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公开(公告)号：CN114644365B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210142281.9
申请日：2022-02-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G51/00 , C01B32/956 , C01B32/198 , C09K3/00 , H05K9/00
Abstract: 一种微波吸收材料rGO/SiC/CoFe2O4的制备方法，属于微波吸收材料技术领域，通过水热反应形成rGO/SiC/CoFe2O4复合样品，解决微波吸收材料“薄”“轻”“宽”“强”和一种材料很难满足在不同厚度下都有高性能吸波的问题，制备一种将磁、介电介质和半导体复合在一起的材料；本发明方法简单快捷，不需严格控制反应温度和时间即可实现高效、大规模的制备rGO/SiC/CoFe2O4微波吸收材料，且采用本发明方法制备的材料具在多个厚度下包括较薄厚度下的高性能微波吸收，具有商用价值。
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公开(公告)号：CN114188163B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111493826.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，具体涉及一种NiO毛线球形电极材料及其制备方法和应用。本发明创造性的设计了一种较为便捷的方法，先行制备出前驱体，再通过后续的退火合成出纯相的NiO毛线球形电极材料，本发明设计的方法简单快捷，不需严格控制反应温度和时间即可实现高效、大规模的NiO毛线球形电极材料的制备，且采用本发明方法制备的材料具有较大的比表面积和较高的比电容，能够被应用于制备超级电容器正极材料，具有商用价值。
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公开(公告)号：CN114059032B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111370877.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及相变材料技术领域，尤其涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法包括在真空反应室中，采用射频磁控溅射法，在基底表面溅射二氧化钒后，升高基底温度进行原位退火，得到二氧化钒薄膜；基底和二氧化钒薄膜之间不设置缓冲层；射频磁控溅射的条件为：基底的温度为250～300℃；氩气通入反应室的流速为0.8sccm；氧气通入反应室的流速为40sccm；反应室的气压为0.8Pa；溅射时间为15～20min；溅射功率为95W；原位退火的温度为460～520℃，保温时间为200s；升温至原位退火的温度的时间≤7s。所述制备方法可以在不进行缓冲层设置的前提下，同样得到光学性能良好的二氧化钒薄膜。
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公开(公告)号：CN113830749A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111119605.9
申请日：2021-09-24
IPC: C01B32/05 , C01B13/18 , C01G53/04 , C01G53/00 , C01G51/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , B01J23/755 , B01J23/83 , B01J23/889
Abstract: 本发明提供了一种制备核壳结构金属氧化物的方法、一种核壳结构金属氧化物，属于复合材料技术领域。本发明首先将有机碳源水溶液进行水热反应，再使用硝酸进行酸化，得到酸化碳球模板；之后将可溶性金属硝酸盐的醇溶液进行超声混合，最后进行退火，得到核壳结构金属氧化物。本发明提供的方法操作简单，通过使用酸化碳球为模板，能够得到形貌尺寸均一、比表面积大、化学稳定性好的核壳结构金属氧化物，当用作催化剂时具有良好的催化效果，当用作电极材料时具有更好的表面渗透性和稳定性，有利于活性材料与电解液的充分接触，便于电子和离子的快速转移。
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公开(公告)号：CN113120976B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110428525.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电极材料技术领域，具体涉及一种Ni4OHF7电极材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种Ni4OHF7电极材料的制备方法，包括以下步骤：将二价镍盐、氟化铵和乙二醇混合，得到混合溶液；将所述混合溶液进行溶剂热反应，得到所述Ni4OHF7电极材料。按照本发明提供的制备方法制备得到的Ni4OHF7电极材料分散均匀，不易发生团聚，具有较大的比表面积，能够提供更多的活性位点，利于活性材料与电解液的充分接触，便于电子和离子的快速转移，从而提升了超级电容器的电化学性能。本发明提供的制备方法较为简单，适于大规模量产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109913826B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910239047.6
