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公开(公告)号：CN101055320A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710008768.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n+型4H－SiC衬底，在n+型4H－SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层，SiO2层厚度为d1＝入/2n1，Al2O3层厚度为d2＝入/4n2，入为光波长，n1、n2为SiO2、Al2O3的折射率。制备时，清洗衬底；将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体；封闭蒸发腔腔体，抽真空，真空度至少3.0×10－3Pa；预熔蒸发源，同时通氧气，用电子束轰击蒸发源进行镀膜；对蒸发腔放气降温至室温，取出样品。
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公开(公告)号：CN117766616A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311782163.5
申请日：2023-12-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 一种具有微米柱结构的碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法，在碳化硅高掺杂n+型衬底中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层，在n‑型吸收层中设大面积圆柱管状碳化硅高掺杂p+型电场强度调节层，在n‑型吸收层中心向上设小面积圆柱状碳化硅n型电荷层，n型电荷层上设碳化硅低掺杂p‑型倍增层，p‑型倍增层上设碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，微米柱结构侧面及n‑型吸收层上表面设钝化隔离层，p+型欧姆接触层上表面设有p+型欧姆接触电极，p+型电场强度调节层部分上表面设p+型环形欧姆接触电极，n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。探测器的光谱响应度和外量子效率有效提升，同时探测器的暗电流有所降低。
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公开(公告)号：CN116646393A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310728738.9
申请日：2023-06-19
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/15 , H01L21/331
Abstract: 一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；该器件通过将IGBT的顶部栅极开孔，使用在栅极内部集成LED元胞的方法，使得光线入射到JFET区，并且产生光生载流子，增大器件的导通电流，消除逆导型IGBT器件的折回(Snap‑back)现象，并且可以使器件获得更好的续流特性。
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公开(公告)号：CN115172476A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210880517.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 厦门大学九江研究院
IPC: H01L31/0216 , B82Y20/00 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有超构表面的等离激元增强4H‑SiC MSM紫外光电探测器及其制备方法，所述紫外光电探测器包括4H‑SiC衬底层，所述4H‑SiC衬底层上设有N型缓冲层，所述N型缓冲层上设有轻掺杂的N‑外延层，所述轻掺杂的N‑外延层上设有超构表面结构和石墨烯透明电极，所述石墨烯透明电极为叉指电极，所述超构表面结构位于所述石墨烯透明电极的间隙中，所述超构表面结构的顶部设有Al纳米结构。本发明通过超构表面、石墨烯电极以及等离激元增强的光吸收使得光生电子空穴对的数量提高，从而有效提高器件的响应度和量子效率，提升紫外光电探测器的应用性能。
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公开(公告)号：CN112117336B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242772A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111444358.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN114242709A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111437948.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，涉及碳化硅功率半导体。由多个元胞并联而成，各元胞结构包括：P型掺杂集电区，位于P型掺杂集电区上方的N型掺杂场终止层，位于N型掺杂场终止层上方的N型掺杂漂移区，位于N型漂移区上方的P型掺杂的阱区，位于P型掺杂的阱区内部的N型掺杂的源区和P型掺杂的基区，位于N型漂移区和P型掺杂的阱区上方的氧化层，位于氧化层上方的栅极电极；集成的LED位于JFET区域的上方且在栅极电极的内部；发射极电极位于N型掺杂的源区和P型掺杂的基区上方；集电极位于P型掺杂集电区下方。在顶部栅极集成LED，利用LED发射出的光使JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率。
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公开(公告)号：CN101030609A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710008793.1
申请日：2007-04-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n+型4H－SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n+型缓冲层、超低掺杂n－型层、δ掺杂n型层、低掺杂n－型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n－型层、δ掺杂n型层和低掺杂n－型层共同构成有源层；设有至少3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。
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公开(公告)号：CN219392207U
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202320309709.4
申请日：2023-02-24
Applicant: 厦门大学
IPC: G01R31/265
Abstract: 一种光电二极管高速响应时间测量装置，属于传感器检测技术域。包括：脉冲激光器、光电二极管、读出电路、屏蔽外壳、光学调节架、稳压电源、可控开关、示波器；采用脉冲激光器作为测试光源，光电二极管通过特制的读出电路，将光响应电流转换成电压信号，用示波器采集光响应的脉冲信号，通过分析脉冲信号的上升和下降时间可准确测量高速光电二极管探测器的响应时间。可避免传统测量方法中，通过斩波器调制光强所引起的脉宽压缩能力有限的问题，可有效提高高速光电探测器响应时间的测量精度。适用于各种高速光电二极管探测器，其结构紧凑、操作简单方便，填补对高速光电二极管响应时间测量技术方面的空白，对光电探测器的研发和测试起到重要作用。
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公开(公告)号：CN218037159U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202221842362.1
申请日：2022-07-18
Applicant: 厦门大学九江研究院
Abstract: 本实用新型涉及高压电气设备技术领域，具体公开了一种高压电气设备局部放电的监控装置，包括柜体和工控机显示器，柜体内部固定安装有高电场部件、工控机和框体，柜体外壁表面固定安装有无线信号发送器，柜体外部铰接安装有柜门，柜门内壁固定安装有两个同尺寸的支撑架。本实用新型技术方案通过朝向第一反射罩体内侧的紫外光电探测器可识别经过第一反射罩体反射的紫外光信号，有利于增大装置对高电场部件发射紫外光信号的捕捉能力，紫外光电探测器识别到紫外光信号时，工控机经过无线信号发送器和无线信号接收器，工控机显示器可提示监测到高电场部件发出紫外光信号，并且自动开启警报器进行警示，从而达到高压电气设备局部放电的监控效果。
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