公开(公告)号：CN108140945B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201680058659.X

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置；插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽，贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极，在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内，从对应的源极总线供给数据信号，施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。

公开(公告)号：CN110911430A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910851620.9

申请日：2019-09-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  中野文树 ,  泷田力也

IPC: H01L27/146

Abstract: 有源矩阵基板在基板(101)上具备光电转换元件(12)、第一无机绝缘膜(106)、第一平坦化膜(107)、以及第二无机绝缘膜(108a)和/或(109)。第一无机绝缘膜(106)、第一平坦化膜(107)、第二无机绝缘膜(108a)和/或(109)被设置至基板的端部(P2)。第一无机绝缘膜(106)覆盖光电转换元件(12)的表面，第一平坦化膜(107)具有锥形部，锥形部与第一无机绝缘膜(106)所成的角度θ为锐角。第二无机绝缘膜(108a)和/或(109)覆盖第一平坦化膜(107)。

公开(公告)号：CN110783353A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910691352.9

申请日：2019-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷田力也 ,  中野文树 ,  中泽淳

IPC: H01L27/146

Abstract: 摄像面板中，在多个像素的每一个上具备光电转换元件的有源矩阵基板中，在各像素包括：设置在光电转换元件的一侧的表面的第一电极；设置在光电转换元件和所述第一电极的上层的第一平坦化膜；以及设置在所述第一平坦化膜的下层的偏压导电部。偏压导电部与第一电极连接，并向第一电极施加偏压电压。第一平坦化膜在与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。

公开(公告)号：CN107210534B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201680006409.1

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  森重恭 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q13/22 ,  H01L29/786 ,  H01P1/18 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

Abstract: TFT基板(101)具有排列在电介质基板(1)上的多个天线单位区域(U)，包含发送接收区域和非发送接收区域，发送接收区域包含多个天线单位区域，非发送接收区域位于发送接收区域以外的区域，多个天线单位区域(U)各自具备：薄膜晶体管(10)；第1绝缘层(11)，其覆盖薄膜晶体管，且具有将薄膜晶体管(10)的漏极电极(7D)露出的第1开口部(CH1)；以及贴片电极(15)，其形成在第1绝缘层(11)上和第1开口部(CH1)内，电连接到薄膜晶体管的漏极电极(7D)，贴片电极(15)包含金属层，金属层的厚度大于薄膜晶体管的源极电极(7S)和漏极电极(7D)的厚度。

公开(公告)号：CN108604735A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780011235.2

申请日：2017-02-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  中泽淳 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  大竹忠 ,  中野文树

IPC: H01Q13/22 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙(57)，至少在排列所述天线单位(U)的区域中，所述第二电介质基板(51)的厚度小于所述第一电介质基板(1)的厚度。

公开(公告)号：CN108140946A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059376.7

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

Abstract: 扫描天线(1000B)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)～(1000Bd)贴合的拼接结构，多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分，多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处，包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。

公开(公告)号：CN107851668A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043576.3

申请日：2016-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  加藤纯男

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置具备TFT(101)，该TFT(101)具有：栅极电极(12)；栅极绝缘层(14)，其覆盖栅极电极；金属氧化物层(16A)，其包括沟道区域(16c)、源极接触区域(16s)以及漏极接触区域(16d)；第1电极(18A)，其与源极接触区域接触；绝缘层(22)，其形成在金属氧化物层和第1电极上，具有使金属氧化物层的一部分露出的第1开口部(22p)；以及第2电极(24)，其形成在绝缘层上及包括第1开口部的接触孔内，具有透光性，第2电极(24)在接触孔内与漏极接触区域(16d)接触，漏极接触区域(16d)是金属氧化物层(16A)中的通过接触孔露出的区域(17)的一部分，从基板(11)的法线方向观看时，第2电极(24)不与沟道区域(16c)重叠。

公开(公告)号：CN107636840A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680032280.1

申请日：2016-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中野文树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明使有源矩阵基板的布线的电阻变小。有源矩阵基板，具备：基板31、配置于基板31且于第一方向延伸的多条栅极线Gj、配置于基板31且于与第一方向不同的第二方向延伸的多条源极线Si、与栅极线和源极线Si的各交点对应地配置且与栅极线Gj及源极线Si连接的晶体管2、绝缘层、及扩张导电膜51、52、61。栅极线Gj及源极线Si的至少一方，通过设置在绝缘层的接触孔与扩张导电膜连接并成为层压构造。

公开(公告)号：CN107636831A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680032360.7

申请日：2016-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  宫本忠芳

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

Abstract: 提供一种降低光电传感器基板的配线电阻的光电传感器基板。光电传感器基板具备：基板(31)；配置在基板(31)上并沿第一方向延伸的多条栅极线；配置在基板(31)上并沿与第一方向不同的第二方向延伸的多条源极线(Si)；与源极线(Si)和栅极线的各交点对应地配置,并与源极线(Si)以及栅极线连接的晶体管；覆盖晶体管的绝缘层；与源极线(Si)和栅极线的各交点对应地配置，并通过绝缘层的第一接触孔(CH3)与晶体管连接的光电转换元件(4)；沿第二方向延伸，并与光电转换元件(4)连接的多条偏压线8。源极线(Si)通过绝缘层的第二接触孔(CH2)与晶体管连接，并且源极线(Si)的线宽宽于偏压线(8)的线宽。

公开(公告)号：CN103229229B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180056691.1

申请日：2011-10-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  上田直树 ,  山内祥光

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3618 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2300/088 ,  G09G2310/08

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够实现耗电量的降低，而不会引起开口率的下降。通过由像素电极（20）和相对电极（80）夹持而形成液晶电容元件（Clc）。像素电极（20）、第一开关电路（22）的一端、第二开关电路（23）的一端、第二晶体管（T2）的第一端子形成内部节点（N1）。第一开关电路（22）及第二开关电路（23）的另一端与源极线（SL）相连。第二开关电路（23）由晶体管（T1）与二极管（D1）的串联电路构成，并由晶体管（T1）的控制端子、晶体管（T2）的第二端子、及升压电容元件（Cbst）一端来形成输出节点（N2）。升压电容元件（Cbst）的另一端与升压线（BST）相连，晶体管（T2）的控制端子与参考线（REF）相连。二极管（D1）在从源极线（SL）向内部节点（N1）的方向上具有整流作用。