申请日：2019-03-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及疏水膜材料领域，具体涉及一种银引入氮化铪膜高疏水耐久材料，包括母体材料，母体材料选用氮化铪，在制备过程中，引入与母体材料不润湿的银元素并采用磁控共溅射的方法，制备出银引入氮化铪膜高疏水耐久材料；本发明没有使用昂贵、复杂的实验装置，而是根据薄膜不同的结构与性质提出了一套简单可行的技术方案，解决了现有问题，制得的该材料不但具有良好的疏水性，还具有优异的耐久性，有望在高速固液粒子撞击、高温以及腐蚀液体气体存在的严苛环境下作为高疏水耐久膜使用。
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公开(公告)号：CN111060993B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911070596.1
申请日：2019-11-05
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明提供一种渐变折射率膜系，通过选择适当介质、相变材料设计多层渐变折射率膜系，其通式为介质层1/介质层2/…/PCM‑1/PCM‑2/PCM‑3/…/衬底，PCM‑1/PCM‑2/PCM‑3/…的折射率均不同，且PCM‑1/PCM‑2/PCM‑3/…的折射率由小到大形成渐变状态，通过电磁场仿真模拟研究膜系参数n、k和d对膜系发射率的影响，获取最优化膜系参数，本发明通过对渐变折射率膜系施加电或热的外加激励主动地调整被伪装目标在3‑5μm和8‑12μm两个大气透射窗口的辐射强度，使目标与周边环境的热辐射功率一致，从而实现红外隐身的要求；同时，本发明提供的结构设计方法为非易失的、双波段红外发射率主动调制涂层的制备提供理论支持，同时获得的高性能涂层是热管理涂层的理想候选材料。
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公开(公告)号：CN111408385A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010173999.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J27/043 , B01J37/20 , C01G53/00 , C25B1/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开了一种Fe5Ni4S8析氢电催化材料的制备方法，具体步骤如下：称取纳米铁粉、纳米镍粉、硫粉，加入无水乙醇后研磨，将混合物均匀放置于研钵中并移至管式炉中，封闭管道通入氮气，清扫石英管20min，以5℃/min的升温速率加热至700℃，保温3h，再以相同的升温速率加热至1100℃，保温10h，退火至室温取出，所得样品研磨均匀后，加入乙醇后使用行星式球磨机球磨10h。本发明氮气氛围煅烧替代了真空熔覆操作，不需要使用真空熔覆所需的石英安瓿管和真空封口机，从而节省成本，也使实验流程得以简化，同时流通的气体氛围也避免高硫压力可能带来的实验危险性,煅烧后增加的球磨操作，使样品微观尺寸达到纳米级别，增加样品表面的活性位点，提高电催化析氢性能。
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公开(公告)号：CN110863181A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911071053.1
申请日：2019-11-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种基于双层相变材料的红外发射率主动调制涂层，通过选择适当介质、双层PCM和金属设计四层膜系，通过电磁场仿真模拟研究材料介电性质组合和膜厚对发射率的影响，获得在双波段具备高调制能力的最优膜系参数，本发明通过阻抗匹配结构和非易失的PCM的结合，提供了一种基于双层相变材料的红外发射率主动调制涂层的结构设计方法，在复杂的环境温度下，对双层相变材料的红外发射率主动调制涂层施加外加激励主动地调整被伪装目标在3-5μm和8-12μm两个大气透射窗口的辐射强度，使目标与周边环境的热辐射功率一致，实现红外隐身；本发明为非易失的、双波段红外发射率主动调制涂层的制备提供理论支持，获得的高性能涂层是热管理涂层的理想候选材料。
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公开(公告)号：CN110010263A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910239110.6
申请日：2019-03-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及涉及薄膜技术领域，具体涉及一种硬、耐磨且导电的薄膜材料的结构设计方法；本发明通过选择同时具备三维共价键网络和自由电子的母体和丰富自由电子的溶质，提供了一种硬、耐磨且导电的薄膜材料的结构设计方法——三维固溶体框架，根据这个三维固溶体框架制备出的HfN(Ta/Ag)固溶体薄膜克服了“高硬度-高电导”的矛盾，获取了高硬、高耐磨和高导电的集成。
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