开(公告)号:CN107330184A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710514918.1

    申请日:2017-06-29

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明实施例提供了一种电气组件中的键合线的仿真测试方法,包括:生成电气组件的物理仿真模型;以第一导线朝第二导线方向的结束端为起始划分线,以第二导线朝第一导线方向的结束端为终止划分线,将仿真模型划分为头部分、中间部分和尾部分,其中,头部分对应于键合线与第一导线的焊盘区域,尾部分对应于键合线与第二导线的焊盘区域;建立头部分的和尾部分的电路模型;建立中间部分的电路模型;将头部分的电路模型、中间部分的电路模型和尾部分的电路模型级联,生成电气组件的仿真电路。本发明实施例还提供了相应的存储介质和电子设备。本发明能够代替全波电磁场仿真软件生成仿真电路,降低成本,减少不必要的资源浪费。

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